光敏度【参数，厂家，图片，选型】-光电查

OSD50-5T

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 430 to 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 270 to 1300 pF 暗电流: 5 to 15 nA 响应度/光敏度: 0.18 to 0.21 A/W

Centronic的OSD50-5T是一款光电二极管，波长范围430至900 nm，电容270至1300 PF，暗电流5至15 nA，响应度/光敏度0.18至0.21 A/W，上升时间26 ns.有关OSD50-5T的更多详细信息，请联系我们。

OSD60-3T

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 800 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 32 to 350 pF 暗电流: 50 to 300 nA 响应度/光敏度: 0.54 to 0.61 A/W

Centronic的OSD60-3T是一种光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为32至350 PF，暗电流为50至300 nA，响应度/光敏度为0.54至0.61 A/W，上升时间为10 ns.有关OSD60-3T的更多详细信息，请联系我们。

OSD7.5-5T

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 430 to 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 40 to 180 pF 暗电流: 1 to 3 nA 响应度/光敏度: 0.18 to 0.21 A/W

Centronic的OSD7.5-5T是一款光电二极管，波长范围为430至900 nm，电容为40至180 PF，暗电流为1至3 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为10 ns.有关OSD7.5-5T的更多详细信息，请联系我们。

Q 7-0

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 430 to 1064 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 4 to 20 pF 暗电流: 4 to 15 nA 响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W

来自Centronic的Q7-0是波长范围为430至1064nm的光电二极管，电容为4至20pF，暗电流为4至15nA，响应度/光敏度为0.47至0.54A/W，上升时间为10ns.有关Q 7-0的更多详细信息，请联系我们。

QD100-0

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 430 to 1064 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 30 to 250 pF 暗电流: 25 to 50 nA 响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W

Centronic的QD100-0是一种光电二极管，波长范围为430至1064 nm，电容为30至250 PF，暗电流为25至50 nA，响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W，上升时间为10 ns.有关QD100-0的更多详细信息，请联系我们。

QD100-1

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 250 to 430 nm 电容: 55 to 250 pF 暗电流: 40 to 200 nA 响应度/光敏度: 0.03 to 0.16 A/W

Centronic公司的QD100-1是一种光电二极管，波长范围为250至430 nm，电容为55至250 PF，暗电流为40至200 nA，响应度/光敏度为0.03至0.16 A/W，有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-1的更多详细信息，请联系我们。

QD100-4X

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 800 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon, Nd:YAG 电容: 12 to 155 pF 暗电流: 20 to 300 nA 响应度/光敏度: 0.35 to 0.40 A/W

Centronic的QD100-4X是一款光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为12至155 PF，暗电流为20至300 nA，响应度/光敏度为0.35至0.40 A/W，上升时间为12 ns.有关QD100-4X的更多详细信息，请联系我们。

QD100-5T

英国

分类：光电二极管

厂商：Centronic

波长范围: 430 to 900 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 130 to 650 pF 暗电流: 5 to 50 nA 响应度/光敏度: 0.15 to 0.18 A/W

Centronic的QD100-5T是一款光电二极管，波长范围为430至900 nm，电容为130至650 PF，暗电流为5至50 nA，响应度/光敏度为0.15至0.18 A/W，有效面积直径为11.3 mm.有关QD100-5T的更多详细信息，请联系我们。

GUVA-C22SD

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 370 nm 光电二极管材料: GaN 暗电流: 1 nA

Genuv的GUVA-C22SD是一款光电二极管，波长范围为240至370 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.14 A/W.有关GUVA-C22SD的更多详细信息，请联系我们。

GUVA-T21GD-U

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 370 nm 光电二极管材料: GaN 暗电流: 90 nA

Genuv的GUVA-T21GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至370 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVA-T21GD-U的更多详细信息，请联系我们。

GUVB-T11GD-L

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nA

Genuv的GUVB-T11GD-L是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD-L的更多详细信息，请联系我们。

GUVB-T11GD

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 1 nA

Genuv的GUVB-T11GD是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD的更多详细信息，请联系我们。

GUVB-T21GD-U

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 320 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

Genuv的GUVB-T21GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T21GD-U的更多详细信息，请联系我们。

GUVC-T10GD-L

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 20 nA

Genuv的GUVC-T10GD-L是一款光电二极管，波长范围为220至280 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.05 A/W.有关GUVC-T10GD-L的更多详细信息，请联系我们。

GUVC-T20GD-U

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 220 to 280 nm 光电二极管材料: AlGaN 暗电流: 90 nA

Genuv的GUVC-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至280 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.06 A/W.有关GUVC-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。

GUVV-S10SD

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 240 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

Genuv的GUVV-S10SD是一款光电二极管，波长范围为240至395 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.18 A/W.有关GUVV-S10SD的更多详细信息，请联系我们。

GUVV-T10GD-L

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 20 nA

Genuv的GUVV-T10GD-L是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为20 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVV-T10GD-L的更多详细信息，请联系我们。

GUVV-T20GD-U

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: Schottky 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 230 to 395 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 90 nA

Genuv的GUVV-T20GD-U是一款光电二极管，波长范围为230至395 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.15 A/W.有关GUVV-T20GD-U的更多详细信息，请联系我们。

GVBL-S12SD

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 345 to 450 nm 光电二极管材料: Silicon, InGaN 暗电流: 1 nA

Genuv的GVBL-S12SD是一款光电二极管，波长范围为345至450 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.68 A/W.有关GVBL-S12SD的更多详细信息，请联系我们。

GVBL-T12GD

韩国

分类：光电二极管

厂商：GenUV

光电探测器类型: PN 工作模式: Photovoltaic 波长范围: 330 to 445 nm 光电二极管材料: InGaN 暗电流: 1 nA

Genuv的GVBL-T12GD是一款光电二极管，波长范围为330至445 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GVBL-T12GD的更多详细信息，请联系我们。