• 激光材料 Er:YAG 激光晶体
    美国
    分类:激光晶体
    水晶类型: Er:YAG AR 涂层: Uncoated

    高掺杂(50%)铒YAG是一种众所周知的用于产生2940nm发射的激光源,通常用于医疗[1](例如,美容皮肤磨削术)和牙科[2](例如,口腔手术)应用,这是由于在该波长下强烈的水和羟基磷灰石吸收。研究了低掺杂(<1%)铒YAG作为一种有效的方法,通过2级共振泵浦方案产生高功率和高能量的1.6微米“人眼安全”激光发射。在这些系统中,光纤或二极管激光器泵浦~1.5微米4I15/2->4I13/2 4I15/2 4I13/2吸收带,其中斯塔克能级之间的非辐射耦合允许1.6微米激光发射,量子效率超过90%[3]。

  • 激光材料 Yb:YAG 激光晶体
    美国
    分类:激光晶体
    水晶类型: Yb:YAG AR 涂层: Uncoated

    掺杂三价镱(Yb3+)的晶体在紧凑、高效的二极管泵浦激光系统中显示出巨大的应用潜力。[1-4]Yb3+离子只有两个流形,基态2F7/2和激发态2F5/2,它们相隔约10,000cm-1。因此,Yb3+掺杂材料具有有利于高能量1µm激光系统的光谱和激光特性。特别地,Yb3+掺杂材料不应遭受浓度猝灭、上转换或激发态吸收。Yb3+离子还具有很长的能量存储寿命(通常是相同基质中Nd3+的三到四倍)和非常小的量子亏损,这减少了激光过程中的热量产生。在基质材料YAG的特定情况下,Yb3+的存储寿命为950µs,量子亏损仅为8.6%。Yb3+:YAG还具有940nm的宽泵浦线,其比Nd3+:YAG中的808nm泵浦线宽10倍,使得系统对泵浦二极管波长的热漂移不太敏感。这些材料特性与940nm长寿命InGaAs泵浦二极管的发展相结合,使该材料成为二极管泵浦高能激光器的优秀候选材料。据报道,基于SM的升级Yb3+:YAG激光器系统的CW输出功率超过430 W,[1]准CW输出功率为600 W,[4]光光效率为60%。[2]据报道,此类系统可在千瓦级的输出功率下进行缩放。掺杂Yb3+的YAG晶体可以从1%-100%的各种掺杂剂浓度获得(例如镱铝石榴石-YbAg)。

  • LD-SMART 940nm 8W 半导体激光器
    德国
    厂商:Impex HighTech
    中心波长: 0.94um 输出功率: 8000mW

    激光二极管驱动器LD-SMART设计用于操作我们较近开发的微型被动调Q激光系统ELM系列模块和可扩展系统。该设备包含多达三个用于激光二极管、激光晶体和二次谐波产生的温度控制器,用于调节外部热电冷却器(TEC、珀耳帖)。激光二极管的操作模式可以在连续波、脉冲模式(具有内部脉冲产生或通过外部同步)或外部模拟调制之间改变。在外部同步的情况下,激光驱动器能够处理TTL输入信号。通过外部PC控制LD-SMART的用户友好软件是通过提供的触摸屏平板电脑上的USB或蓝牙接口。此外,还记录了通信协议,可以简单地集成到现有系统中。有关更多技术细节,请阅读用户手册。

  • 用于1300nm和2940nm激光的高功率操作的Nd YAP激光晶体 激光晶体
    中国大陆
    分类:激光晶体
    水晶类型: Other 水晶直径: 4~12mm 水晶长度: 5~30mm AR 涂层: One side, Both sides, Uncoated

    Nd:YAP的化学式为Nd3+:YAlO3,结构为畸变钙钛矿,属于斜六方晶系,空间群为Pbnm,a、B、C轴相互垂直,属于负单轴晶体,具有各向异性。在众多的掺钕激光晶体中,Nd:YAP晶体不仅具有较高的热导率,而且在4F3/2–4I13/2跃迁处具有较大的受激发射截面。它们是目前已知的用于1.3mm高功率运转的较有效的激光晶体之一,该晶体主要由LD泵浦。1.3mm激光器广泛应用于医学、光纤通信和军事领域。更重要的是,水分子在这个激光波段有很好的吸收。这使得它具有很好的止血能力,并广泛应用于激光治疗中,如止血、神经外科手术、切除病变组织和除皱等。此外,Nd:YAP晶体具有天然的双折射特性,对克服激光的热退偏和非线性频率变换非常有利。联系我们@crylink

  • CASTON的Nd:Ce:YAG, Yb:YAG, Er:YAG, Cr:Tm:Ho:YAG 晶体 激光晶体
    中国大陆
    分类:激光晶体
    厂商:Caston Inc.
    水晶类型: Nd:Ce:YAG, Yb:YAG, Er:YAG, Ho:Cr:Tm:YAG AR 涂层: Uncoated

    Caston公司推出了Nd:Ce:YAG(1.064μm)、Yb:YAG(1.03μm)、Er:YAG(2.94μm)和Cr:TM:Ho:YAG晶体(2.1μm),拓展了YAG晶体的应用范围。Nd:Ce:YAG具有较小的热畸变,在相同泵浦水平下,其输出激光能量明显高于Nd:YAG(>30%)。Yb:YAG是较有前途的1.03μm激光材料,由于其掺杂浓度高,吸收带宽大(在940nm处约为8nm),降低了对二极管激光器的热管理要求,比传统的掺钕材料更适合于二极管泵浦。Er:YAG是一种工作波长为2.94μm的激光晶体,广泛应用于医疗和牙科领域。CTH:YAG是一种新型的2.08μm激光晶体,在医学、气象、军事等领域有着广泛的应用。

  • 近红外垂直腔体表面发射激光器940nm 0.5W 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940nm

    近红外垂直腔面发射激光器(VCSEL)型号:多模阵列VCSEL中心波长:940nm不带漫射器的光功率:0.5瓦

  • OS08A20 800万像素PureCel Plus-S图像传感器 CMOS图像传感器
    美国
    厂商:Omni Vision
    传感器类型: CMOS 决议: 8MP # 像素 (H): 3840 # 像素: 2160 像素大小: 2.0um

    OmniVision的OS08A20是首款将Nyxel™技术与OmniVision的PureCel®像素架构相结合的800万像素图像传感器,使OS08A20能够在所有照明条件下拍摄明亮清晰的超高清(UHD)4K2K视频和图像。这使其成为专业监控系统以及其他新兴安全应用(如随身摄像机)的理想成像解决方案。OmniVision的突破性Nyxel™技术在850nm和940nm处提供显著的量子效率(QE)改进,同时保持高调制传递函数,使OS08A20能够监控更大的区域。此外,通过减少对外部光源的需求,Nyxel™技术实现了更低的功耗。

  • 准940nm VCSEL。 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940nm

    准(具有高斯光束形状和多模光谱轮廓)940nm VCSEL。

  • Yb:YAG 晶体 激光晶体
    中国大陆
    分类:激光晶体
    水晶类型: Er:YAG 水晶直径: 3mm 水晶长度: 50mm AR 涂层: Both sides

    Yb:YAG(Yb:YAG)是一种工作波长为1030nm的激光介质,在940nm处有一个宽达18nm的吸收带。它是高功率二极管泵浦固体激光器中较有用的介质之一。所使用的掺杂剂水平在被取代的钇原子的0.2%和30%之间。Yb:YAG具有很低的加热率、很高的斜率效率、没有激发态吸收和上转换发光、高机械强度和高热导率等优点。Yb:YAG可用940或970nm的可靠InGaAs激光二极管泵浦。Yb:YAG在高功率应用中是1064nm Nd:YAG的良好替代品,其倍频的515nm版本可以替代514nm激光器。

  • Yb:YAG激光晶体 激光晶体
    美国
    分类:激光晶体
    厂商:OptoCity
    水晶类型: Yb:YAG 水晶直径: 20mm 水晶长度: 70mm AR 涂层: One side, Both sides, Uncoated

    掺镱YAG(Yb:YAG)是一种在1030nm处产生激光的活性激光晶体,在940nm处具有18nm宽的吸收带。它是高功率二极管泵浦固体激光器中较有用的晶体之一。掺杂剂水平在被取代的钇原子的0.2-30%之间。Yb:YAG具有很低的发热分数、很高的斜率效率、无激发态吸收和上转换发光、高机械强度和高热导率等优点。Yb:YAG可由940或970nm的可靠InGaAs激光二极管泵浦。

  • Crytur的Yb:YAG棒 激光晶体
    捷克
    分类:激光晶体
    厂商:Crytur Ltd.
    水晶类型: Yb:YAG 水晶直径: 80mm 水晶长度: 100mm AR 涂层: One side, Both sides

    Yb3+离子表现出小的量子亏损和准三能级系统,具有长的激光上能级寿命,这对于调Q激光器中的能量积累是重要的。Yb3+的宽发光带有利于亚皮秒脉冲的产生。Yb:YAG晶体在940nm处具有较长的储能寿命、较宽的吸收带和较低的量子亏损,是二极管泵浦高能激光器的理想选择。

  • 940纳米VCSEL芯片V00101 - 多模式 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 10.5 W 操作/焊接温度: -40°C~100°C 储存温度: -40°C~110°C 正向电流: max. 22mA

    波长:940nm;裸片尺寸:0.175 mm X 0.215 mm3个光圈;建议较大峰值功率CW,100%DC:15 MW;

  • 940纳米VCSEL芯片V00059 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 光功率: 2.3 W 操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): 6A

    货号:V00059;裸片尺寸:0.87mm X 0.87mm 281孔径;建议较大峰值功率CW,100%DC:2W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:6W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:13W

  • 940纳米VCSEL芯片V00081 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C - 110°C 储存温度: -40°C - 110°C 正向电流(脉冲操作): 5 A 正向电流(直流操作): 10 A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00081;裸片尺寸:0.9毫米X 1.00毫米550孔;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:3W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:8W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:35W

  • 940纳米VCSEL V00155 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C~100°C 储存温度: -20°C~110°C 正向电流: 8.5A 正向电流(脉冲操作): 3.5A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00155;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(2J);推荐的较大峰值功率CW,100%DC:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:10W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:75W

  • 940纳米VCSEL V00156 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -20°C-100°C 储存温度: -20°C-110°C 正向电流(脉冲操作): 7A 正向电流(直流操作): 3A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00156;裸片尺寸:0.90mm X 1.00mm 550孔多结(3J);建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:12W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:110W

  • 940纳米VCSEL芯片V00063 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 16A 正向电流(直流操作): max. 6A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00063;裸片尺寸:1.26mm X 1.26mm 770孔径;建议较大峰值功率连续波,100%直流:4W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:11W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:36W

  • 940纳米VCSEL芯片V00132 - 高功率 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    操作/焊接温度: -40°C to 110°C 储存温度: -40°C to 110°C 正向电流(脉冲操作): max. 10A 正向电流(直流操作): max. 20A 反向电压: Not designed for reverse operation

    货号:V00155;裸片尺寸:1.99mm X 1.99mm 1672孔径;推荐的较大峰值功率CW,100%DC:6W;推荐较大峰值功率100μs,1%DC:20W;推荐较大峰值功率5ns,0.1%DC:76W

  • 940纳米VCSEL - V00159评估模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 940 nm 操作/焊接温度: -40°C to 105°C 储存温度: -40°C to 120°C 正向电流: 130A 供电电压: 10V

    VIXAR评估模块的开发旨在帮助客户开发用于飞行时间(TOF)应用的VCSEL。该模块可以用峰值功率高达80W的高光脉冲来驱动高速脉冲操作。该模块可用于在各种测试条件下评估Vixar的高功率VCSEL产品。该驱动器模块可安装在评估板上,以便快速设置和测量Vixar的高功率芯片和简化的高速GaN FET电路。SMA连接器允许快速连接脉冲触发器和FET电压测量。该模块已显示出在110 A的正向电流下提供80W的峰值光功率。

  • OG0VA CMOS图像传感器
    美国
    厂商:Omni Vision
    色度: Near-Infrared, Color 快门类型: Global Shutter 像素类型: Digital Sensor, Backside-Illuminated Sensor

    OmniVision的OG0VA是一款CMOS图像传感器,具有业界最小的像素尺寸2.2微米。OGOVA采用OmniVision的PureCel®Plus-S堆叠式像素架构和Nyxel®NIR技术,可实现最佳性能和精度以及出色的MTF,从而在机器视觉和3D传感应用中获得清晰、精确的图像。该图像传感器是其背照式(BSI)全局快门(GS)传感器系列的扩展,可提供VGA分辨率选项,在全局快门设备中具有最佳的NIR性能。OG0VA图像传感器提供每秒240帧(FPS)的640 X 480 VGA分辨率和每秒480帧的320 X 240 QVGA分辨率,采用1/10英寸的业界最小光学格式。此外,它的低光灵敏度非常出色,增益明显低于业界典型的3.0微米像素尺寸,从而提高了信噪比。图像传感器的高MTF使图像更清晰,对比度更高,细节更多,这有助于增强机器视觉决策过程。OGOVA在940nm处具有40%的高QE,在850nm处具有60%的高QE.该传感器在弱光和无光条件下性能更佳,设计人员可以使用更少的红外LED灯,实现更低的系统级功耗。对于AR/VR头戴式设备,这减少了热量的产生,而工业和机器人应用可以使用更少的IR LED以降低系统成本,或者使用相同的数量以实现更大的图像检测范围。