• SPL LL90_3 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    技术: Quantum Well 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 60 to 80 W 激光增益介质: InAIGaAs/GaAs 激光颜色: Infrared

    来自OSRAM的SPL LL90_3是在905nm的波长下操作的混合脉冲激光二极管。它的峰值输出功率为70 W,脉冲宽度(FWHM)为40 ns.该激光二极管的光束发散角为15°(平行)和30°(垂直),上升时间为10ns,下降时间为45ns.它的孔径为200 X 10μm²,反向电流为10μA.该激光二极管具有应变InAlGaAs/GaAs QW结构并使用纳米堆叠激光技术。它具有3个外延堆叠的发射极和一个用于脉冲控制的集成驱动级、FET和电容器。它需要20 V直流电源,采用4.9 X 2.4 X 5 mm的小尺寸塑料封装。该激光二极管适用于电子设备、设备照明(如固化、内窥镜)、高棚工业、工业自动化(机器控制、光障、视觉控制)、激光雷达、预碰撞、ACC、安全和CCTV应用。

  • 905nm 1200m 激光测距模块 半导体激光器
    中国大陆
    波长: 905nm 测量范围: 5~1200m 准确性: ±1m 测量分辨率: 0.1m 测量频率: 1-4Hz

    该激光测距模块基于905nm人眼安全激光二极管,提供长寿命和低功耗的解决方案。

  • 高重频窄脉冲 TO 激光光源 半导体激光器
    中国大陆
    中心波长: 905nm 光谱半高宽(FWHM): ≤6nm 峰值功率: ≥300W 子午发散角: <30° 弧矢发散角: 8~12°

    905nm高重频窄脉冲TO激光光源为激光引信的核心光源器件,具有高峰值功率、高重复频率、窄脉冲宽度、高集成度等优点。产品体积小、质量轻,可定制。

  • CVD 163 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 35 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 163是波长为905nm、输出功率为35W、输出功率(CW)为35W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 165 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 60 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 165是波长为905nm、输出功率为60W、输出功率(CW)为60W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 167 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 100 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 167是波长为905nm、输出功率为100W、输出功率(CW)为100W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 40 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 2 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 40是波长为905nm、输出功率为2W、输出功率(CW)为2W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 46 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 3 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 46是波长为905nm、输出功率为3W、输出功率(CW)为3W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 60 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 4 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 60是波长为905nm、输出功率为4W、输出功率(CW)为4W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 62 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 8 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 62是波长为905nm、输出功率为8W、输出功率(CW)为8W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 65 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 13 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 65是波长为905nm、输出功率为13W、输出功率(CW)为13W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 68 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 22 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 68是波长为905nm、输出功率为22W、输出功率(CW)为22W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    波长: 905 nm RoHS: Yes 类型: 自由空间激光二极管 技术: 纳米堆叠激光技术(包含3个外延堆叠发射极) 工作模式: 脉冲

    来自OSRAM的SPL PL90_3,是波长为905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管。输出峰值功率为65W-85W,脉宽为1-100ns,光谱带宽7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为9°(平行)和25°(垂直)。它的阈值电流为0.75 A,反向电压高达3 V。它需要9 V的直流电源,正向电流高达40 A。该激光二极管采用Ø5.8 X 32 mm的塑料封装,非常适合电子设备、设备照明(如固化、内窥镜)、工矿灯行业、工业自动化、安全安保和CCTV应用。

  • USBL-1550-05-R-G51红外(IR)光谱激光器 激光器模块和系统
    波长: 1550 nm 最大输出功率: 5 mW 运行模式: CW, Modulated

    Power Technology,Inc.的红外激光产品的波长范围为780nm、785nm、795nm、808nm、830nm、850nm、905nm、915nm、920nm、940nm、950nm、980nm、1030nm、1053nm、1060nm,1064nm,1150nm,1260nm,1310nm,1325nm,1450纳米,1550纳米,1590nm和1650纳米。寻找一些不同的东西?别担心,我们为大大小小的客户提供定制激光解决方案。有关红外激光模块功能和定制选项的更多信息,请联系Power Technology,Inc.的激光专家。USB-L通过USB接口供电和控制。宽波长范围的模块可用于圆形或椭圆形光束形状配置。通过USB Micro Type B连接,USB-L设计用于现代USB 2.0连接(或更高标准)。使用传统USB 1.0连接的操作员可能会看到绿色、蓝色和紫色激光器的有限输出。所有型号均提供稳定的电源,并提供自定义图形用户界面来控制电源级别和开/关状态。

  • LD-905-70-PM-CM 905nm激光模块 半导体激光器
    美国
    厂商:Optilab
    激光器类型: Fabry-Perot 输出功率: 70 mW typ. 中心波长: 905±10 nm 光谱半高宽(FWHM): 2 nm typ. 阈值电流: 30 mA typ.; 70 mA max.

    Optilab LD-905-70-PM-CM是一款905 nm的激光模块,具有高效率和高稳定性,配备TEC冷却器和内部光电二极管,适用于医疗激光治疗和生物技术等应用。