BIM-6002A系列光谱仪在电路上有了很大的升级。动态范围提高到10000：1，较小积分时间减少到0.5ms。同时，信噪比提高到600：1。所有的改进都更适合弱信号频谱测量。支持RS232/RS422接口，增强抗干扰性能，更利于工业客户。

高功率高隔离度隔离器（1064nm，1030nm，980nm，915nm，850nm，808nm，780nm）是一种与偏振无关的光纤组件，允许所有偏振光（而不仅仅是特定方向的偏振光）在一个方向上传播，但在相反方向上将其阻挡。在许多应用中，我们无法控制输入光的偏振。在这种情况下，需要与偏振无关的光纤隔离器（1064/1030/980/915nm/850/808/780nm）。它是保护激光器、放大器和ASE光源免受产生不稳定性的虚假背反射光影响的关键组件。注意事项：1.大功率高隔离度隔离器（1064nm，1030nm，980nm，915nm，850nm，808nm，780nm；偏振无关）可定制，上述规格如有更改，恕不另行通知。2.对于连续波高功率光互连，我们建议使用不带连接器的熔合接头。3.对于带连接器的设备，IL高0.3dB，RL低5.0dB。4.裸光纤不应支撑连接器的重量。因此，如果需要任何连接器，对于尾纤类型，较好选择900μm的松套管，而不是250μm的裸光纤。5.如需定制产品或有特殊要求，请联系LFIBER销售部了解供货情况。有关详细信息，请单击下面的链接。大功率高隔离隔离器

高功率高隔离PM隔离器（1064nm，1030nm，980nm，915nm，850nm，808nm，780nm）是一种与偏振无关的光纤元件，它允许所有偏振光（不仅仅是特定方向的偏振光）在一个方向上传播，但在相反方向上将其阻挡。在许多应用中，我们无法控制输入光的偏振。在这种情况下，需要与偏振无关的光纤隔离器（1064/1030/980/915nm/850/808/780nm）。它是保护激光器、放大器和ASE光源免受产生不稳定性的虚假背反射光影响的关键组件。注意事项：1.大功率高隔离度永磁隔离器（1064nm，1030nm，980nm，915nm，850nm，808nm，780nm；偏振无关）可定制，上述规格如有更改，恕不另行通知。2.对于连续波高功率光互连，我们建议使用不带连接器的熔合接头。3.对于带连接器的设备，IL高0.3dB，RL低5.0dB。4.裸光纤不应支撑连接器的重量。因此，如果需要任何连接器，对于尾纤类型，较好选择900μm的松套管，而不是250μm的裸光纤。5.如需定制产品或有特殊要求，请联系LFIBER销售部了解供货情况。有关详细信息，请单击下面的链接。大功率高隔离永磁隔离器

隔离器的中心波长为850nm，带宽可为+/-10nm或+/-50nm宽带。性能稳定，隔离度和ER值大。订单确认后，交货期为3~4周。如果您无法找到您的应用/项目的具体规格，请随时发送电子邮件到ana.t@optizonetech.com进行定制设计。如果没有新的要求，定制版本只需要4~5周的准备时间。

FIDL-1000M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-850X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用9mm TO型外壳和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。TO-3光学输出窗口由蓝宝石/玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-850D-60是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-100S-850D-60是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。它工作在-60ºC+60°C的宽温度范围内。激光二极管适用于军事、空间、恶劣工业应用中的各种光电系统。

FIDL-100S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-850X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于军事、空间、苛刻工业应用中的各种光电系统。

FIDL-10S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-850X是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。精确的波长选择允许在各种光电系统中使用激光二极管检测设备。

FIDL-1500M-850X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-850X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。由蓝宝石玻璃制成的光学输出窗。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-200S-850C是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-200S-850C是一种连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-20S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-20S-850X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-30M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-30M-850X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-850X是850nm±10nm AlGaAs/GaAs单用MOCVD半导体激光器制作量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-850X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-850X是一款CW多模注入式半导体激光器芯片，安装在SOT-148 9mmTO-CAN中，集成监控光电二极管以稳定输出功率，并采用TO-3封装，带有TEC、热敏电阻和监控二极管。

FIDL-50S-850D是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50S-850D是一款连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的830-850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-840X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6毫米封装，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-5S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25ºC下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-850X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入式半导体激光二极管内置监控光电二极管的CAN可稳定输出功率。其设计可在宽温度范围（-60ºC+70ºC）内工作，这使其成为军事、空间和恶劣工业应用的较佳激光源。该激光二极管适用于各种光电系统。

FKLD-10S-850-60X是用MOCVD半导体激光器制备的850nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-850-60X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

FKLD-20S-850-60X是850nm AlGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-20S-850-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

FKLD-5S-850-60X是用MOCVD半导体激光器制备的850nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-5S-850-60X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。