• EYP-DFB-0780-00080-1500-TOV01-0005 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 波长: 779 to 781 nm 输出功率: 20 to 80 mW 工作电流: 180 mA 阈值电流: 70 mA

    Toptica的EYP-DFB-0780-00080-1500-TOV01-0005是一款分布式反馈激光二极管,工作波长为780 nm.它的输出功率为20-80 MW,线宽(FWHM)为0.6 MHz.该激光器具有25pm的最小无跳模调谐和0.8W/A的斜率效率,具有8°的平行发散角(FWHM)和21°的垂直发散角(FWHM)。该激光二极管包括监控二极管、热电冷却器和热敏电阻。它的正向电流为180 mA,需要70 mA的阈值电流。这款激光二极管采用8引脚封装,尺寸为Ø9.14 X 19.27 mm,非常适合光谱学(Rb D2线)、计量和THz产生应用。

  • TO56m-100 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 11 W

    Seminex公司的TO56M-100是一种高功率脉冲激光二极管,工作波长为1250nm,光谱宽度为15nm.它提供11W的光输出功率。该激光二极管具有10度的平行光束发散角和30度的垂直光束发散角。TO56M-100的阈值电流为1 A,驱动电流约为29 A,正向电压为8.5 V.它采用紧凑型TO56封装,带有1.9mm底座和可选的2.8mm电容。这款激光二极管是OEM医疗、消费医疗、激光雷达、军事定位、测距和照明应用的理想选择。

  • TO56m-200-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 13 W

    Seminex的TO56M-200-173是一款工作波长为1250 nm的红外激光二极管。该激光器的脉冲输出功率为13W,斜率效率为0.2W/A,快轴发散角为30°(FWHM),慢轴发散角为14°(FWHM)。它需要7.9 V的直流电源,功耗高达35 A.该激光二极管采用TO56封装,适用于军事/航空航天、激光雷达、OEM医疗、专业医疗和照明应用。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • RLD63PZCA 半导体激光器
    日本
    波长: 638 nm 输出功率: 7 mW 工作电压: 2.2 V 工作电流: 33 mA 阈值电流: 28 mA

    来自Rohm Semiconductor的RLD63PZCA是红色单模激光二极管,其工作波长为638 nm,输出效率为0.8 W/A.它提供7 MW的峰值光输出功率,并具有8度的平行光束发散角和32度的垂直光束发散角。该激光二极管消耗2.2V的电压和33mA的电流。它可与行业标准&PHI5.6金属杆。这款激光二极管是传感器、条形码扫描仪、水准测量和测距应用的理想选择。

  • ADL-85Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V 工作电流: 310 to 360 mA

    Laser Components的ADL-85Y51TL是一款850 nm AlGaAs红外激光二极管,可提供高达270 MW的输出功率。该器件采用1.9 V电源供电,功耗高达360 mA.该连续发光激光二极管的平行发散角为6~13度,垂直发散角为12~22度,微分效率为1mW/mA.它采用TO-CAN封装,非常适合传感设备、激光雷达和3D传感应用。

  • QLF083A 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Quantum Well 波长: 830 nm 输出功率: 220 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 225 mA

    QD Laser公司的QLF083A是一种法布里-珀罗(Fabry-Perot)量子阱激光二极管,工作波长为830 nm,斜率效率为1.1 W/A,峰值输出功率为220 MW.该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为18°。它需要大约2.3V的工作电压,并且具有38mA的阈值电流。激光二极管安装在包括监视器PD的TO-56接头中,并用平板玻璃帽密封。用于工业激光打标机、测量仪器、生命科学应用等。

  • L1064H1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 1054 to 1074 nm 输出功率: 300 mW 工作电流: 700 to 750 A

    Thorlabs的L1064H1是一款Fabry Perot激光二极管,工作波长为1054至1074 nm.这种单空间模式激光二极管的光输出功率高达310mW,斜率效率为0.46W/A,垂直发散角(FWHM)为13.5°,横向发散角(FWHM)为7.6°。激光器的正向电压为1.92 V,阈值电流高达100 mA.它基于量子阱外延层生长技术,具有脊形波导结构。激光二极管采用Ø9 mm TO-CAN封装。

  • QD5263HH 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed Feedback (DFB), Quantum well 工作模式: CW Laser 波长: 5.263 µm 输出功率: 20 to 30 mW 工作电压: 12 V

    Thorlabs Inc的QD5263HH是一款连续波分布式反馈量子级联激光二极管,工作波长为5.263µm.它以单一纵向模式工作。该激光二极管的光输出功率为30mW,光束发散角(FWHM)为6mrad.这款QD5263HH的阈值电流为300 mA,工作电流为1 A.它采用高热负荷封装(HHL),具有准直输出,能够通过标准HHL引脚排列提供温度和电气控制。该激光二极管是化学分析、传感和红外对抗的理想选择。

  • QF3850T1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Cascade 工作模式: CW Laser 波长: 3.85 µm 输出功率: 200 mW 工作电流: 13.5 to 0.6 A

    Thorlabs的QF3850T1是一款法布里-珀罗量子级联激光二极管,工作范围为3.75至3.95µm.该单空间模式激光器提供200mW的光输出功率。它具有30度的平行光束发散角(FWHM)和40度的垂直光束发散角(FWHM)。该激光二极管的正向电压为13.5V,阈值电流高达250mA.它具有发散的输出光束,并且在室温下以连续波(CW)模式工作。该半导体激光二极管的发射表面由ZnSe窗口保护,并且该二极管在TO-9封装中可用。

  • QF4600T2 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 4450 to 4750 nm 输出功率: 200 mW 工作电压: 13 to 14 V

    Thorlabs Inc的QF4600T2是4.45至4.75µm的法布里-珀罗量子级联激光器(QCL)二极管。这种单空间模式激光器的最大输出功率高达500 MW.它具有30度的平行光束发散角和40度的垂直光束发散角。该激光二极管采用TO-9封装,可在15至50°C的温度范围内工作。

  • cmc-785-1000-1xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 785 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V

    Sheaumann Laser的CMC-785-1000-1是一种激光二极管,工作波长为785nm.它提供了1W的连续波输出功率,并具有1W/A的斜率效率。这种多模激光二极管在FWHM处具有25°(垂直远场)和8°(水平远场)的光束发散角。它需要400 mA的阈值电流,并消耗1.3 A的电流。该激光二极管具有100μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-0500-0xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 0.54 to 0.6 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-0500-0是一种工作波长为808 nm的激光二极管。该激光器连续输出功率为0.5W,斜率效率为1W/A,在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要80 mA的阈值电流,并消耗0.54 A的电流。该激光二极管具有50μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-1000-0xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 1.1 to 1.3 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-1000-0是一款工作波长为808 nm的激光二极管。它的连续输出功率为1W,斜率效率为1W/A.这种多模激光二极管在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要160 mA的阈值电流,并消耗1.1 A的电流。该激光二极管具有50μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、打标、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-1500-0xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 1.5 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 1.6 to 1.8 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-1500-0是一款工作波长为808 nm的激光二极管。该激光器连续输出功率为1.5W,斜率效率为1W/A,在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要170 mA的阈值电流,并消耗1.6 A的电流。该激光二极管具有50μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-3000-2xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 3 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 3.5 to 4.1 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-3000-2是一种工作波长为808 nm的连续波激光二极管。该多模激光二极管的光输出功率高达3 W,斜率效率为1 W/A,垂直光束发散角(FWHM)为30度,横向光束发散角(FWHM)为8度。该激光二极管需要0.8 A的阈值电流和3.5 A的工作电流。它具有超低或高AR涂层的可选微透镜。CMC-808-3000-2采用铜基板,是国防、激光泵浦、激光治疗、标记、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-6000-2xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 6 W 工作电压: 1.9 to 2.4 V 工作电流: 6.2 to 7.1 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-6000-2是一种工作波长为808 nm的激光二极管。它提供了6W的连续波输出功率和1W/A的斜率效率。这种多模激光二极管在FWHM处具有30°(垂直远场)和8°(水平远场)的光束发散角。它需要0.9 A的阈值电流,并消耗6.2 A的电流。该激光二极管具有200μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-830-1500-0xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 830 nm 输出功率: 1.5 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 1.56 to 1.85 A

    Sheaumann Laser的CMC-830-1500-0是一款激光二极管,工作波长为830 nm.该激光器连续输出功率为1.5W,斜率效率为1W/A,在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要225 mA的阈值电流,并消耗1.56 A的电流。该激光二极管具有50μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-915-3000-1xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 915 nm 输出功率: 3 W 工作电压: 1.7 to 2.2 V 工作电流: 3.3 to 3.8 A

    Sheaumann Laser的CMC-915-3000-1是一款多模连续波激光二极管,工作波长为915 nm.这种单空间模式激光二极管提供高达3W的光输出功率,并且具有1W/A的斜率效率。它具有30°的垂直光束发散角和8°的水平光束发散角。这款自由空间激光二极管的阈值电流为350至550 mA,所需工作电压低于2.2 V.它具有可选的微透镜以及超低和高AR涂层,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、拉曼光谱和远程功率传输应用的理想选择。