• SemiNex高功率单模激光二极管B-Mount 1320nm 0.8W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.320um 输出功率: 800mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • SemiNex高功率单模激光二极管C-Mount 1625nm 0.45W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.625um 输出功率: 450mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • 半成品激光芯片 半导体激光器
    美国
    中心波长: 1.47um 输出功率: 6200mW

    Seminex高功率激光二极管提供高达6.2瓦的CW功率。提供1310、1470、1532、1550和1650nm的多模和单模标准波长。还提供其他定制波长

  • 半纳克斯多芯片模块 半导体激光器
    美国
    中心波长: 1.5um 输出功率: 20000mW

    Seminex多模式红外激光二极管组合成单个模块。10、15、20、25和50瓦版本集束或单芯光纤1470、1532、1550的标准波长

  • Seminex多模式激光芯片1470nm 5W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.470um 输出功率: 5000mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1475nm 3.7W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.475um 输出功率: 3700mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1480nm 5W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.480um 输出功率: 5000mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • SemiNex多模式激光芯片1488nm 7W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.488um 输出功率: 7000mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。如有必要,我们将进一步优化InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1532nm 4.2W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.532um 输出功率: 4200mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1540nm 5.6W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.540um 输出功率: 5600mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1550nm 0.6W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 600mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • SemiNex多模式激光芯片1550nm 2.5W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 2500mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。如有必要,我们将进一步优化InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1550nm 4.2W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 4200mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex多模式激光芯片1568nm 5.6W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.568um 输出功率: 5600mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1550nm 0.4W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 400mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1550nm 0.4W N179 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 400mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1625nm 0.3W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.625um 输出功率: 300mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1630nm 0.3W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.630um 输出功率: 300mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1630nm 0.45W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.630um 输出功率: 450mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。

  • Seminex单模激光芯片1650nm 0.45W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.650um 输出功率: 450mW

    Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时,我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计,以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试,以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。