FTLD-1550-15S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1550nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1550-15S是一种连续单模注入式半导体激光器，主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1600-05S是基于AlInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-05S是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管和蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1600-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1600nm激光二极管，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1600-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1620-01S-BTF是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-01S-BTF是连续单模注入半导体激光器。它采用蝶形外壳，内置监视器光电二极管、TEC、热敏电阻和微型光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1620-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1625-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1625-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1630-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1630nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1630-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1650-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1650-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-10S是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1660-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1660-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1670-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1670-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1690-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1690-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FVLD-375-200M是一款多模激光二极管，连续输出功率为200mW，波长为375nm。它采用5.6mm TO CAN封装，带有光电二极管和齐纳二极管。激光二极管适用于各种光电应用。

FVLD-375-70S是一款连续输出功率为70mW的单模激光二极管输出功率为375nm。它采用5.6mm TO CAN封装，带有光电二极管和齐纳二极管。激光二极管适用于各种光电应用。

FVLD-395-120S是单模激光二极管，功率为120mW395nm连续波输出功率。它以5.6mm的形式提供给带光电二极管和齐纳二极管的CAN。激光二极管是适用于各种光电应用。

FVLD-395-20S-AR是20mW的单模激光二极管395nm连续波输出功率。它采用5.6mm TO CAN封装，带有光电二极管和齐纳二极管。由于前端面涂有Ar涂层，该激光二极管特别适用于外腔激光器。