• OP552A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552A的更多详情,请联系我们。

  • OP552B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552B的更多详情,请联系我们。

  • OP552C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552C的更多详情,请联系我们。

  • OP552D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP552D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552D的更多详细信息,请联系我们。

  • OP555A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP555A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP555A的更多详情,请联系我们。

  • OP555C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP555C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP555C的更多详情,请联系我们。

  • OP555D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP555D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP555D的更多详细信息,请联系我们。

  • OP560A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP560A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通状态集电极电流为6.6 mA.有关OP560A的更多详情,请联系我们。

  • OP560B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP560B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP560B的更多详情,请联系我们。

  • OP560C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP560C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)15 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)1.10 V,发射极集电极电压(击穿)2 V,导通状态集电极电流1.1 mA.有关OP560C的更多详情,请联系我们。

  • OP565A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP565A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通集电极电流为6.6 mA.有关OP565A的更多详情,请联系我们。

  • OP565B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP565B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP565B的更多详情,请联系我们。

  • OP565C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP565C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.10 V,发射极集电极电压(击穿)为2 V,导通集电极电流为1.1 mA.有关OP565C的更多详情,请联系我们。

  • OP593B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP593B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2至4 mA.有关OP593B的更多详情,请联系我们。

  • OP598A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP598A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)25 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流7.5 mA.有关OP598A的更多详情,请联系我们。

  • OP598B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP598B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为25 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为5 mA至10 mA.有关OP598B的更多详细信息,请联系我们。

  • OP598C 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP598C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为25 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为2.5 mA.有关OP598C的更多详细信息,请联系我们。

  • OP599A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP599A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.35 mA.有关OP599A的更多详细信息,请联系我们。

  • OP599B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP599B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.2至3.85 mA.有关OP599B的更多详细信息,请联系我们。

  • OP599D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂商:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.25 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP599D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.2 mA.有关OP599D的更多详细信息,请联系我们。