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  • MTD8600N4-T 光电晶体管
    MTD8600N4-T
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Marktech Optoelectronics
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8600T-T 光电晶体管
    MTD8600T-T
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Marktech Optoelectronics
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T-T的更多详细信息，请联系我们。

  • MTD8600T4-T 光电晶体管
    MTD8600T4-T
    美国
    分类：光电晶体管
    厂商：Marktech Optoelectronics
    材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

    Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息，请联系我们。

  • RPM-22PB 光电晶体管
    RPM-22PB
    日本
    分类：光电晶体管
    厂商：ROHM Semiconductor
    材料: Silicon 安装类型: Surface Mount Type 光电晶体管型: Phototransistors 集电极发射极电压（击穿）: 32 V 集电极暗电流: 0.5 µA

    Rohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管，其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA，暗电流高达0.5μA，集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有Ø1.5透镜，半角为±32度，响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装，非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。

  • OP301SL 光电晶体管
    OP301SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP301SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.8至2.4 mA.有关OP301SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP302SL 光电晶体管
    OP302SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP302SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA.有关OP302SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP303SL 光电晶体管
    OP303SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP303SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.6至12.0 mA.有关OP303SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP304SL 光电晶体管
    OP304SL
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP304SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为7.0至21.0 mA.有关OP304SL的更多详细信息，请联系我们。

  • OP505B 光电晶体管
    OP505B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP505B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP505B的更多详细信息，请联系我们。

  • OP506B 光电晶体管
    OP506B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP506B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP506B的更多详细信息，请联系我们。

  • OP508FA 光电晶体管
    OP508FA
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP508FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.7 mA.有关OP508FA的更多详细信息，请联系我们。

  • OP535A 光电晶体管
    OP535A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP535A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为10.5 mA.有关OP535A的更多详细信息，请联系我们。

  • OP535B 光电晶体管
    OP535B
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP535B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.5至32.0 mA.有关OP535B的更多详情，请联系我们。

  • OP535C 光电晶体管
    OP535C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP535C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为1.5 mA.有关OP535C的更多详情，请联系我们。

  • OP538FA 光电晶体管
    OP538FA
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP538FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为6.8 mA.有关OP538FA的更多详细信息，请联系我们。

  • OP538FB 光电晶体管
    OP538FB
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP538FB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.3至20.5 mA.有关OP538FB的更多详细信息，请联系我们。

  • OP538FC 光电晶体管
    OP538FC
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 0.5 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP538FC是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.1 mA.有关OP538FC的更多详情，请联系我们。

  • OP550A 光电晶体管
    OP550A
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    来自TT Electronics的OP550A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP550A的更多详细信息，请联系我们。

  • OP550C 光电晶体管
    OP550C
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP550C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP550C的更多详情，请联系我们。

  • OP550D 光电晶体管
    OP550D
    加拿大
    分类：光电晶体管
    厂商：TT Electronics
    输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

    TT Electronics的OP550D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP550D的更多详情，请联系我们。