光电二极管PD 41-03设计用于探测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 41-05被设计用于检测从3000到4100nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 41-05设计用于探测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-03设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 43-03设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-05设计用于检测2600至4600nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 43-05设计用于检测2600至4600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 36-05-CG（带玻璃盖）设计用于探测1800-3600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-03-CG（带玻璃盖）设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 43-05-CG（带玻璃盖）设计用于探测2600至4600 nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 36-03-CG（带玻璃盖）设计用于探测1800-3800nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 36-03被设计用于检测从1800到3800nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。此外，光电二极管芯片覆盖有玻璃盖，该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 36-05被设计用于检测从1800到3600nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。此外，光电二极管芯片覆盖有玻璃盖，该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 43-03设计用于探测3000-4600nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。此外，光电二极管芯片覆盖有玻璃盖，该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 43-05设计用于检测2600至4600nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。此外，光电二极管芯片覆盖有玻璃盖，该玻璃盖提供高于三倍的信号。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

OZ Optics提供具有低背反射的全系列光纤准直器和聚焦器，旨在将光纤出射的光准直或聚焦到所需的光束直径或光斑大小。通过利用衍射受限透镜，可以实现几微米的光斑尺寸。这些器件可与激光二极管、光电二极管、声光调制器和其他光纤器件一起使用。准直器和聚焦器可用作匹配对，以将光耦合进和耦合出光学装置。这使得它们非常适合用于器件的纤维封装。

QLF063A是一种高功率FP激光二极管。激光器安装在TO-56封装中，带有监控光电二极管。阳极和阴极通用型都有。

QLF063A-AA是一种高功率FP激光二极管。激光器安装在TO-56封装中，带有监控光电二极管。阳极和阴极通用型都有。

OZ Optics提供具有低背反射的全系列光纤准直器和聚焦器，旨在将光纤出射的光准直或聚焦到所需的光束直径或光斑大小。通过利用衍射受限透镜，可以实现几微米的光斑尺寸。这些器件可与激光二极管、光电二极管、声光调制器和其他光纤器件一起使用。准直器和聚焦器可用作匹配对，以将光耦合进和耦合出光学装置。这使得它们非常适合用于器件的纤维封装。

SD512GR专为要求苛刻的半导体工艺应用而设计。其光学系统采用512个元素的线性砷化铟镓光电二极管阵列。SD512GR的优势包括在900–1700 nm范围内的出色灵敏度、用户可选择的灵敏度、可降低热噪声的热电冷却器以及可消除二阶和更高阶的集成阻塞滤波器。