• VPS激光设备 VPSL-0635-005-x-5-A/E 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.63um 输出功率: 5mW

    VPSL-0635-005-X-5-A/B/E是一款0.63µm波段、AlGaInP折射率引导的激光二极管,具有多量子阱(MQW)结构。它适合用作激光水平仪、扫描仪和测量用光学设备的光源。这是一款高性能、高可靠性、长寿命的激光二极管,与集成的内部光束校正光学器件相结合,并封装在密封封装中。

  • VPS激光装置 VPSL-0635-005-x-9-B 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.63um 输出功率: 5mW

    VPSL-0635-005-X-9-B激光器件是一款0.63µm波段、AlGaInP、折射率引导、多量子阱(MQW)激光二极管,具有集成的内部光束校正光学器件。它适合作为条形码阅读器、激光水平仪和各种其他类型的光学设备的光源。封装的气密密封确保了高可靠性。

  • VPS激光设备VPSL-0635-010-x-5-A/B 半导体激光器
    美国
    中心波长: 0.63um 输出功率: 12mW

    VPSL-0635-010-X-5-A/B是一款0.63µm波段、AlGaInP折射率引导的激光二极管,具有多量子阱(MQW)结构。它适合作为激光指示器和用于对准的光学设备的光源。这是一款高性能、高可靠性、长寿命的激光二极管,与集成的内部光束校正光学器件相结合,并封装在密封封装中。

  • BOA 1004 XL 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    厂商:索雷博
    放大器类型: Booster Amplifier 饱和输出功率: 0.0316 W 波长: 1550 to 1570 nm

    BOA 1004是一款高饱和输出功率、高带宽、保偏、增益光放大器(BOA)。它采用了高效的InP/InGaAsP量子阱(QW)层结构和可靠的脊形波导设计。BOA 1004 XL是BOA 1004的高级版本。它采用标准14引脚蝶形封装,集成了热电冷却器和热敏电阻。封装选项包括隔离器以及单模光纤和保偏光纤的选择尾巴。

  • BOA 1004 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    厂商:索雷博
    放大器类型: Booster Amplifier 波长: 1530 to 1570 nm 饱和输出功率: 0.0316 W

    BOA 1004是一种高饱和输出功率、高带宽、偏振保持的功率放大器(BOA)。它采用了高效的InP/InGaAsP量子阱(QW)层结构和可靠的脊形波导设计。它采用标准14针蝶形封装,集成了热电冷却器和热敏电阻。封装选项包括隔离器以及单模光纤和保偏光纤尾纤的选择。

  • BOA 1007 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    厂商:索雷博
    放大器类型: Booster Amplifier 波长: 1530 to 1570 nm 饱和输出功率: 0.1 W

    BOA 1007是一款高饱和输出功率、高带宽、偏振保持的功率放大器(BOA)。它采用了高效的InP/InGaAsP量子阱(QW)层结构和可靠的脊形波导设计。封装选项包括裸片、基板上的芯片以及各种通用和定制加热器下沉

  • BOA 1017 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    厂商:索雷博
    放大器类型: Booster Amplifier 波长: 1290 to 1330 nm 饱和输出功率: 0.02 W

    BOA 1017是一款高饱和输出功率、高带宽、偏振保持的功率放大器(BOA)。它采用了高效的InP/InGaAsP量子阱(QW)层结构和可靠的脊形波导设计。它采用标准14针蝶形封装,集成了热电冷却器和热敏电阻。封装选项包括隔离器以及单模光纤和保偏光纤尾纤的选择。

  • BOA 1080 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    厂商:索雷博
    放大器类型: Booster Amplifier 波长: 1570 to 1590 nm 饱和输出功率: 0.0158 W

    BOA 1080是一款高饱和输出功率、高带宽保偏光放大器(BOA)。它采用了高效的InP/InGaAsP量子阱(QW)层结构和可靠的脊形波导设计。它采用标准14针蝶形封装,集成了热电冷却器和热敏电阻。封装选项包括隔离器以及单模光纤和保偏光纤尾纤的选择

  • BOA 1082 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    厂商:索雷博
    放大器类型: Booster Amplifier 波长: 1600 to 1650 nm 饱和输出功率: 0.01 W

    BOA 1082是一种高饱和输出功率、高带宽、偏振保持的增强光放大器(BOA)。它采用了高效的InP/InGaAsP量子阱(QW)层结构和可靠的脊形波导设计。它采用标准14针蝶形封装,集成了热电冷却器和热敏电阻。封装选项包括隔离器以及单模光纤和保偏光纤尾纤的选择。

  • BOA 1130 XL 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    厂商:索雷博
    放大器类型: Booster Amplifier 波长: 1270 to 1310 nm 饱和输出功率: 0.0501 W

    BOA 1130是一种高饱和输出功率高带宽偏振保持功率放大器(BOA)。它采用了高效的InP/InGaAsP量子阱(QW)层结构和可靠的脊形波导设计。BOA 1130 XL是BOA 1130的高级版本。它采用标准14针蝶形封装,集成了热电冷却器和热敏电阻。封装选项包括隔离器以及单模光纤和保偏光纤尾纤的选择。

  • 剑桥大学 1130 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    厂商:索雷博
    放大器类型: Booster Amplifier 波长: 1270 to 1310 nm 饱和输出功率: 0.0316 W

    BOA 1130是一种高饱和输出功率高带宽偏振保持功率放大器(BOA)。它采用了高效的InP/InGaAsP量子阱(QW)层结构和可靠的脊形波导设计。它采用标准14针蝶形封装,集成了热电冷却器和热敏电阻。封装选项包括隔离器以及单模光纤和保偏光纤尾纤的选择。

  • BOA 1132 XL 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    厂商:索雷博
    放大器类型: Booster Amplifier 波长: 1290 to 1330 nm 饱和输出功率: 0.0501 W

    BOA 1132是一种高饱和输出功率、高带宽、偏振保持的增强光放大器(BOA)。它采用了高效的InP/InGaAsP量子阱(QW)层结构和可靠的脊形波导设计。它采用标准14针蝶形封装,集成了热电冷却器和热敏电阻。封装选项包括隔离器以及单模光纤和保偏光纤尾纤的选择。

  • BOA 1132 光纤放大器
    美国
    分类:光纤放大器
    厂商:索雷博
    放大器类型: Booster Amplifier 波长: 1290 to 1300 nm 饱和输出功率: 0.0316 W

    BOA 1132是一种高饱和输出功率、高带宽、偏振保持的增强光放大器(BOA)。它采用了高效的InP/InGaAsP量子阱(QW)层结构和可靠的脊形波导设计。它采用标准14针蝶形封装,集成了热电冷却器和热敏电阻。封装选项包括隔离器以及单模光纤和保偏光纤尾纤的选择。

  • EP689-DM-BC 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback (DFB), Quantum well 波长: 689 to 695 nm 输出功率: 5 to 10 mW 工作电压: 2.5 V 工作电流: 150 mA

    EP689-DM-BC激光二极管模块是一款高性价比、高相干激光源,工作波长为689nm,具有高SMSR.该激光二极管采用专利的离散模式(类DFB)脊形波导技术开发,采用外延结构设计,以提供基于InP的应变量子阱激光二极管光源。分立模式激光二极管芯片采用行业标准的密封14针蝶形封装,配有热电冷却器(TEC)和热敏电阻。

  • LNCQ28MS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 656 to 665 nm 输出功率: 0.1 to 0.35 W 工作电压: 2 to 3 V

    Panasonic公司的LNCQ28MS01WW是一种MOCVD制造的激光二极管,具有多量子阱结构,工作波长为655至665nm.它提供高达350 MW的脉冲输出功率,工作温度范围为-10至+85°C.激光二极管的脉冲宽度高达40 ns,占空比高达33%。它需要2至3 V的直流电源,功耗为165 mA.激光二极管具有7.5至13度的平行光束发散度和13至19.5度的垂直光束发散度。它采用TO-56 CAN封装,非常适合用于光盘驱动器、传感、分析、测量和农业应用。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • QLF083A 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Quantum Well 波长: 830 nm 输出功率: 220 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 225 mA

    QD Laser公司的QLF083A是一种法布里-珀罗(Fabry-Perot)量子阱激光二极管,工作波长为830 nm,斜率效率为1.1 W/A,峰值输出功率为220 MW.该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为18°。它需要大约2.3V的工作电压,并且具有38mA的阈值电流。激光二极管安装在包括监视器PD的TO-56接头中,并用平板玻璃帽密封。用于工业激光打标机、测量仪器、生命科学应用等。

  • FPL785P 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 180 to 220 mW 工作电流: 500 to 550 mA 阈值电流: 80 to 150 mA

    Thorlabs的FPL785P是一款法布里-珀罗激光二极管,工作波长为775至795nm.它提供200 MW的CW输出功率,光谱带宽(RMS)为0.5 nm.该单模光纤的正向电压为2.1V,工作电流CW为500mA,阈值电流高达80mA.它的偏振消光比为16dB,斜率效率为0.53W/A.该激光器基于量子阱外延层生长,具有高度可靠的脊形波导结构。它采用蝶形封装,集成监控光电二极管、TEC和热敏电阻,可对激光二极管进行温度控制。

  • FPV785P 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 784 to 786 nm 输出功率: 20 to 50 mW 工作电压: 2.1 to 2.8 V

    来自Thorlabs的FPV785P是一种785nm波长稳定的激光二极管,基于量子阱外延层生长和具有外部体全息光栅(VHG)反馈的高度可靠的脊波导结构。该激光二极管在大约30至50mW的工作功率范围内产生具有单频窄线宽的波长稳定光谱。这款单频激光二极管采用蝶形封装,内置光隔离器、监控二极管、TEC和热敏电阻,可对激光器进行温度控制。输出耦合到1.0米的FC/APC端接的PM780-HP光纤。

  • FPV852P 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Quantum Well 波长: 852 nm 输出功率: 10 to 20 mW 工作电流: 400 mA 阈值电流: 50 to 100 mA

    FPV852P是一款波长稳定的852 nm激光二极管,基于量子阱外延层生长和具有外部体全息光栅(VHG)反馈的高度可靠的脊波导结构。这款单频激光二极管采用蝶形封装,内置光隔离器、监控二极管、TEC和热敏电阻,可对激光器进行温度控制。该激光二极管在大约10至20mW的工作功率范围内产生具有单频窄线宽的波长稳定光谱。输出耦合到1.0米的FC/APC端接的PM780-HP光纤。