• Tefzel硅袋包覆多模光纤 - 84810178N 光纤
    美国
    分类:光纤
    核心直径: 800um 波长范围: 400 - 2400 nm 纤维芯材料: Silica

    用于IR的玻璃纤维的芯由具有低OH含量和在整个直径上具有均匀折射率的纯熔融石英玻璃组成。光纤的波长范围为400nm至2400nm(可见-红外)。纤维本身覆盖有由丙烯酸酯、硅树脂或聚酰亚胺组成的涂层。多模光纤不仅用于光学数据传输,还用于传感器技术、光谱学、医疗技术和激光应用。

  • Tefzel硅袋包覆多模光纤 - 84810179N 光纤
    美国
    分类:光纤
    核心直径: 1500um 波长范围: 400 - 2400 nm 纤维芯材料: Silica

    用于IR的玻璃纤维的芯由具有低OH含量和在整个直径上具有均匀折射率的纯熔融石英玻璃组成。光纤的波长范围为400nm至2400nm(可见-红外)。纤维本身覆盖有由丙烯酸酯、硅树脂或聚酰亚胺组成的涂层。多模光纤不仅用于光学数据传输,还用于传感器技术、光谱学、医疗技术和激光应用。

  • TeraPyro传感器 半导体激光器
    法国
    厂商:Lytid
    输出功率: 2W 激光波长: 3000um 脉宽: 1 - 1 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Terapyro传感器是一种紧凑且高度敏感的设备,基于高质量吸收黑色涂层与LiTaO3热电晶体的组合。涂层的宽吸收范围允许在大光谱范围(从0.1到30THz)上使用该传感器。高灵敏度和低NEP不会影响性能。基于AR涂层硅透镜的集成、预对准、高质量THz光学器件确保了与传感器的较大光学耦合。光学器件高度模块化,允许三种配置:裸传感器、准直输入或聚焦输入,工作距离为50 mm。灵敏度开关允许减少探测器的响应,并增加响应时间,以实现更快的测量。BNC输出确保数据恢复的快速和标准连接。传感器采用+/-12 V的普通直流电源供电。

  • TFMD5000硅PIN光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 1050nm

    TFMD5000是一款具有超扁平外形的新设备,外形尺寸为5x4x1.1mm。它可以接受有效面积高达10平方毫米的PIN光电二极管芯片。为了满足不同传感应用的严格要求,该器件有3个不同的版本:标准透明封装透镜,用于从可见光到1000nm的响应;红色封装透镜,用于需要滤除可见环境光干扰的应用;以及黑色封装透镜,用于要求红外区域具有更高响应度的应用。

  • TFMD5000B硅 PIN光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 950nm

    TFMD5000是一款具有超扁平外形的新设备,外形尺寸为5x4x1.1mm。它可以接受有效面积高达10平方毫米的PIN光电二极管芯片。为了满足不同传感应用的严格要求,该器件有3个不同的版本:标准透明封装透镜,用于从可见光到1000nm的响应;红色封装透镜,用于需要滤除可见环境光干扰的应用;以及黑色封装透镜,用于要求红外区域具有更高响应度的应用

  • TFMD5000R硅 PIN光电二极管 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    二极管类型: Si 工作波长: 950nm

    TFMD5000是一款具有超扁平外形的新设备,外形尺寸为5x4x1.1mm。它可以接受有效面积高达10平方毫米的PIN光电二极管芯片。为了满足不同传感应用的严格要求,该器件有3个不同的版本:标准透明封装透镜,用于从可见光到1000nm的响应;红色封装透镜,用于需要滤除可见环境光干扰的应用;以及黑色封装透镜,用于要求红外区域具有更高响应度的应用。

  • Toshiba TOCP 155 200 255塑料光缆 光纤电缆和束
    日本

    连接器:TOCP200K电缆:塑料光缆1.0mm/2.2mm/4.4mm/6.0mm或带硅芯的PCF电缆。

  • 托索N型熔融石英玻璃 光学材料
    美国
    分类:光学材料
    应用范围: Ultraviolet (UV) 波长范围: 250 - 2700 nm

    Tosoh N和NP材料是通过使用Tosoh专有的氢氧火焰熔合工艺熔合高纯度硅粉制造的。由于其高纯度、低铝含量以及极低的气泡和夹杂物水平,氮已成为广泛应用的参考材料:半导体制造、计量、光学、化学加工、紫外线和高温窗口等。特别地,N是用于前沿半导体制造中使用的严格等离子体蚀刻工艺的使能材料。

  • 真正的熔断式多模星形光纤耦合器和光分路器 光纤耦合器
    英国
    分类:光纤耦合器

    多模(MM)熔接式双向光纤星形耦合器和分光器能够在宽波长范围(即850nm和1300nm)内工作。多模耦合器通常用于短距离数据传输。Gould多模熔融耦合器可用于光纤仪器、传感器系统和局域网。我们的耦合器是在完全软件控制的自动制造站上使用熔融双锥形工艺制造的。该方法包括将两根或多根纤维彼此相邻放置,然后将它们熔合并拉伸以产生中心耦合区域。熔接耦合器是由两根独立的光纤形成的结构。有关更多信息,请访问我们的熔融双锥形(FBT)页面。Gould Fiber Optics使用我们的专利Glassolder工艺在光纤和二氧化硅基板之间进行玻璃到玻璃的粘合。该技术可产生均匀的“焊料”珠,将光纤固定到基板上,以提供卓越的机械和环境稳定性。Gould的真熔合多模(MM)星形光纤耦合器和分光器(NX3和NX4)可使用不同的光纤类型制造,如50/125um、62.5/125um、100/140um和OFS 100/140/250um 0.2NA分级指数。可用于端口配置NX3和NX4。可根据要求提供自定义选项

  • 紫外线激光标记器V.0020-UV 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALLTEC
    波长: 355nm 输出功率: 400W

    FOBA V.0020-Uvultraviolet激光打标机可在敏感产品上应用高对比度标记。由于矢量扫描激光对产品表面进行光化学着色,激光打标产生的热量非常少,即使是高度敏感的产品和材料也不会受到损坏:从各种行业的飞机电缆和半透明或有色管,到侵入性应用的医用塑料或电子外壳的阻燃塑料,再到玻璃。V.0020-UV的典型脉冲持续时间为20 ns,光束直径为10µm,仅对表面着色(而不是使材料起泡),因此产品本身不会受损。这就是如何将能够消毒的永久性激光标记应用于医疗技术产品,如导管或胰岛素泵,这也是如何将花丝和明亮的激光标记应用于玻璃而不会使其破碎。使用V.0020-UVNOW,还可以对硅树脂或白色聚酰胺进行激光打标。正是这种标记高度敏感和以前无法标记的材料无损伤的能力,使FOBA的紫外激光打标机成为一种先锋。

  • veemax™ III with ATR CMOS图像传感器
    美国

    带有ATR的Veemax III提供连续可变的入射角和各种晶体板,以选择性地控制红外光束进入样品的穿透深度。该设计允许持续清洗(在样品装载时不会中断)和集成的偏振器插槽。ATR的应用包括研究分层样品、涂层、脱模剂、硅上的单层和化学迁移研究。电化学电池附件也可与Veemax一起使用。

  • 文丘里TLB-8800-H-CL 半导体激光器
    意大利
    调谐范围: 1520 - 1630 nm 扫频速度: 2000nm/sec 电源: 10dBm

    新型Focus™Venturi TLB-8800扫描波长激光器可实现这一切。它们将较佳的可调谐性(超快、超宽和无跳模)与低噪声、高精度和可重复性相结合。由于文丘里激光器基于我们屡获殊荣的设计,因此它们非常可靠,具有经过OEM验证的24/7可靠性。文丘里激光器是光纤传感、光纤和硅光子学测试、光谱学、激光播种和计量学的理想选择。文丘里TLB-8800是先进的扫描波长激光器,具有高达20,000 nm/秒的调谐速度和高频率重复率,可实现真正的实时测量。调谐速度、重复率、驻留时间和波长范围均可调节,以满足您的独特需求。除了波长扫描之外,文丘里管还能够以0.01nm的增量进行步进调谐。通过使用用户友好的GUI,前面板可轻松访问RS232和USB接口。

  • VGEN-G-10光纤激光器 激光器模块和系统
    美国
    厂商:MKS Instruments
    波长: 532nm 平均输出功率: 10W 脉宽: 3 - 20 ns 光束质量: 1.2 最大脉冲重复率: 600kHz

    Spectra Physics的VGEN-G系列脉冲绿光光纤激光器(532 nm)采用高端技术,可为太阳能电池、微加工、硅划片、精细加工、薄膜切割等精密密集型应用提供较好性能。VGEN-G激光器由MOPA配置的短脉冲线性偏振镱光纤激光器以及SHG(二次谐波产生)模块组成,提供高达30 W的输出功率。VGEN-G激光器提供高脉冲重复率(高达1.5 MHz),结合非常短的脉冲(可调低至3 ns)和高峰值功率,可实现高系统吞吐量,以实现较大工作效率。VGEN-G封装在符合工业标准的坚固组件中,并配有金属铠装光纤电缆,可提供高质量、近衍射极限的输出光束。

  • 西海岸科技有限公司平面凸透镜 光学透镜
    中国大陆
    分类:光学透镜
    厂商:West Coast Tech
    材料: BK7, FS, Si, Ge 直径: 25mm 镜头类型: Plano-Convex

    普莱诺凸透镜具有正焦距,会聚入射光,既有实像(如聚焦在一张纸上),也有虚像(如用作放大镜时通过透镜看到的)。它们广泛用于望远镜、准直器、光学收发器、放大镜、辐射计和聚光器。我们的普莱诺凸透镜通常使用BK7、熔融石英、锗、硅和其他光学玻璃材料。如此等等。

  • 宽动态范围传感器NSC0803-SI CMOS图像传感器
    传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.08MP # 像素 (H): 320 # 像素: 256 像素大小: 25um

    我们的NativeWide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的内部动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDRI可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs2D探测器(短波红外传感器)。NativeWDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供清晰锐利的图像,而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC0806 CMOS图像传感器
    传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.44MP # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 10um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC0902(C) CMOS图像传感器
    传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.44MP # 像素 (H): 768 # 像素: 576 像素大小: 5.6um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC1003(C) CMOS图像传感器
    传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 1.3MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 1024 像素大小: 6.8um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC1005(C) CMOS图像传感器
    传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.9MP # 像素 (H): 1280 # 像素: 720 像素大小: 5.6um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。

  • 宽动态范围传感器NSC1101-SI CMOS图像传感器
    传感器类型: CMOS, InGaAs 决议: 0.3MP # 像素 (H): 640 # 像素: 480 像素大小: 15um

    我们的原生Wide Dynamic Range™传感器基于新一代专利CMOS成像技术,即使在非常宽的场景内动态范围(>140dB)下,也能在单帧时间内生成高度稳定的图像。原生WDR可用于硅基器件(可见CMOS传感器),现在可用于InGaAs 2D探测器(短波红外传感器)。原生WDR™成像传感器即使在高工作温度(高于90ºC)下也能提供锐利清晰的图像,而不会产生像素伪像。