• 激光二极管FIDL-5S-770X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.770um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-770X是770nm AlGaAs/GaAs结构。通过MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-770X是一种连续单模注入半导体激光器。它由INSOT-242 5.6mm CAN交付,内置监控光电二极管以稳定输出功率和TO-3。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。精确的波长选择也允许在光谱设备中使用激光二极管如在各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-5S-775C-N 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.775um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-775C-N是775nm AlGaAs/GaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-775C-N是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-840X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.840um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的830-850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-840X是一款CW单模注入式半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6毫米封装,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-5S-850X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25ºC下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-850X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入式半导体激光二极管内置监控光电二极管的CAN可稳定输出功率。其设计可在宽温度范围(-60ºC+70ºC)内工作,这使其成为军事、空间和恶劣工业应用的较佳激光源。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-860X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.860um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-860X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-5S-870X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.870um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-870X是用MOCVD半导体激光器制作的870nmAlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-870X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-950X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-9500X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-650M-808E 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 650mW

    FIDL-650M-808E是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-650M-808E是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FJLD-100S-660-TO56-60TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 100mW

    FJLD-100S-660-TO56-60TX是为高输出功率应用而设计的660 nm 100mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管FJLD-100S-785-TO56-70TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 100mW

    FJLD-100S-785-TO56-70TX是一款785nm 100mW量子阱半导体激光器,专为高输出功率应用而设计。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管FJLD-120S-660-TO56-60TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 120mW

    FJLD-120S-660-TO56-60TX是专为高输出功率应用而设计的660 nm 120mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管fkld-100s-830-60-pd-x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 100mW

    FKLD-100S-830-60-PD-X是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-100S-830-60-PD-X是一款CW单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于目标指示、固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-100S-830-60-WPD 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 100mW

    FKLD-100S-830-60-WPD是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-100S-830-60-WPD是一种连续单横模注入半导体激光器。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-637-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-637-50X是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-637-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-637-50X-L 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-637-50X-L是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-637-50X-L是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-650-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-10s-650-70x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-670-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-670-60X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-670-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-670-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-670-70X是670nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-670-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-788-60-DB-14 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.788um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-788-60-DB-14是788nm AlGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-788-60-DB-14是一款CW单模注入半导体双光束激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。