FIDL-10S-950X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-950X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-970X是用MOCVD半导体激光器制作的970nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-970X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-980X是用MOCVD半导体激光器制作的980nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-980X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-1500M-808X是808nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-808X光源是CW多模注入半导体激光二极管。它是采用9mm TO外壳和TO-3封装，内置TEC、热敏电阻来控制激光二极管芯片的温度，并监控光电二极管以稳定输出功率。光学输出窗口由蓝宝石玻璃制成。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1500M-830X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的830nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-830X-TO3光源是连续多模式注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。光输出窗口是石英玻璃。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1500M-850X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-850X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。由蓝宝石玻璃制成的光学输出窗。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-1500M-860X-TO3是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1500M-860X-TO3光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻以稳定输出功率。由蓝宝石玻璃制成的光学输出窗。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-20S-905X是905nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-905X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-30S-1060X是1060nm AlInGaAs/AlGaAs多量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-1060X光源是连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-820X是820nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-820X光源是连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的840nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-840X光源是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-850X是850nm±10nm AlGaAs/GaAs单用MOCVD半导体激光器制作量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-850X光源是一个连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-870X是用MOCVD半导体激光器制作的870nm±10nm AlGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-870X光源是一种CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-894X是894nm AlGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-894A光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-905X是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-905X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光器适用于各种光电系统。

FIDL-30S-910X是用MOCVD半导体激光器制作的910nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-910X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-980X是980nm InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-980X光源是一种连续单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-665D是665nm AlGaInP/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-500M-665光源为连续多模注入半导体激光二极管。它采用9毫米外壳，集成PD和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-670C是670nm AlGaInP/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-670C光源为连续多模式注入半导体激光二极管。它是供应的9毫米外壳，集成PD和TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-500M-795X是795nm AlGaAs/GaAs量子阱MOCVD半导体激光器结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-795X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。