• 激光二极管FNLD-30S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 30mW

    FNLD-30S-1060D是用MOCVD方法制备的1035nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-30S-1060D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1014D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.014um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1014D是用MOCVD半导体激光器制作的1014nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1014D是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1022C 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.022um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1022C是用MOCVD半导体激光器制备的1022nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1022C是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1030D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.030um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1030D是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1030D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1045D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.045um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1045D是用MOCVD半导体激光器制备的1045nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1045D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1053D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.053um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1053d是用MOCVD半导体激光器制作的1053nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1053D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1060D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1060D是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1060D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1070D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.070um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1070D是用MOCVD半导体激光器制备的1070nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1070D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1082A 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.082um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1082A是用MOCVD半导体激光器制备的1082nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1080A是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1090D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.090um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1090D是用MOCVD半导体激光器制备的1090nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1090D是一款连续单横模注入半导体激光器,内置监测光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1300D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.300um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S-1300D是连续单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1550D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1550D是用MOCVD半导体激光器制作的1550nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-50S 1550D是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管 FNPL-10S-1590-FP 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.590um 输出功率: 10mW

    FNPL-10S-1590-FP是工作波长为1590nm的连续半导体激光二极管。它采用标准TO-5.6和TO-9封装,可选监控二极管以稳定功率输出,以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和蝶形封装。如有要求,可提供定制支架。

  • 激光二极管 FNPL-10S-1730-FP 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.730um 输出功率: 10mW

    FNPL-10S-1730-FP是CW半导体激光二极管。它采用标准SOT-148和TO-56封装,可选监控二极管以稳定功率输出,以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和TO-8封装。如有要求,可提供定制支架。

  • 激光二极管 FNPL-10S-2330-FP 半导体激光器
    德国
    中心波长: 2.330um 输出功率: 10mW

    FNPL-10S-2330-FP是工作波长为2330nm的连续半导体激光二极管。它采用标准TO-5.6和TO-9封装,可选监控二极管以稳定功率输出,以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和蝶形封装。如有要求,可提供定制支架。

  • 激光二极管 FNPL-12S-2300-FP 半导体激光器
    德国
    中心波长: 2.300um 输出功率: 12mW

    FNPL-12S-2300-FP是CW半导体激光二极管。它采用标准SOT-148和TO-56封装,可选监控二极管以稳定功率输出,以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和TO-8封装。如有要求,可提供定制支架。

  • 激光二极管 FNPL-15S-2540-FP 半导体激光器
    德国
    中心波长: 2.540um 输出功率: 15mW

    FNPL-15S-2540-FP是CW半导体激光二极管。它采用标准SOT-148和TO-56封装,可选监控二极管以稳定功率输出,以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和TO-8封装。如有要求,可提供定制支架。

  • 激光二极管 FNPL-1S-3100-FP 半导体激光器
    德国
    中心波长: 3.100um 输出功率: 1mW

    FNPL-1S-3100-FP是CW半导体激光二极管。它采用标准SOT-148和TO-56封装,可选监控二极管以稳定功率输出,以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和TO-8封装。如有要求,可提供定制支架。

  • 激光二极管 FNPL-1S-3640-DFB 半导体激光器
    德国
    中心波长: 3.640um 输出功率: 1mW

    FNPL-1S-3640-DFB是CW DFB半导体激光二极管。它采用标准的TO66封装,集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。如有要求,可提供定制支架。

  • 激光二极管 FNPL-5S-2000-FP 半导体激光器
    德国
    中心波长: 2.000um 输出功率: 5mW

    FNPL-5S-2000-FP是CW半导体激光二极管。它采用标准SOT-148和TO-56封装,可选监控二极管以稳定功率输出,以及集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-5和TO-8封装。如有要求,可提供定制支架。