• SLD266ZS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 785 to 800 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.6 to 2.3 V 工作电流: 0.02 to 0.035 A

    索尼公司的SLD266ZS是一款红外单片八光束激光二极管,工作波长为785至800 nm.每个光束都可以单独操作,发射器之间的间隔为30微米。它提供10 MW的输出功率,同时消耗高达35 mA的电流。激光二极管采用TO CAN封装,是激光打印机、数码复印机和激光束打印机的理想选择。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • Monsoon Series 模块化激光二极管棒 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 激光颜色: Infrared 堆栈/阵列: Array/Stack 类型: Free Space Laser Diode RoHS: Yes

    II-VI Incorporated的Monsoon系列是模块化激光二极管棒,工作波长为795至1060 nm.它们提供可堆叠的40/50 W棒材、80/100 W棒材和200 W棒材,以提供与应用相匹配的模块化灵活性。这些模块化棒可以使用紧凑的框架垂直堆叠,该框架可提供高达6 kW的功率、高达1600 W的功率(使用无框架)或高达300 W的功率(使用水平阵列)。它们的光谱宽度(FWHM)为2.5或5 nm,功率效率高达60%。Monsoon系列激光二极管条基于专有的E2前镜钝化工艺,即使在极高的输出功率下,也能防止激光二极管面的灾难性光学损伤(COD)。它们采用硬焊技术,可为要求苛刻的应用提供卓越的可靠性,并在CW或QCW工作条件下实现高功率输出,而不会牺牲使用寿命。这些激光二极管棒还具有主动季风微通道冷却器,以提供用于垂直和水平堆叠的可扩展平台。它们采用尺寸为38.9 X 10.9 mm X 10 mm的模块,非常适合固态激光泵浦、直接应用,如材料加工(塑料焊接、热处理、退火、硬化等)、印刷和复印、医疗、生命和健康科学、国防和安全以及照明应用。

  • SES22-9xx-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 22 W 激光颜色: Infrared 类型: Free Space Laser Diode

    II-VI SES22-9xx-01单发射器激光二极管系列旨在为下一代光纤激光器和其他高功率激光二极管应用的200mm纤芯光纤泵浦配置提供最高的输出功率和效率。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。单发射极激光二极管的P面朝下安装在优化的基台上,热阻非常低。该系列可提供915、940和975 nm的标准波长(其他可根据要求提供)。激光二极管是光纤激光器泵浦、材料加工、印刷和医疗应用的理想选择。

  • 905D1SxxUA-系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 输出功率: up to 75 W 工作电流: 3.5 to 22 A 阈值电流: 250 to 800 mA

    Laser Components的905D1SXXUA系列是高端/低成本脉冲激光二极管,可提供高达75 W的输出功率。这些905 nm PLD采用5.6 mm密封CD封装,可用于测距、速度监控、激光雷达、安全扫描仪和激光光幕或测试和测量系统。PLD提供高可靠性和温度稳定性,并且还实现了最佳的光束特性。

  • ADL-63054SA4 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Commercial, Industrial 芯片技术: AIGaInP 波长: 630 to 640 nm 输出功率: 7 mW 工作电压: 2.5 to 6 V

    Laser Components的ADL-63054SA4是一款自动功率控制(APC)可见激光二极管,工作波长为635 nm.它提供5mW的输出功率。这种AlGaInP激光二极管对高达10kV的静电放电不敏感,并在2.5至6.0VDC的电源电压下提供稳定的输出功率。它采用TO-CAN封装,是高精度测量仪器、勘测和工程仪器的理想选择。

  • QLF083A 半导体激光器
    日本
    厂商:QD Laser
    技术: Quantum Well 波长: 830 nm 输出功率: 220 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 225 mA

    QD Laser公司的QLF083A是一种法布里-珀罗(Fabry-Perot)量子阱激光二极管,工作波长为830 nm,斜率效率为1.1 W/A,峰值输出功率为220 MW.该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为18°。它需要大约2.3V的工作电压,并且具有38mA的阈值电流。激光二极管安装在包括监视器PD的TO-56接头中,并用平板玻璃帽密封。用于工业激光打标机、测量仪器、生命科学应用等。

  • L637G1 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    芯片技术: GaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 637 nm 输出功率: 1.2 W 工作电压: 2.5 to 2.9 V

    Thorlabs的L637G1是一款637 nm GaAs激光二极管,输出功率为1.2 W.这款紧凑型光源适用于各种应用,采用Ø9 mm封装和G引脚配置。该二极管的引线直径为0.6 mm,大于Ø9 mm封装的典型直径0.45 mm.这使得它与设计用于标准Ø9 mm TO-CAN封装的底座和插座不兼容。这种激光二极管发出高强度的可见光,可能对人眼有害。包含这些设备的产品必须遵循IEC 60825-1 “激光产品安全”中的安全预防措施。购买产品时随附一个插座,以协助焊接。

  • QF4050D3 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 3.90 to 4.20 µm 输出功率: 1.2 W 工作电流: 1000 to 1800 mA

    来自Thorlabs的QF4050D3是一款单空间模式、4050 nm Fabry-Perot量子级联激光器,可提供高达1.2瓦的输出功率。该激光器在室温下以连续波(CW)模式工作。QF4050D3安装在开放式散热器D型安装封装上,阴极和阳极均与散热器底座隔离。这种分立半导体激光器是一种适用于许多应用的紧凑型光源。集成了一个热敏电阻,用于温度监控。没有监控光电二极管。

  • DL-CLS259B-S1648 半导体激光器
    新加坡
    技术: Fiber-Bragg-Grating (FBG) 芯片技术: InGaAsP/InP 工作模式: CW / Pulsed Laser 波长: 1648 to 1650 nm 输出功率: 0 to 0.025 W

    Denselight的DL-CLS259B-S1648是一款脉冲激光二极管,工作波长为1648 nm.该激光器提供高达25 MW的脉冲单模输出功率。它基于内置光纤布拉格光栅的外腔激光器,提供非常稳定的激射波长性能、窄的光谱线宽和45 dB的出色边模抑制比(SMSR)。二极管激光器具有内部热电冷却器和热敏电阻。该器件采用带SMF-28尾纤的14引脚蝶形封装,适合OTDR、光学测量仪器、光学气体和化学传感器应用。

  • VPSL-0830-050-x-5-A/B 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 820 to 840 nm 输出功率: 0.05 W 工作电压: 1.9 to 2.4 V 工作电流: 75 to 100 mA

    Blue Sky Research的VPSL-0830-050-X-5-A/B是一款工作波长为820至840 nm的GaAlAs激光二极管。它提供50 MW的连续波光输出功率,并具有用于监控的内置光电二极管。激光二极管的反向电压为2 V,击穿电压为30 V.它需要1.9 V的直流电源和75 mA的电流。该激光器产生具有衍射限制性能的圆形光束,并基于Blue Sky Research的µLens技术。它采用5.6英寸密封封装,非常适合激光打印机、测量设备、自由空间光通信和其他基于激光的光学系统等应用。

  • 1064纳米RIO PLANEX 半导体激光器
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1062 to 1066 nm 输出功率: 0.01 W 工作电流: 0.14 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    Rio公司的Rio Planex是一种外腔激光器,工作波长为1064nm.该单频激光器可提供高达10 MW的输出功率,并具有低于50 dB的出色单模抑制比(SMSR)。该激光器具有极低的RIN(-135 dB/Hz)、低相位噪声和窄线宽(15 kHz)。Rio Planex采用14引脚蝶形封装,提供SMF和PM尾纤选择。它适用于光纤和固态激光器、二次谐波产生(SHG)、光学参量振荡器(OPO)、激光光谱学、激光雷达和其他精密计量应用。

  • PLANEXTM 半导体激光器
    应用行业: Metrology, Infrastructure, Security, Wind, Oil & Gas 技术: Fiber-Bragg-Grating (FBG) 工作模式: CW Laser 波长: 1530 to 1565 nm 输出功率: 10 to 20 mW

    Redfern Integrated Optics的Planex™是一款中心波长为1530至1565 nm的光纤耦合外腔激光器(ECL)。它提供高达20 MW的功率,并具有40 dB的光隔离。单频激光器支持CW、调制和脉冲操作,并且具有30pm的波长调谐范围和从DC到200kHz的调制带宽。该激光器具有低相位噪声和小于1kHz的窄线宽。它具有集成增益芯片和包括布拉格光栅的平面光波电路(PLC)。该激光器适用于遥感、分布式温度、应变或声学光纤监测、高分辨率光谱学、激光雷达和精密计量应用。

  • MCC02-80-808 半导体激光器
    美国
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 80 W 工作电压: 2 V 工作电流: 88 A

    阿波罗仪器公司(Apollo Instruments)的MCC02-80-808是一种工作波长为808 nm的主动冷却激光二极管棒。这种微通道水冷激光器可提供高达80 W CW的输出功率。它是医学、光纤激光器泵浦、热处理和选择性焊接应用的理想选择。

  • H11系列 半导体激光器
    美国
    厂商:Lumentum
    技术: Distributed Feedback (DFB) 波长: 980 nm 输出功率: up to 250 mW 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    Lumentum的H11系列是激光泵模块,在980 nm下工作时可提供高达250 MW的功率。它们采用Lumentum独特的980nm分布式反馈激光器芯片,该芯片将高功率激光器和光栅集成到单个高可靠性激光器芯片中。即使在温度、驱动电流和光学反馈变化的情况下,它也能提供无噪声的窄带光谱。这些非制冷(0至75摄氏度)激光器采用3引脚平面封装,尺寸为14.0 X 4.8 X 3.2 mm.这些模块符合Telcordia GR-468-CORE标准,可满足电信行业的严格要求,适用于小尺寸和可插拔EDFA、高比特率、低信道数EDFA、CATV分配、高比特率收发器模块(CFP2、CFP4)内的集成放大应用。

  • b2-808-3000-xxx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    应用行业: Medical 技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 3 W

    Sheaumann Laser的B2-808-3000是一款连续波激光二极管,工作波长为808 nm.该激光二极管提供3 W的光输出功率,斜率效率为1 W/A.它具有电压为2.3 V的内部TEC,电流高达3.3 A,需要0.3 A的阈值电流。该多模式激光二极管是电隔离的,具有内部热敏电阻和PD.它采用密封的14针蝶形封装,提供多种光纤和连接器选项,是拉曼光谱、激光治疗、激光泵浦、标记、印刷、医疗和国防应用的理想选择。

  • cmc-785-1000-1xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    技术: Fabry-Perot (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 785 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V

    Sheaumann Laser的CMC-785-1000-1是一种激光二极管,工作波长为785nm.它提供了1W的连续波输出功率,并具有1W/A的斜率效率。这种多模激光二极管在FWHM处具有25°(垂直远场)和8°(水平远场)的光束发散角。它需要400 mA的阈值电流,并消耗1.3 A的电流。该激光二极管具有100μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-0500-0xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0.5 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 0.54 to 0.6 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-0500-0是一种工作波长为808 nm的激光二极管。该激光器连续输出功率为0.5W,斜率效率为1W/A,在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要80 mA的阈值电流,并消耗0.54 A的电流。该激光二极管具有50μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-1000-0xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 1.1 to 1.3 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-1000-0是一款工作波长为808 nm的激光二极管。它的连续输出功率为1W,斜率效率为1W/A.这种多模激光二极管在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要160 mA的阈值电流,并消耗1.1 A的电流。该激光二极管具有50μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、打标、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。

  • cmc-808-1500-0xx 半导体激光器
    美国
    厂商:Sheaumann Laser
    工作模式: CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 1.5 W 工作电压: 1.9 to 2.2 V 工作电流: 1.6 to 1.8 A

    Sheaumann Laser的CMC-808-1500-0是一款工作波长为808 nm的激光二极管。该激光器连续输出功率为1.5W,斜率效率为1W/A,在FWHM处的发散角为30°(垂直远场)和8°(水平远场)。它需要170 mA的阈值电流,并消耗1.6 A的电流。该激光二极管具有50μm的发射器和可选的微透镜。该器件采用Cu基板封装,具有超低和高AR涂层选项,是国防、激光泵浦、激光治疗、医疗、印刷和拉曼光谱应用的理想选择。