• LNCQ28MS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 656 to 665 nm 输出功率: 0.1 to 0.35 W 工作电压: 2 to 3 V

    Panasonic公司的LNCQ28MS01WW是一种MOCVD制造的激光二极管,具有多量子阱结构,工作波长为655至665nm.它提供高达350 MW的脉冲输出功率,工作温度范围为-10至+85°C.激光二极管的脉冲宽度高达40 ns,占空比高达33%。它需要2至3 V的直流电源,功耗为165 mA.激光二极管具有7.5至13度的平行光束发散度和13至19.5度的垂直光束发散度。它采用TO-56 CAN封装,非常适合用于光盘驱动器、传感、分析、测量和农业应用。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • ASM232P200 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Industrial, Scientific 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 2 V

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ASM232P200是一个工作波长为808nm的激光二极管子模块。它产生200W(每巴)的最小QCW(准连续波)输出功率,并且具有2.5nm的光谱宽度。这种激光二极管是基于专有的硬焊料技术与扩展匹配的材料。它具有15 A的阈值电流,并提供长脉冲和/或高占空比。该激光二极管需要2 V的直流电源并消耗180 A的电流。它采用Golden Bullet封装,尺寸为394 X 250 X 68 mm,是材料加工、Ti:S泵浦、激光雷达、激光切割和激光喷丸应用的理想选择。

  • CM97A1064BFBG 半导体激光器
    波长: 1064 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 光纤布拉格光栅 (FBG) 工作模式: CW/脉冲

    II-VI Incorporated的CM97A1064BFBG是波长为1064±2nm的超宽带激光二极管,CW模式输出功率为550-650mW,脉冲模式输出峰值功率为1.2-1.4W,工作电压为1.7-2.5V,阈值电流为40-80mA,可应用于光纤激光器和传感技术。有关CM97A1064BFBG的更多详细信息,请联系我们。

  • CM97A1064NFBG 半导体激光器
    波长: 1064 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 光纤布拉格光栅 (FBG) 工作模式: CW/脉冲

    来自II-VI Incorporated的CM97A1064NFBG是波长为1064±1nm的窄线宽激光二极管,CW模式输出功率为600-700mW,脉冲模式输出峰值功率为1.2W-1.4W,工作电压为1.7-2.5V,阈值电流为40-80mA.有关CM97A1064NFBG的更多详细信息,请联系我们。

  • CMDFB1030A 半导体激光器
    波长: 1030 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 分布式反馈(DFB) 工作模式: CW/脉冲

    来自II-VI Incorporated的CMDFB1030A是波长稳定高功率单频单模激光器模块,设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。波长为1030±2nm的激光二极管,CW输出功率150-200mW,脉冲输出功率300-800mW,可应用于光纤激光系统,频率转换,光谱学。有关CMDFB1030A的更多详细信息,请联系我们。

  • CMDFB1064A 半导体激光器
    波长: 1063.5 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 分布式反馈 (DFB) 工作模式: CW/脉冲

    来自II-VI Incorporated的CMDFB1064A是波长稳定高功率单频单模激光器模块,设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。波长为1063.5±2nm的激光二极管,CW输出功率150-200mW,脉冲输出功率300-800mW,可应用于光纤激光系统,频率转换,光谱学。有关CMDFB1064A的更多详细信息,请联系我们。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • V940-8904-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 7 to 110 W 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL(激光器)阵列,工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流,这降低了电感对上升时间的影响,最大限度地减少了电磁干扰(EMI),并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机(移动、物联网)应用的理想选择。

  • RLD90QZW3 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 工作电压: 16 to 22 V 工作电流: 30 A 阈值电流: 900 mA

    Rohm Semiconductor的RLD90QZW3是一种不可见的脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它提供了75W的峰值脉冲输出功率,脉冲宽度为50ns.该激光二极管的光束发散度为10度(平行)和25度(垂直),发射点精度为±150μm.其孔径尺寸为225×10μm.这款激光二极管需要16 V直流电源,阈值电流为0.9 A.它采用Ø5.6 mm TO-CAN封装,非常适合TOF传感器、测距仪、自动导引车(AGV)和安保应用。

  • RLD90QZW8 半导体激光器
    日本
    波长: 905 nm 输出功率: 120 W 工作电压: 16 V 阈值电流: 1 A 类型: Free Space Laser Diode

    Rohm的RLD90QZW8是一款脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它产生峰值输出功率为120W的窄光发射图案,并且具有±150μm的发射点精度。该激光二极管的孔径为270×10μm,光束发散度为10度(平行)和25度(垂直)。阈值电流为1 A,正向电压为16 V,正向电流为42 A.该激光二极管采用φ5.6mm CAN封装,非常适合车载激光雷达、自动导引车(AGV)、TOF传感器和安防应用。

  • 850D1S09X 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Commercial, Military 芯片技术: AlGaAs 工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 13 W

    Laser Components的850D1S09X是一款AlGaAs脉冲激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为13W,效率为0.9W/A.该激光二极管的光谱带宽为5.5nm,光束扩展为10.5度(平行)和20度(垂直)。它的发射面积为225 X 1μm,脉冲宽度为150 ns.这款激光二极管的正向电压为3 V,最大正向电流为18 A.它采用密封和定制设计封装,非常适合测距、测量设备、武器模拟、激光雷达、安全屏障和光学触发应用。

  • 905D1SxxUA-系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 输出功率: up to 75 W 工作电流: 3.5 to 22 A 阈值电流: 250 to 800 mA

    Laser Components的905D1SXXUA系列是高端/低成本脉冲激光二极管,可提供高达75 W的输出功率。这些905 nm PLD采用5.6 mm密封CD封装,可用于测距、速度监控、激光雷达、安全扫描仪和激光光幕或测试和测量系统。PLD提供高可靠性和温度稳定性,并且还实现了最佳的光束特性。

  • ADL-83Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Laser 波长: 830 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V

    ADL-83Y51TL是一种低成本解决方案,适用于任何需要具有纵向单模光束轮廓的强大NIR激光二极管的应用,例如相机支持的手势控制。二极管在830nm的NIR范围内发射,并且具有250mW的CW功率。在脉冲操作中,它可以过驱动到高达500 MW.该器件采用紧凑的TO-56密封外壳,允许工作温度高达60°C.该器件配有集成式监控光电二极管,用于功率控制和稳定。激光二极管是光源和工业应用的理想选择。

  • GS-905系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Scientific, Industrial, Military 工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 输出功率: 15 to 89 W 工作电压: 15 to 80 V

    Laser Components的GS-905系列是905 nm三结脉冲激光二极管,可提供80 W的输出功率。它们的脉冲宽度为2.5 ns,脉冲频率高达200 kHz.这些激光二极管采用密封TO-56封装,是快速可靠的激光测距应用(LIDAR)和扫描仪的理想选择,适用于安全、航空航天和汽车应用。该模块在小型密封封装内集成了大电流开关、电荷存储电容器和脉冲激光二极管。该封装有一个独立于信号和电源回路的接地引脚。

  • QS-905系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed 波长: 905 nm 输出功率: 12 to 89 W 工作电压: 15 to 80 VDC 类型: Free Space Laser Diode

    来自Laser Components的QS-905系列是905 nm三结脉冲激光二极管,提供高达80 W的输出功率。它具有2.5 ns的脉冲宽度和高达200 kHz的脉冲频率。这款超紧凑模块在小型密封封装内包含高电流开关、电荷存储电容器和脉冲激光二极管。它采用TO-56封装(5引脚),非常适合激光雷达、激光扫描、军事、机器人和汽车应用。该封装有一个独立于信号和电源回路的接地引脚。

  • PulseLife G-stack 半导体激光器
    美国
    厂商:相干公司
    巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Quasi-CW Laser 波长: 808 nm 工作电流: 220000 mA 阈值电流: 30 mA

    来自Coherent的PulseLife G-Stack是工作在808nm的激光堆栈。这些垂直传导冷却激光器采用Coherent专有的PulseLife硬焊技术,可提供超过200W/bar的准CW输出功率,占空比为4%,脉冲宽度为500微秒。它们具有很高的工作温度,可靠性超过109次。激光堆栈采用标准封装,单个堆栈中有2至16个二极管激光棒。这些激光器堆具有400微米的条到条间距,并且需要30A的阈值电流。

  • LU0977M250。 半导体激光器
    德国
    厂商:Lumics GmbH
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 976 to 978 nm 输出功率: 0.25 W 工作电压: 1.7 to 1.8 V 工作电流: 0.44 to 0.54 A

    LUMICS的LU0977M250是一款单模光纤尾纤GaAs激光二极管模块,工作峰值波长为977 nm.它在CW/脉冲模式下工作,光谱宽度(FWHM)高达1 nm,上升/下降时间为2 ns.该激光二极管模块的阈值电流为65mA,正向电压为1.67V,功耗高达250mW.该器件采用激光焊接密封封装,尺寸为29.7 X 7.37 X 4.9 mm,非常适合泵浦、光纤激光器播种机、倍频和传感器应用。

  • L405G2 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Fabry-Perot (FP), Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW / Pulse Laser 波长: 404 to 406 nm 输出功率: up to 35 mW 工作电压: 4.9 to 5.7 V

    Thorlabs的L405G2是一款405 nm、35 MW激光二极管,适用于各种应用,如荧光和光谱测量、流式细胞术、成像和显微镜以及材料加工。该二极管采用Ø3.8 mm TO CAN封装,具有G引脚配置,由MOCVD生长而成,可在CW或脉冲模式下工作,并经过优化,可在0至90 C的宽温度范围内产生高效激光。每个L405G2都经过测试,以确保中心波长容差为±1 nm.

  • DL-CLS259B-S1648 半导体激光器
    新加坡
    技术: Fiber-Bragg-Grating (FBG) 芯片技术: InGaAsP/InP 工作模式: CW / Pulsed Laser 波长: 1648 to 1650 nm 输出功率: 0 to 0.025 W

    Denselight的DL-CLS259B-S1648是一款脉冲激光二极管,工作波长为1648 nm.该激光器提供高达25 MW的脉冲单模输出功率。它基于内置光纤布拉格光栅的外腔激光器,提供非常稳定的激射波长性能、窄的光谱线宽和45 dB的出色边模抑制比(SMSR)。二极管激光器具有内部热电冷却器和热敏电阻。该器件采用带SMF-28尾纤的14引脚蝶形封装,适合OTDR、光学测量仪器、光学气体和化学传感器应用。