• EPEE-8 激光器模块和系统
    美国
    厂商:Elixir Photonics
    类型: Laser System 技术: Solid State Laser 工作模式: CW/Pulsed Laser 超快激光: Picosecond Lasers 波长: 1064 nm

    Elixir Photonics的EPEE-8是一款工业皮秒激光器,输出功率超过8 W,脉冲能量超过80µJ,脉冲持续时间低于15 PS,工作波长为1064 nm.它的脉冲重复频率为单脉冲至2 MHz.该激光器模块尺寸为620 X 340 X 140 mm,是半导体切割、薄膜切割和科学应用的理想选择。

  • EPEE-G15 激光器模块和系统
    美国
    厂商:Elixir Photonics
    类型: Laser System 技术: Solid State Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Picosecond Lasers 波长: 532 nm

    Elixir Photonics的EPEE-G15是一款工业皮秒绿色激光器,输出功率超过15 W,脉冲能量超过100µJ,脉冲持续时间低于15 PS,工作波长为532 nm.它的脉冲重复频率为2 MHz.该激光器采用模块化设计,是半导体切割、薄膜切割和科学应用的理想选择。

  • ISV850-004 半导体激光器
    英国
    厂商:ISOCOM Limited
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 波长: 840 to 870 nm 输出功率: 0.004 W 工作电压: 2.5 V 工作电流: 0.009 A

    ISOCOM的ISV850系列是2D VCSEL激光二极管,专为手势识别和3D相机应用而设计。这些激光二极管封装在TO-46罐中,带有2D VCSEL,能够在室温下提供超过500mW的CW功率。预期用途为短电脉冲(<10ns)和低占空比(<1%),峰值功率可达10W.在脉冲操作中,2D阵列发射高斯形状的光束,并且能够具有小于1纳秒的上升和下降时间。

  • APF系列 半导体激光器
    应用行业: Defense, Space 技术: QCW 输出功率: Up to 600 W 工作电压: 10 to 12 V 工作电流: 100 A

    Quantel Laser的APF系列是光纤耦合QCW激光二极管堆栈,工作波长为808、915、940和980 nm.它们提供高达600W的光输出功率,并且具有超过45%的效率。这些激光二极管具有5nm的光谱宽度和高达250μs的脉冲宽度。它们需要10-12 V的直流电源,电流消耗小于100 A.这些激光二极管具有现场可更换的光纤电缆,并提供高耦合效率。它们采用尺寸为38.5 X 80 X 56 mm的模块,是光泵浦、医疗、工业、国防和空间应用的理想选择。

  • HF系列 半导体激光器
    应用行业: Medical, Industrial 工作模式: Quasi-CW Laser 波长: 808 nm 输出功率: 150 W 工作电压: 2.5 V

    Quantel Lasers的HF系列是光纤耦合QCW激光二极管条模块,工作波长为808 nm.它们提供150W的脉冲输出功率,脉冲宽度为200μs,脉冲重复频率为80-400Hz.这些激光二极管的效率超过40%。它们具有纤芯直径为0.6毫米、长度为2米的光纤。这些激光二极管采用紧凑的抗震封装,尺寸为21 X 100 X 34 mm,带有SMA 905连接器,是医疗、光泵浦和工业应用的理想选择。

  • EYP-BAL-0808-00020-1540-SOT23-0016 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 20 W 阈值电流: 0 to 2000 mA 激光增益介质: GaAs

    来自Eagleyard的EYP-BAL-0808-00020-1540-SOT23-0016是工作在808nm波长的多模脉冲激光二极管。它提供高达20 W的CW功率,脉冲持续时间为500µs.宽区域激光器需要2000mA的阈值电流。它采用TO-CAN封装,适用于空间和国防、材料加工、医疗和激光雷达或固态激光泵浦等领域的传感应用。

  • EYP-BAL-0808-00020-4020-FLW01-0010 半导体激光器
    德国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 793 to 823 nm 输出功率: 20 W 工作电压: 4 V 工作电流: 21 A

    Eagleyard的EYP-BAL-0808-00020-4020-FLW01-0010是一款808nm宽面积多模激光二极管,专为传感应用而设计。它提供20瓦的脉冲输出功率,重复频率为40 kHz.该激光器用于空间和国防应用、材料加工、医疗应用、激光雷达或固态激光泵浦中的传感。多模激光二极管在空间和纵向上以多模方式工作。

  • TO56迷你型 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 8 to 15 W 工作电压: 7.3 to 8.6 V

    Seminex Corporation的TO56 Mini是一款激光二极管,工作波长为1250 nm和1550 nm.它提供了15W的脉冲输出功率,并且具有28.8nm的光谱宽度(FWHM)。这款激光二极管采用紧凑型56英寸封装,带有1.9 mm底座和可选的2.8 mm电容。它是OEM医疗、专业医疗、激光雷达、军事和照明应用的理想选择。

  • TO56m-100-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 8 W

    Seminex的TO56M-100-173是一款输出波长为1250 nm的脉冲激光二极管。它产生8W的脉冲输出功率,脉冲宽度为150ns(占空比为0.1%)。这种单/多模激光二极管的斜率效率为0.2W/A,腔长为1500μm.它具有30度(垂直)的快轴划分和10度(平行)的慢轴划分。激光二极管需要7.3 V直流电源,阈值电流高达1 A.它采用TO56封装,尺寸为50 X 1μm,非常适合OEM和专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • TO56m-100 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 11 W

    Seminex公司的TO56M-100是一种高功率脉冲激光二极管,工作波长为1250nm,光谱宽度为15nm.它提供11W的光输出功率。该激光二极管具有10度的平行光束发散角和30度的垂直光束发散角。TO56M-100的阈值电流为1 A,驱动电流约为29 A,正向电压为8.5 V.它采用紧凑型TO56封装,带有1.9mm底座和可选的2.8mm电容。这款激光二极管是OEM医疗、消费医疗、激光雷达、军事定位、测距和照明应用的理想选择。

  • TO56m-200-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 13 W

    Seminex的TO56M-200-173是一款工作波长为1250 nm的红外激光二极管。该激光器的脉冲输出功率为13W,斜率效率为0.2W/A,快轴发散角为30°(FWHM),慢轴发散角为14°(FWHM)。它需要7.9 V的直流电源,功耗高达35 A.该激光二极管采用TO56封装,适用于军事/航空航天、激光雷达、OEM医疗、专业医疗和照明应用。

  • LNCQ28MS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 656 to 665 nm 输出功率: 0.1 to 0.35 W 工作电压: 2 to 3 V

    Panasonic公司的LNCQ28MS01WW是一种MOCVD制造的激光二极管,具有多量子阱结构,工作波长为655至665nm.它提供高达350 MW的脉冲输出功率,工作温度范围为-10至+85°C.激光二极管的脉冲宽度高达40 ns,占空比高达33%。它需要2至3 V的直流电源,功耗为165 mA.激光二极管具有7.5至13度的平行光束发散度和13至19.5度的垂直光束发散度。它采用TO-56 CAN封装,非常适合用于光盘驱动器、传感、分析、测量和农业应用。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • ASM232P200 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Industrial, Scientific 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 2 V

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ASM232P200是一个工作波长为808nm的激光二极管子模块。它产生200W(每巴)的最小QCW(准连续波)输出功率,并且具有2.5nm的光谱宽度。这种激光二极管是基于专有的硬焊料技术与扩展匹配的材料。它具有15 A的阈值电流,并提供长脉冲和/或高占空比。该激光二极管需要2 V的直流电源并消耗180 A的电流。它采用Golden Bullet封装,尺寸为394 X 250 X 68 mm,是材料加工、Ti:S泵浦、激光雷达、激光切割和激光喷丸应用的理想选择。

  • CM97A1064BFBG 半导体激光器
    波长: 1064 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 光纤布拉格光栅 (FBG) 工作模式: CW/脉冲

    II-VI Incorporated的CM97A1064BFBG是波长为1064±2nm的超宽带激光二极管,CW模式输出功率为550-650mW,脉冲模式输出峰值功率为1.2-1.4W,工作电压为1.7-2.5V,阈值电流为40-80mA,可应用于光纤激光器和传感技术。有关CM97A1064BFBG的更多详细信息,请联系我们。

  • CM97A1064NFBG 半导体激光器
    波长: 1064 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 光纤布拉格光栅 (FBG) 工作模式: CW/脉冲

    来自II-VI Incorporated的CM97A1064NFBG是波长为1064±1nm的窄线宽激光二极管,CW模式输出功率为600-700mW,脉冲模式输出峰值功率为1.2W-1.4W,工作电压为1.7-2.5V,阈值电流为40-80mA.有关CM97A1064NFBG的更多详细信息,请联系我们。

  • CMDFB1030A 半导体激光器
    波长: 1030 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 分布式反馈(DFB) 工作模式: CW/脉冲

    来自II-VI Incorporated的CMDFB1030A是波长稳定高功率单频单模激光器模块,设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。波长为1030±2nm的激光二极管,CW输出功率150-200mW,脉冲输出功率300-800mW,可应用于光纤激光系统,频率转换,光谱学。有关CMDFB1030A的更多详细信息,请联系我们。

  • CMDFB1064A 半导体激光器
    波长: 1063.5 nm RoHS: Yes 类型: 光纤耦合激光二极管 技术: 分布式反馈 (DFB) 工作模式: CW/脉冲

    来自II-VI Incorporated的CMDFB1064A是波长稳定高功率单频单模激光器模块,设计用于脉冲窄带宽光纤激光器和直接变频应用。波长为1063.5±2nm的激光二极管,CW输出功率150-200mW,脉冲输出功率300-800mW,可应用于光纤激光系统,频率转换,光谱学。有关CMDFB1064A的更多详细信息,请联系我们。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • V940-8904-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 7 to 110 W 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL(激光器)阵列,工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流,这降低了电感对上升时间的影响,最大限度地减少了电磁干扰(EMI),并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机(移动、物联网)应用的理想选择。