• QLD-795-150S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 796 nm 输出功率: 0 to 0.1538 W 工作电压: 2.03 V

    Qphotonics公司的QLD-795-150S是波长为796nm的激光二极管,输出功率为0~0.1538W,工作电压为2.03V,工作电流为0.18 1~0.199A,阈值电流为44mA.有关QLD-795-150S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-808-500M 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 811 nm 输出功率: 0 to 0.5 W 工作电压: 2.55 V

    Qphotonics公司的QLD-808-500M是一种波长为811 nm的激光二极管,输出功率为0~0.5 W,工作电压为2.55 V,工作电流为0.6~0.6 A,阈值电流为100 mA.有关QLD-808-500M的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-820-100S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 821.1 nm 输出功率: 0 to 0.1 W 工作电压: 1.96 V

    Qphotonics公司的QLD-820-100S是波长为821.1nm的激光二极管,输出功率为0~0.1W,工作电压为1.96V,工作电流为0.17 3~0.19A,阈值电流为48mA.有关QLD-820-100S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-830-150S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 826.5 nm 输出功率: 0 to 0.1 W 工作电压: 1.9 V

    来自Qphotonics的QLD-830-150S是波长为826.5nm、输出功率为0至0.1W、工作电压为1.9V、工作电流为0.18 7至0.205A、阈值电流为34mA的激光二极管。有关QLD-830-150S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-835-100S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 833.3 nm 输出功率: 0 to 0.1005 W 工作电压: 1.92 V

    Qphotonics公司的QLD-835-100S是波长为833.3nm的激光二极管,输出功率为0~0.1005W,工作电压为1.92V,工作电流为0.156~0.172A,阈值电流为56mA.有关QLD-835-100S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-840-200S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 839.3 nm 输出功率: 0 to 0.1997 W 工作电压: 2.15 V

    QLD-840-200S是Qphotonics公司生产的波长为839.3nm的半导体激光器,输出功率为0~0.1997W,工作电压为2.15V,工作电流为0.265~0.292A,阈值电流为54mA.有关QLD-840-200S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-850-150S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 847.6 nm 输出功率: 0 to 0.1514 W 工作电压: 1.94 V

    Qphotonics公司的QLD-850-150S是波长为847.6nm的激光二极管,输出功率为0~0.1514W,工作电压为1.94V,工作电流为0.16 1~0.177A,阈值电流为30mA.有关QLD-850-150S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-920-50S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 919.4 nm 输出功率: 0 to 0.0502 W 工作电压: 1.71 V

    Qphotonics公司的QLD-920-50S是波长为919.4nm的激光二极管,输出功率为0~0.0502W,工作电压为1.71V,工作电流为0.11 4~0.125A,阈值电流为46mA.有关QLD-920-50S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-960-150S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 961.6 nm 输出功率: 0 to 0.1498 W 工作电压: 1.52 V

    来自Qphotonics的QLD-960-150S是波长为961.6nm的激光二极管,输出功率为0至0.1498W,工作电压为1.52V,工作电流为0.17 1至0.188A,阈值电流为34mA.有关QLD-960-150S的更多详细信息,请联系我们。

  • QLD-980-300S 半导体激光器
    美国
    厂商:QPhotonics
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 976.3 nm 输出功率: 0 to 0.3001 W 工作电压: 1.67 V

    Qphotonics公司的QLD-980-300S是波长为976.3nm的激光二极管,输出功率为0~0.3001W,工作电压为1.67V,工作电流为0.325~0.358A,阈值电流为42mA.有关QLD-980-300S的更多详细信息,请联系我们。

  • 1310纳米法布里-珀罗激光器 半导体激光器
    美国
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1310 nm 输出功率: 0.0005 to 0.002 W 阈值电流: 6 to 15 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1310nm Fabry-Perot激光器是波长为1310nm、输出功率为0.0005至0.002W、阈值电流为6至15mA、输出功率(CW)为0.0005至0.002W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

  • 1330系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1310 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 30 mA

    OSI Laser Diode,Inc.的1330系列是一款激光二极管,波长为1310 nm,输出功率为0.18 W,工作电压为1.2至1.6 V,阈值电流为30 mA,输出功率(CW)为0.18 W.1330系列的更多详情见下文。

  • 1530系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 35 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1530系列是波长为1550 nm、输出功率为0.18 W、工作电压为1.2至1.6 V、阈值电流为35 mA、输出功率(CW)为0.18 W的激光二极管。

  • 1630系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1625 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 45 mA

    来自OSI Laser Diode,Inc.的1630系列是波长为1625 nm、输出功率为0.18 W、工作电压为1.2至1.6 V、阈值电流为45 mA、输出功率(CW)为0.18 W的激光二极管。

  • SCW 1650系列 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 1650 nm 输出功率: 0.18 W 工作电压: 1.2 to 1.6 V 阈值电流: 45 mA

    OSI Laser Diode的SCW1650系列是SMF耦合激光模块,旨在满足光学测试设备市场的性能需求。它们在1640至1665 nm范围内工作时提供超过180 MW的光功率。这些模块采用全密封激光焊接封装,是OTDR仪器、光谱学和光子计数应用的理想选择。这些封装的激光器可以包括TEC和温度传感热敏电阻以及背面监视器,以在宽温度范围内实现卓越的波长稳定性。

  • CVB 450-TO56R 半导体激光器
    美国
    芯片技术: GaN 工作模式: Pulsed Laser 波长: 450 nm 输出功率: 0 to 2 W 工作电压: 6 V

    来自OSI Laser Diode的CVB 450-TO56R是一个激光二极管模块,是一个以3针同轴格式封装的450 nm GaN激光二极管。激光二极管与200/230/500um光纤尾纤光学耦合。该装置包括ESD保护二极管。CVB 450-TO56R激光二极管模块专为需要脉冲光功率的非制冷光学计量应用而设计。它符合RoHS标准。

  • CVD 163 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 35 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 163是波长为905nm、输出功率为35W、输出功率(CW)为35W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 165 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 60 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 165是波长为905nm、输出功率为60W、输出功率(CW)为60W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 167 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 100 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 167是波长为905nm、输出功率为100W、输出功率(CW)为100W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。

  • CVD 206 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 860 nm 输出功率: 30 W 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 206是波长为860nm、输出功率为30W、输出功率(CW)为30W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。