FIDL-5S-760X是760nm AlGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-760X是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-242 5.6mm封装，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用TO-3封装。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。激光二极管适用于氧气检测以及其他各种光电系统。

FIDL-5S-770X是770nm AlGaAs/GaAs结构。通过MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-770X是一种连续单模注入半导体激光器。它由INSOT-242 5.6mm CAN交付，内置监控光电二极管以稳定输出功率和TO-3。集成TEC、热敏电阻和监控光电二极管的窗口封装。精确的波长选择也允许在光谱设备中使用激光二极管如在各种光电系统中。

FIDL-5S-775C-N是775nm AlGaAs/GaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-775C-N是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-795X是795nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-795X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-800X是800nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-800X是一款CW单模注入半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-808X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-830X是830nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-830X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的830-850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-840X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6毫米封装，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-5S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25ºC下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-850X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入式半导体激光二极管内置监控光电二极管的CAN可稳定输出功率。其设计可在宽温度范围（-60ºC+70ºC）内工作，这使其成为军事、空间和恶劣工业应用的较佳激光源。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-860X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-5S-870X是用MOCVD半导体激光器制作的870nmAlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-870X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-905X是905nm InGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。在25 C下的预期寿命超过5000小时。FIDL-5S-905X是一种采用SOT-242 5.6mm的CW单模注入半导体激光二极管内置监控光电二极管，可稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-5S-940X是940nm InGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-940X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-9500X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-960X是960nm InGaAs/GaAs多量子阱MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-960X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-650M-808E是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-650M-808E是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FJLD-100S-660-TO56-60TX是为高输出功率应用而设计的660 nm 100mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。

FJLD-100S-785-TO56-70TX是一款785nm 100mW量子阱半导体激光器，专为高输出功率应用而设计。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。

FJLD-120S-660-TO56-60TX是专为高输出功率应用而设计的660 nm 120mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。

FKLD-100S-830-60-PD-X是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-100S-830-60-PD-X是一款CW单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于目标指示、固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。