我们的Microchip系列的SB1-1064-2-100是一款短纳秒脉冲、2uJ、低SWAP、超紧凑、100 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Microchip系列可在1064、946、532、473、355、266和236.5nm下使用，能够产生窄线宽的单频操作，M^2<1.3，脉冲间不稳定性<3%。Microchip系列标配MLD-019激光控制器，可提供高度监测和控制以及实时反馈。Microchip激光器系列可进行定制，以满足各种应用要求。Microchip激光器系列目前在该领域拥有超过3，000台设备，已被证明是一种多功能、可靠的激光器解决方案，适用于从天基LIBS到3D扫描和激光播种的广泛应用。

我们的Microchip系列的SB1-532-15-5是一款短纳秒脉冲、15uJ、低SWAP、超紧凑、5 kHz、被动调Q的DPSS激光器。Microchip系列可在1064、946、532、473、355、266和236.5nm下使用，能够产生窄线宽的单频操作，M^2<1.3，脉冲间不稳定性<3%。Microchip系列标配MLD-019激光控制器，可提供高度监测和控制以及实时反馈。Microchip激光器系列可定制，以满足各种应用要求。Microchip激光系列目前在该领域拥有超过3，000台设备，已被证明是一种多功能、可靠的激光解决方案，适用于从基于空间的LIBS到3D扫描和激光播种的广泛应用。

这些光纤耦合 1310 nm 半导体激光管可提供现货，可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 所有 4 种型号均为单频版本（DFB 半导体激光管），功率高达180 mW。 它可与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容，适用于无线电通信或 3D 传感研发。 单模 1310 nm 半导体激光管可在纳秒脉冲范围内达到 250 mW 的功率。 大多数集成半导体激光管和驱动器解决方案被用来优化单发至CW脉冲性能，脉宽低至1纳秒。 1310 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲。 便于进行复杂的突发脉冲序列整形。

产品型号 :1390LD 这些光纤耦合 1390 nm 半导体激光管作为现货提供，或与低噪声连续/脉冲半导体激光管驱动器集成作为整体光源模块交付。 所有 3 种型号均为单频版本，功率高达 40 mW。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容，这使其成为电信或 3D 传感研发的较佳解决方案。 这些单模 1390 nm 半导体激光管可以在纳秒脉冲范围内达到高达 40 mW 的高功率。 大多数集成半导体激光管和驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 1390 nm 半导体激光管的精密脉冲由板载脉冲发生器在内部生成，或根据需要由外部 TTL 信号生成。 便于进行复杂的突发脉冲序列整形。

产品型号 :1550LD 以上光纤耦合 1550 nm 半导体激光管均有现货，可与连续/脉冲半导体激光管驱动搭配使用。 功率高达 120 mW 的单频版本的5款DFB型号。 该半导体激光管可与我们的高速纳秒脉冲驱动相兼容，其解决方案适用于激光雷达飞行时间、FM连续或 3D 传感等领域。 单模版本的1550 nm半导体激光管纳秒脉冲模式下功率高达500 mW。 大多数集成激光管和驱动器的光源模块均经过优化，以保证脉冲（脉宽低至1纳秒）到连续工作模式下的性能表现。 此类光源模块可输出由内部板载脉冲发生器或外部TTL电平触发的高精度1550nm激光脉冲。 便于进行复杂的突发脉冲整形。

Luxima Technology的LUX13HS是一款100万像素4，000+FPS全局快门像素CMOS数字图像传感器，专为高速机器视觉、3D扫描、运动分析和工业市场开发。它具有低噪声像素和基于专利浮动存储门技术的CDs.用户可以通过Y窗口获得更快的帧速率。在陶瓷MicroPGA封装中提供彩色和单色选项。

Luxima Technology的LUX2100是一款210万像素CMOS图像传感器，专为高速机器视觉、条形码扫描、3D扫描、自动化、运动分析、工业和生物医学市场而开发。该传感器采用片内12位ADC和32路并行数据LVDS输出，易于集成并降低系统噪声。它具有1，000 FPS的帧速率，并且可以向下开窗以实现700，000+FPS的帧速率。该传感器支持8个具有灵活窗口位置的同时感兴趣区域读数。它采用22.8 X 28.8 mm陶瓷203 uPGA封装，提供彩色和单色两种选择。

Ushio Opto Semiconductors的HL40093MG是一款紫色激光二极管，工作波长为398至410 nm.该激光二极管提供500mW的连续波（CW）光输出功率。它需要4.9 V的直流电压，消耗高达410 mA的电流。该二极管采用TO-56封装，非常适合直接成像曝光系统、3D打印、测量和生物医学应用。

Ushio公司的HL63133DG是波长为632至643nm的激光二极管，输出功率为0.17W，工作电压为2.8至3.2V，工作电流为0.32至0.32A，阈值电流为60至90mA.有关HL63133DG的更多详细信息，请联系我们。

Ushio公司的HL63163DG是波长为630至636 nm的激光二极管，输出功率为0.1 W，工作电压为2.6至3 V，工作电流为0.17至0.23 A，阈值电流为70至100 mA.有关HL63163DG的更多详细信息，请联系我们。

Ushio公司的HL63263DG是波长为633至643nm的激光二极管，输出功率为0至0.2W，工作电压为2.9至3.3V，工作电流为0.28至0.33A，阈值电流为75至100mA.有关HL63263DG的更多详细信息，请联系我们。

NDU4116是一款紫外激光二极管，工作波长为370-380 nm，斜率效率为1.2 W/A，光输出功率为70 MW，光束指向精度为±3°。该激光二极管的平行光束发散角为9°，垂直光束发散角为22.5°。该器件的阈值电流为50 mA，PD反向电压高达5 V.这款单模激光二极管采用浮动安装式CAN封装，带一个光电二极管和一个齐纳二极管，尺寸为Ø5.6。它是激光加工、3D打印机、曝光设备、激光显微镜、医疗设备、光刻流式细胞仪、内窥镜和光纤应用的理想选择。

来自Roithner Lasertechnik的QL63D5SA是波长为630至640 nm、输出功率为0.005 W、工作电压为2.2至2.7 V、工作电流为0.03 4至0.05 A、阈值电流为30至40 mA的激光二极管。有关QL63D5SA的更多详细信息，请联系我们。

来自Quantum Semiconductor International的QL63D43A/B是连续波红色激光二极管，工作波长为635 nm，斜率效率为0.65 MW.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它的平行光束发散度为8度，垂直光束发散度为34度。这款QL63D43A/B需要21 mA的阈值电流、30 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用3.3 mm TO-CAN封装，非常适合光学水平仪、激光模块和条形码读取器应用。

QL63D4S-A/B/C-N（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为630至640 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.2至2.7 V，工作电流为32至45 mA.有关QL63D4S-A/B/C-N的更多详细信息，请联系我们。

Quantum Semiconductor International的QL63D4S-A/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的635 nm波段InGaAlP激光二极管。它为光学水平仪和模块等光电器件提供5mW的输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装，内置用于监控激光二极管的光电二极管。

Quantum Semiconductor International生产的QL63D4SA/B/C是一款连续波红色激光二极管，工作波长为635 nm.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它具有8度的平行光束发散角和35度的垂直光束发散角。QL63D4SA/B/C需要24 mA的阈值电流、32 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用5.6 mm TO-CAN封装，非常适合光学水平仪和激光指示器应用。

QL63D5S-A/B/C（Quantum Semiconductor International）是一款激光二极管，波长为630至640 nm，输出功率为5 MW，工作电压为2.2至2.7 V，工作电流为31至45 mA.有关QL63D5S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

QL83D6S-A/B/C来自Quantum Semiconductor International，是一种激光二极管，波长为822至834 nm，输出功率为5 MW，工作电压为1.85至1.95 V，工作电流为15至28 mA.有关QL83D6S-A/B/C的更多详细信息，请联系我们。

来自OSI Laser Diode，Inc.的LPAD 0052是具有数据速率52Mb/s、检测器灵敏度-41至-43dBm、波长范围1310至1550nm、电源电压4.75至5.25V、电源电流30mA的光纤接收器。有关LPAD 0052的更多详细信息，请联系我们。