• 激光二极管FKLD-10S-637-50X-L 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-637-50X-L是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-637-50X-L是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-650-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-10s-650-70x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-670-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-670-60X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-670-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-670-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-670-70X是670nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-670-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-788-60-DB-14 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.788um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-788-60-DB-14是788nm AlGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-788-60-DB-14是一款CW单模注入半导体双光束激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-788-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.788um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-788-60X是用MOCVD半导体激光器制作的788nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FKLD-10S-788-60X是CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管,输出功率稳定。该激光器适用于激光二极管模块和其它光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-850-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-850-60X是用MOCVD半导体激光器制备的850nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-850-60X是一款连续单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-905-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-905-70X是905nm InGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-905-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于传感器应用和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-15S-639-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.639um 输出功率: 15mW

    FKLD-15S-639-50X是639nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-15S-639-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-200M-808-40X-TM-B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 200mW

    FKLD-200M-808-40X-TM-B是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FKLD-200M-808-40X-TM-B是一款CW多模注入半导体激光器,内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光适合应用于固体激光泵浦、医疗应用和其它光电系统中。

  • 激光二极管FKLD-20S-639-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.639um 输出功率: 20mW

    FKLD-20S-639-50X是639nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-20S-639-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-20S-850-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 20mW

    FKLD-20S-850-60X是850nm AlGaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-20S-850-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-300M-808-40X-TE-B 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 300mW

    FKLD-300M-808-40X-Te-B是用MOCVD半导体激光器制备的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-300M-808-40X-TE-B是一款CW多模注入半导体激光器,内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电子系统。

  • 激光二极管FKLD-30S-660-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.658um 输出功率: 30mW

    FKLD-30S-660-70X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-30S-660-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-30S-685-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.685um 输出功率: 30mW

    FKLD-30S-685-60X是685nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-30S-685-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-35S-660-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.658um 输出功率: 35mW

    FKLD-35S-660-70X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-35S-660-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-3S-785-60X-L 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 3mW

    FKLD-3S-785-60X-L是用MOCVD半导体激光器制备的785nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-3S-785-60X-L是一款连续单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光打印机和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-40S-639-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.639um 输出功率: 40mW

    FKLD-40S-639-50X是639nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-40S-639-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-40S-855-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.855um 输出功率: 40mW

    FKLD-40S-855-60X是用MOCVD半导体激光器制作的855nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-40S 855-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。