FIDL-250M-840X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-840X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-850X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-850X-E50是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-850X-E50是一款CW多模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-860X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-860X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-860X-E50是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/GaAs多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-860X-E50是一款CW多模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-880X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-880X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-250M-905X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-905X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-915X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-915X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-940X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-940X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-960X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-960X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30M-1550X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30M-1550X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-30M-639B是基于GaInAlP多量子阱结构的639nm半导体激光器，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30M-639B是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

FIDL-30M-650X是用MOCVD方法制备的基于GaInAlP多量子阱结构的650nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30M-650X是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电子器件的应用系统

FIDL-30M-675D是基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30M-675D是CW多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-30M-690D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的690nm半导体激光器，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30M-690D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

FIDL-30M-820X是用MOCVD半导体激光器制作的820nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-30M-820X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-30M-850X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。