光电二极管PD 24-03设计用于探测1000至2430nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 24-03设计用于探测1000至2430nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与GaSb衬底晶格匹配的窄带隙GaInAsSb/AlGaAsSb基异质结构制成。

光电二极管PD 25-05设计用于检测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 25-05设计用于探测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。

光电二极管PD 25-10被设计用于检测从1000到2500nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 25-10设计用于探测1000至2500nm中红外光谱范围内的辐射。

光电二极管PD 41-03设计用于检测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 41-03设计用于探测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

光电二极管PD 41-05被设计用于检测从3000到4100nm的中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。

光电二极管PD 41-05设计用于探测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。它们由与InAs衬底晶格匹配的窄带隙InAsSbP/InAs基异质结构制成。

消色差透镜通常由BK7、熔融石英和CaF2制成。PhotonChina的工程师团队可以设计特殊的聚焦系统。从较小直径3毫米到较大直径超过100毫米的尺寸均可提供。超小型消色差镜头为您的特定应用提供出色的波前质量，超小光斑尺寸和改进的调制传递函数（MTF）。

板级相机系列BL1-D1312（IE）-CL源自MV1-D1312（IE）-CL相机系列，并且在功能集中100%兼容。不同之处在于相机外壳的机械结构。相机系列BL1-D1312（IE）-CL基于PhotonFocus A1312和A1312IE CMOS图像传感器。这些PhotonFocus CMOS传感器具有90 ke的全阱容量（FWC），针对高动态范围应用和高信噪比（SNR）进行了优化。摄像机具有CameraLink基本接口。这些相机专注于工业图像处理中要求苛刻的应用。由于采用了LINLOG®技术，它们提供了非常宽的动态范围，并将高帧率与高分辨率相结合。由于采用了全局快门，即使是曝光时间在微秒范围内的高速应用也是可能的。

相机系列MV0-D1920（C）-O01-G2基于索尼IMX174 CMOS图像传感器。IMX174 CMOS图像传感器针对低光照条件进行了优化，提供标准单色和彩色（C）版本。双速率摄像机比标准GigE摄像机快近100%，并且仅使用一根数据电缆（无链路聚合）。摄像机具有GigE接口（GigeVision）。由于其出色的处理高帧率的能力，CMOS相机在高速图像捕获和图像分析中处于领先地位。直到较近，CMOS高速相机还被用作具有内部图像缓冲器的紧凑型摄像头，或者用作具有CameraLink全接口的落地摄像头和具有大型图像缓冲器的帧抓取器。

双速率相机系列DR1-D2048X1088（I/C）-G2基于CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器。CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器针对低光照条件进行了优化，提供标准单色、NIR增强型（I）和彩色（C）版本。双速率摄像机比标准GigE摄像机快近100%，并且仅使用一根数据电缆（无链路聚合）。摄像机具有GigE接口（GigeVision）。由于其出色的处理高帧率的能力，CMOS相机在高速图像捕获和图像分析中处于领先地位。直到较近，CMOS高速相机还被用作具有内部图像缓冲器的紧凑型摄像头，或者用作具有CameraLink全接口的落地摄像头和具有大图像缓冲器的帧抓取器。

双速率相机系列DR1-D2048X1088（I/C）-G2基于CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器。CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器针对低光照条件进行了优化，提供标准单色、NIR增强型（I）和彩色（C）版本。双速率摄像机比标准GigE摄像机快近100%，并且仅使用一根数据电缆（无链路聚合）。摄像机具有GigE接口（GigeVision）。由于其出色的处理高帧率的能力，CMOS相机在高速图像捕获和图像分析中处于领先地位。直到较近，CMOS高速相机还被用作具有内部图像缓冲器的紧凑型摄像头，或者用作具有CameraLink全接口的落地摄像头和具有大型图像缓冲器的帧抓取器。

双速率相机系列DR1-D2048X1088（I/C）-G2基于CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器。CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器针对低光照条件进行了优化，提供标准单色、NIR增强型（I）和彩色（C）版本。双速率摄像机比标准GigE摄像机快近100%，并且仅使用一根数据电缆（无链路聚合）。摄像机具有GigE接口（GigeVision）。由于其出色的处理高帧率的能力，CMOS相机在高速图像捕获和图像分析中处于领先地位。直到较近，CMOS高速相机还被用作具有内部图像缓冲器的紧凑型摄像头，或者用作具有CameraLink全接口的落地摄像头和具有大图像缓冲器的帧抓取器。

MV1-D2048x1088-HS03-G2相机采用基于CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器的IMEC Snapshot Mosaic CMV2K-SM4x4-470-630-VIS传感器。该传感器在470nm到630nm的光谱范围内具有16个4×4马赛克的通带，半峰全宽（FWHM）为15nm。传感器的空间分辨率为每个光谱带512 X 256个像素。这些相机专注于要求苛刻的高光谱成像应用。传感器的低全阱容量和全局快门使高速应用成为可能。摄像机具有GigE接口（GigeVision）。

MV1-D2048x1088-HS04-G2相机采用基于CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器的IMEC Snapshot Mosaic CMV2K-SM2x2 RGB+NIR传感器。该传感器在2×2马赛克中具有4个通带。窄带NIR成像滤波器与包括NIR截止滤波器的标准RGB有机滤色器组合。传感器的空间分辨率为每个光谱带1024×544像素。这些相机专注于要求苛刻的多光谱成像应用。传感器的低全阱容量和全局快门使高速应用成为可能。摄像机具有GigE接口（GigeVision）。

线扫描相机系列MV1-L2048（I/C）-CL基于CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器。CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器针对低光照条件进行了优化，提供标准单色、NIR增强型（I）和彩色（C）版本。相机系列具有行扫描模式，允许非常高的帧速率。摄像机具有CameraLink基本接口。这些相机专注于工业图像处理中要求苛刻的应用。它们针对低光应用进行了优化。由于采用了全局快门，即使是曝光时间在微秒范围内的高速应用也是可能的。

四倍速相机系列QR1-D2048X1088（I/C）-G2基于CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器。CMOSIS CMV2000 CMOS图像传感器针对低光照条件进行了优化，提供标准单色、NIR增强型（I）和彩色（C）版本。四倍速摄像机比标准GigE摄像机快4倍，并且仅使用一根数据线（无链路聚合）。摄像机具有GigE接口（GigeVision）。由于其出色的处理高帧率的能力，CMOS相机在高速图像捕获和图像分析中处于领先地位。直到较近，CMOS高速相机还被用作具有内部图像缓冲器的紧凑型摄像头，或者用作具有CameraLink全接口的落地摄像头和具有大型图像缓冲器的帧抓取器。