FAXD-1064-1W-100-XX是一款多模半导体激光二极管，在1064nm处具有1W连续输出功率。发射器尺寸为100µm。它适用于各种光电应用。

FAXD-1064-200S-BTF是一种光纤耦合单模半导体激光器，在1064nm处具有200mW连续输出功率。它配有内部热敏电阻、TEC和光电二极管，适用于各种光电应用。

FAXD-1064-200S-XX是在1064nm处具有200mW连续输出功率的单模半导体激光二极管。它适用于各种光电应用。

FAXD-1064-2W-100-XX是一款多模半导体激光二极管，在1064nm处具有2W CW输出功率。发射极尺寸为100µm。它适用于各种光电应用。

FAXD-1064-300S-XX是在1064nm处具有300mW连续输出功率的单模半导体激光二极管。它适用于各种光电应用。

FAXD-1064-350S-XX是在1064nm处具有350mW连续输出功率的单模半导体激光二极管。它适用于各种光电应用。

FAXD-1064-3W-100-XX是一款多模半导体激光二极管，在1064nm处具有3W连续输出功率。发射极尺寸为100µm。它适用于各种光电应用。

FIDL-1000M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1064X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用INSOT-148外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，TO-3窗口外壳集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100M-1064X是CW多模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148 9mm封装，集成监视器光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-100S-1064X是InGaAs/GaAs多量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-100S-1064X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-1064X是1064nm InGaAs/GaAs单量子MOCVD半导体激光器制备势阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-10S-1064X是一款CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-10S-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-10S-1064X是一款连续单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-1064X是InGaAs/GaAs单量子阱MOCVD半导体激光器结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-1064X是一种连续多模注入式半导体激光器。它采用SOT-148 9mm封装，集成监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-1064X是一种连续多模注入式半导体激光器。它采用SOT-148 9mm封装，集成监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-1064X是1064nm InGaAs/GaAs多量子阱通过MOCVD半导体激光二极管。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-1064X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单横模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FLX-1064-1500M-50是在1064nm处具有1500mW连续输出功率的多模半导体激光二极管。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、9mm to CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-1064-5000M-150是一款多模半导体激光器。在1064nm连续输出功率为5000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它是适用于各种光电应用。

FNLD-05S-1064D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1064D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-10S-1064-MINIDIL是一种基于InGaAs/GaAs量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-10S-1064-MINIDIL采用MINI DIL密封封装，集成监控二极管以稳定功率输出。将激光二极管发射耦合到SM光纤中。光纤连接器：FC/PC，ST，SC，SMA-905-可用。该激光二极管适用于各种光电系统。

我们销售的IPS激光器范围为405 nm至1064 nm，功率范围为10–500 MW。我们有多模和单模激光器。这些激光器是精密科学应用的理想选择，包括拉曼光谱、计量和干涉测量。可根据要求提供定制激光选项。