• 激光二极管FIDL-5S-775C-N 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.775um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-775C-N是775nm AlGaAs/GaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-775C-N是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-795X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.795um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-795X是795nm AlGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-795X是一款CW单模注入式半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管,可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-800X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.800um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-800X是800nm AlGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-800X是一款CW单模注入半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管,可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-808X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-808X是一款CW单模注入式半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管,可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-830X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-830X是830nm AlGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-830X是一款CW单模注入式半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管,可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-840X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.840um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的830-850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-840X是一款CW单模注入式半导体激光二极管,采用SOT-242 5.6毫米封装,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-5S-850X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25ºC下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-850X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入式半导体激光二极管内置监控光电二极管的CAN可稳定输出功率。其设计可在宽温度范围(-60ºC+70ºC)内工作,这使其成为军事、空间和恶劣工业应用的较佳激光源。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-860X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.860um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-860X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-5S-870X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.870um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-870X是用MOCVD半导体激光器制作的870nmAlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-870X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-905X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.905um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-905X是905nm InGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。在25 C下的预期寿命超过5000小时。FIDL-5S-905X是一种采用SOT-242 5.6mm的CW单模注入半导体激光二极管内置监控光电二极管,可稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

  • 激光二极管FIDL-5S-940X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.945um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-940X是940nm InGaAs/GaAs多量子阱,由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-940X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-950X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.950um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-9500X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-5S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-5S-960X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.960um 输出功率: 5mW

    FIDL-5S-960X是960nm InGaAs/GaAs多量子阱MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FIDL-5S-960X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-650M-808E 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.808um 输出功率: 650mW

    FIDL-650M-808E是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-650M-808E是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FJLD-100S-660-TO56-60TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 100mW

    FJLD-100S-660-TO56-60TX是为高输出功率应用而设计的660 nm 100mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管FJLD-100S-785-TO56-70TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 100mW

    FJLD-100S-785-TO56-70TX是一款785nm 100mW量子阱半导体激光器,专为高输出功率应用而设计。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管FJLD-120S-660-TO56-60TX 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 120mW

    FJLD-120S-660-TO56-60TX是专为高输出功率应用而设计的660 nm 120mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中,并用平板玻璃盖密封。

  • 激光二极管fkld-100s-830-60-pd-x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 100mW

    FKLD-100S-830-60-PD-X是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-100S-830-60-PD-X是一款CW单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于目标指示、固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-100S-830-60-WPD 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.830um 输出功率: 100mW

    FKLD-100S-830-60-WPD是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-100S-830-60-WPD是一种连续单横模注入半导体激光器。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-10S-637-50X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.637um 输出功率: 10mW

    FKLD-10S-637-50X是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-10S-637-50X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。