FIDL-5S-775C-N是775nm AlGaAs/GaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-775C-N是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-795X是795nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-795X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-800X是800nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-800X是一款CW单模注入半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-808X是808nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-808X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-830X是830nm AlGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-830X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6mm封装内置监控光电二极管，可稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-840X是用MOCVD半导体激光器制作的830-850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。25°C下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-840X是一款CW单模注入式半导体激光二极管，采用SOT-242 5.6毫米封装，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-5S-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流增强可靠性。25ºC下的预期寿命超过10000小时。FIDL-5S-850X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入式半导体激光二极管内置监控光电二极管的CAN可稳定输出功率。其设计可在宽温度范围（-60ºC+70ºC）内工作，这使其成为军事、空间和恶劣工业应用的较佳激光源。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-860X是用MOCVD半导体激光器制作的860nm AlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-860X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-5S-870X是用MOCVD半导体激光器制作的870nmAlGaAs/GaAs多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-870X是一款采用SOT-242 5.6mmCAN封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-905X是905nm InGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流且高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。在25 C下的预期寿命超过5000小时。FIDL-5S-905X是一种采用SOT-242 5.6mm的CW单模注入半导体激光二极管内置监控光电二极管，可稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统中。

FIDL-5S-940X是940nm InGaAs/GaAs多量子阱，由MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-940X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-9500X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-960X是960nm InGaAs/GaAs多量子阱MOCVD半导体激光二极管。低阈值电流高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-960X是一款采用SOT-242 5.6mm封装的CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-650M-808E是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-650M-808E是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FJLD-100S-660-TO56-60TX是为高输出功率应用而设计的660 nm 100mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。

FJLD-100S-785-TO56-70TX是一款785nm 100mW量子阱半导体激光器，专为高输出功率应用而设计。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。

FJLD-120S-660-TO56-60TX是专为高输出功率应用而设计的660 nm 120mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。

FKLD-100S-830-60-PD-X是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-100S-830-60-PD-X是一款CW单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于目标指示、固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

FKLD-100S-830-60-WPD是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-100S-830-60-WPD是一种连续单横模注入半导体激光器。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

FKLD-10S-637-50X是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-637-50X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。