SUPRASIL®3001、3002和300是通过火焰水解制造的高纯度合成熔融石英材料。它们将优异的物理性能与从紫外到近红外的出色光学特性相结合。在制造过程中，中间干燥步骤将SUPRASIL®300X的OH含量降至1ppm以下。1000 ppm–3000 ppm的氯含量是材料固有的，会导致紫外线吸收边缘向较长波长区域发生轻微偏移。SUPRASIL®300X系列材料具有超低总金属杂质（<1 ppm）和低OH（<1 ppm）的组合，导致从可见光到红外光谱区无吸收带。这一特性使该材料系列成为近红外低吸收应用的理想选择。

SUPRASIL®3001、3002和300是通过火焰水解制造的高纯度合成熔融石英材料。它们将优异的物理性能与从紫外到近红外的出色光学特性相结合。在制造过程中，中间干燥步骤将SUPRASIL®300X的OH含量降至1ppm以下。1000 ppm–3000 ppm的氯含量是材料固有的，会导致紫外线吸收边缘向较长波长区域发生轻微偏移。SUPRASIL®300X系列材料具有超低总金属杂质（<1 ppm）和低OH（<1 ppm）的组合，导致从可见光到红外光谱区无吸收带。这一特性使该材料系列成为近红外低吸收应用的理想选择。

SUPRASIL®3001、3002和300是通过火焰水解制造的高纯度合成熔融石英材料。它们将优异的物理性能与从紫外到近红外的出色光学特性相结合。在制造过程中，中间干燥步骤将SUPRASIL®300X的OH含量降至1ppm以下。1000 ppm–3000 ppm的氯含量是材料固有的，会导致紫外线吸收边缘向较长波长区域发生轻微偏移。SUPRASIL®300X系列材料具有超低总金属杂质（<1 ppm）和低OH（<1 ppm）的组合，导致从可见光到红外光谱区无吸收带。这一特性使该材料系列成为近红外低吸收应用的理想选择。

1600×200或1600×400EMCCD传感器16×16μm像元尺寸，高光谱分辨率25.6×3.2 mm或25.6×6.4 mm图像区域高速或多径迹光谱的理想选择背面和正面照明BiQx技术，具有450 nm以下的增强QE深热电冷却空气或液体循环以较小化暗电流双读出模式EMCC或CCD适用于广泛的光照条件读出速率高达3 MHz每秒采集1600多个光谱单熔石英真空窗较大限度地减少从紫外到近红外的反射损失

1600×200或1600×400EMCCD传感器16×16μm像元尺寸，高光谱分辨率25.6×3.2 mm或25.6×6.4 mm图像区域高速或多径迹光谱的理想选择背面和正面照明BiQx技术，具有450 nm以下的增强QE深热电冷却空气或液体循环以较小化暗电流双读出模式EMCC或CCD适用于各种光照条件读出速率高达3 MHz每秒采集1600多个光谱单熔石英真空窗较大限度地减少从紫外到近红外的反射损失

HORIBA Scientific的Synapse Extended InGaAs阵列是在1000–2200 nm的近红外（NIR）光谱范围内进行要求苛刻的低照度测量的理想选择。这些InGaAs探测器可提供512×1（25×250µm）、512×1（50×250µm）和1024×1（25×250μm）像素格式，在保持全阱容量的同时提供高分辨率。Synapse InGaAs阵列具有16位动态范围，采用深热电冷却，并使用机械快门减去暗背景。金属密封提供永久真空密封。即插即用的USB 2.0接口可在笔记本电脑和台式电脑上实现便携性和轻松设置，并具有100%的数据完整性。应用包括半导体、SWCNT和纳米线的近红外拉曼、光致发光测量。还提供灵敏度为0.8µm至1.7µm的探测器。

HORIBA Scientific的Synapse InGaAs阵列是800–1700 nm近红外（NIR）光谱区要求苛刻的低照度测量的理想选择。这些InGaAs探测器可提供512×1（25×500µm）、512×1（50×500µm）和1024×1（25×500μm）像素格式，在保持全阱容量的同时提供高分辨率。Synapse InGaAs阵列具有16位动态范围，采用深热电冷却，并使用机械快门减去暗背景。金属密封提供永久真空密封。即插即用的USB 2.0接口可在笔记本电脑和台式电脑上实现便携性和轻松设置，并具有100%的数据完整性。应用包括半导体、SWCNT和纳米线的近红外拉曼、光致发光测量。还提供灵敏度为1µm至2.2µm的探测器。

与标准前照式CCD相比，开放式电极技术可提高UV响应。在近红外波段，该探测器是深度耗尽型CCD的低成本替代方案，由于其正面照明设计和类似的信噪比性能，因此不受其他因素的影响。

用于近红外光谱应用的声光可调谐滤波器高速、随机存取、固态技术使基于AOTF的光谱仪成为在线过程控制应用的理想选择。Gooch&Housego的AOTF功能非常广泛。通过将我们的科学知识、建模能力和工程专业知识与我们著名的制造技能和高质量相结合，我们的产品面向较挑剔的客户和较苛刻的应用。

Thens Minitracer是应用纳米荧光有限责任公司（Applied Nanofluorescence，LLC）纳米光谱分析仪创新系列的较新成员。其设计经过优化，可对含有近红外荧光团（如单壁碳纳米管或量子点）的各种样品进行快速、简单和高灵敏度的分析测量。Minitracer是环境和生物样品中SWCNT定量的理想选择，也是任何SWCNT研究实验室常规样品表征的理想选择。

NS2是世界上先进的碳纳米管三合一光谱仪。NS2提供了NS1型号的所有较先进的功能，用于通过近红外荧光和吸收分析SWCNT样品。此外，NS2捕获所有CNT的拉曼光谱，无论是单壁、多壁聚集、大直径还是化学改变。只需放置一次样品比色杯，即可自动测量所有光谱。然后，复杂的软件执行综合数据分析以表征CNT样品。

NS3是应用纳米荧光有限责任公司（Applied Nanofluorescence，LLC）纳米光谱分析仪（NanoSpectralyzer）创新系列中较通用的产品。其模块化设计允许轻松定制，以满足客户对纳米材料表征的特定需求。除了作为灵敏的近红外荧光计和吸收光谱仪的核心功能外，NS3还可配置以下任何光谱功能：

钛-蓝宝石发出650到1100纳米范围内的红光和近红外光。钛：蓝宝石特别适合于超短脉冲激光器，因为超短脉冲固有地包含宽频谱的频率成分。钛宝石也可用于宽范围可调谐的连续激光器。钛：蓝宝石（Al2O3：Ti3+）-掺钛蓝宝石晶体将较高的物理和光学特性与较宽的激光范围相结合，钛：蓝宝石的无限长的稳定性和有效寿命增加了660-1050nm整个波段的激光，在各种应用中挑战“脏”染料。医疗激光系统，激光雷达，激光光谱学，通过克尔型锁模直接产生飞秒脉冲-现有的和潜在的应用很少。钛宝石的吸收带中心在490nm，使其适用于各种激光泵浦源-氩离子，倍频Nd：YAG和YLF，铜蒸气激光器。钛宝石晶体具有3.2us的荧光寿命，因此在大功率激光系统中，钛宝石可以被短脉冲闪光灯有效泵浦。

可调激光源（TLS）提供从400nm到2300nm的连续输出。还提供定制和扩展的光谱范围（高达2500 nm）和带宽（亚纳米）。光子等可调谐激光源（TLS）与任何可见-近红外宽带光源兼容。这款高端产品提供市场上较高的带外反射（<-60 dB）。输出功率取决于所选择的超连续谱光源，并且可以从2mW/nm到15mW/nm。

用于可见或近红外波长的宽带高功率偏振器空气间隔接近布鲁斯特角切割高极化纯度长度短用于腔内的双逃生窗符合RoHS规范

UV-3600 Plus配有三个探测器和一个高性能双单色仪系统，可提供较高的灵敏度和分辨率。此外，它具有宽波长范围和多种可选配件，是各种行业的理想解决方案，包括纳米技术、光伏和涂料。

Medway Optics的产品提供多种涂层选择，以修改材料的透射和反射特性，以适应从红外到深紫外（193nm）的特定应用。这些范围从反射率≤0.2%（对于单波长/激光线）的多个标准涂层到UV-IR中的双波段波长；3-5um和8-12um的热成像涂层、硬类金刚石涂层（DLC）、分束器涂层和偏振涂层。它们能够根据客户要求在基材上进行复杂和苛刻的定制涂层。我们的高反射率反射镜根据基材和应用波长提供≥99.8%的效率，并根据客户规格提供部分反射器。这些包括多层介电涂层、单层和多层金属涂层。

VCPROBE-NIR-STG是测量小孔径近红外光源的理想选择，为LED和激光器等近红外光源提供了一种高效的测量解决方案。该系统可在±70°视角锥内进行全图测量，具有出色的角分辨率，工作距离为4mm非接触式测量。建议用于2.5 mm出射光瞳发射器。DXY+/-1 mm容差，相对于位置的可重复性优于1%，便于在线定位。VCPROBE-NIR-STG在940 nm波长下校准，可为研发和大规模生产/质量控制应用提供高速和精确的测量。如果您需要一个类似的系统用于特殊项目或大规模生产，我们可以建立一个符合您要求的系统。

VCPROBE-NIR-STG是测量小孔径近红外光源的理想选择，为LED和激光器等近红外光源提供了一种高效的测量解决方案。该系统可在±70°视角锥内进行全图测量，具有出色的角分辨率，工作距离为4mm非接触式测量。建议用于2.5 mm出射光瞳发射器。DXY+/-1 mm容差，相对于位置的可重复性优于1%，便于在线定位。VCPROBE-NIR-STG在940 nm波长下校准，可为研发和大规模生产/质量控制应用提供高速和精确的测量。如果您需要一个类似的系统用于特殊项目或大规模生产，我们可以建立一个符合您要求的系统。

数码相机模块，具有130万像素分辨率，可直接连接SOM接口（单色）。VM-012-BW配备了席恩半导体单色CMOS传感器VITA 1300。该传感器具有全局和滚动快门（可调）。即使在近红外范围（NIR）内，该传感器也具有高达4.6 V/Lux-s的高灵敏度。