• plt5 520_b1-3 激光二极管 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    中心波长: 0.520um 输出功率: 50mW

    World Star Tech提供全系列的蓝色、绿色和红外欧司朗激光二极管。提供这些二极管的完整特性服务,使您的制造过程更简单、更可靠且更具成本效益。我们提供波长、激光器阈值电流、斜率效率、电压和监控二极管信息。所有欧司朗激光二极管均提供分拣服务和波长选择选项。我们有大量的欧司朗激光二极管库存。过时的欧司朗激光二极管也可从库存中获得。请联系我们了解您的要求。PLT5 520_B1-3激光二极管具有单模和5.6 mm封装。PLT5 520_B1-3是投影仪和机器视觉应用的理想选择,要求可靠的操作、较长的使用寿命和稳定的输出功率。

  • PLT5 520B激光二极管 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    中心波长: 0.520um 输出功率: 110mW

    World Star Tech提供全系列的蓝色、绿色和红外欧司朗激光二极管。提供这些二极管的完整特性服务,使您的制造过程更简单、更可靠且更具成本效益。我们提供波长、激光器阈值电流、斜率效率、电压和监控二极管信息。所有欧司朗激光二极管均提供分拣服务和波长选择选项。我们有大量的欧司朗激光二极管库存。过时的欧司朗激光二极管也可从库存中获得。请联系我们了解您的要求。PLT5 520B激光二极管具有单模和5.6 mm封装。PLT5 520B是投影仪和机器视觉应用的理想选择,要求可靠的操作,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。

  • PLT5 520EA_P 激光二极管 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    中心波长: 0.520um 输出功率: 20mW

    World Star Tech提供全系列的蓝色、绿色和红外欧司朗激光二极管。提供这些二极管的完整特性服务,使您的制造过程更简单、更可靠且更具成本效益。我们提供波长、激光器阈值电流、斜率效率、电压和监控二极管信息。所有欧司朗激光二极管均提供分拣服务和波长选择选项。我们有大量的欧司朗激光二极管库存。过时的欧司朗激光二极管也可从库存中获得。请联系我们了解您的要求。PLT5 520EA_P激光二极管具有单模和5.6 mm封装。PLT5 520EA_P是投影仪和机器视觉应用的理想选择,要求可靠的操作、较长的使用寿命和稳定的输出功率。

  • Verifire HDX干涉仪用于精确的中间空间频率特性分析 干涉仪
    美国
    分类:干涉仪
    厂商:Zemetrics
    干涉仪配置: Fizeau Interferometer 光源: Not Specified 输出极化: Circular, Elliptical, Random 有效值重复性: Not Specified 有效值精度: Not Specified

    Zygo的新型VeriFire HDX干涉仪专为极高性能光学元件和系统的中间空间频率成分表征而设计和制造。该系统包括广受欢迎的VeriFire HD的所有强大功能(如QPSI和长寿命稳定激光器),并增加了重要的增强功能,如新的同类较佳成像和高仪器传递函数(ITF)分辨率、中间空间频率内容和高斜率表面偏差的卓越特性,以及Zygo的DynaPhase®动态采集技术(可选),该技术可消除振动引起的问题,并在几乎任何环境中实现精密计量。

  • Yb:YAG 晶体 激光晶体
    中国大陆
    分类:激光晶体
    水晶类型: Er:YAG 水晶直径: 3mm 水晶长度: 50mm AR 涂层: Both sides

    Yb:YAG(Yb:YAG)是一种工作波长为1030nm的激光介质,在940nm处有一个宽达18nm的吸收带。它是高功率二极管泵浦固体激光器中较有用的介质之一。所使用的掺杂剂水平在被取代的钇原子的0.2%和30%之间。Yb:YAG具有很低的加热率、很高的斜率效率、没有激发态吸收和上转换发光、高机械强度和高热导率等优点。Yb:YAG可用940或970nm的可靠InGaAs激光二极管泵浦。Yb:YAG在高功率应用中是1064nm Nd:YAG的良好替代品,其倍频的515nm版本可以替代514nm激光器。

  • Yb:YAG激光晶体 激光晶体
    美国
    分类:激光晶体
    厂商:OptoCity
    水晶类型: Yb:YAG 水晶直径: 20mm 水晶长度: 70mm AR 涂层: One side, Both sides, Uncoated

    掺镱YAG(Yb:YAG)是一种在1030nm处产生激光的活性激光晶体,在940nm处具有18nm宽的吸收带。它是高功率二极管泵浦固体激光器中较有用的晶体之一。掺杂剂水平在被取代的钇原子的0.2-30%之间。Yb:YAG具有很低的发热分数、很高的斜率效率、无激发态吸收和上转换发光、高机械强度和高热导率等优点。Yb:YAG可由940或970nm的可靠InGaAs激光二极管泵浦。

  • 高斜率电流源 Sorensen SFA 系列 激光器模块和系统
    功率: 5-150 W 电压: 60-160 V 电流: 31-2500 A

    SFA系列是行业领先的SorensenSGA系列 的基础之上,为激光二极管应用提供大功 率电流源。先进的大功率激光二极管需要 良好调整度的电流控制,以避免灾难性破 坏。在不规则的运行条件下,电源输出线 中储存的过多的能量可产生峰值压力,这 可造成设备永久性的损坏。 SFA仅有一个 恒流调节模式,它输出的储存能量低,这 使其对敏感装置可能带来的损坏降到了较 低程度,还可提供高达400A/ms的电流斜 率。

  • 直流和交流/直流电子负载Sorensen SL 系列 激光器模块和系统
    功率: 75-14400 W 电压: 60-500 V 电流: 1-720 A

    Sorensen SL 系列电子负载以较灵活的平 台提供较高的价值。台式,模块式和标 准独立式的直流和交流输入负载都有75- 1800W 的广阔范围。 SLM 主机 SLM主机选择包括方便的台式/桌面式应用 的单个模块配置或多个如ATE要求的4个模 块配置。任一个机架都兼容SLM-和SLD-负 载。每个机架都包含非易失存储能力,可 存储多达150个模块的设置和9个16步的 序列供自动化、独立地测试。或者更多复 杂的序列测试。 主机带有GPIB (SLM- 1上 可选)和RS-232标准接口。 SLM 家族 SLM家族包括9个完全可编程的、单个输 入交流或直流的模块化电子负载。直流模 块可测试电源、电池充电器、电池放电、 电源瞬态响应并集成进ATE系统。交流模 块是理想的低功率逆变器测试的产品。 直流模式支持在恒定电流(CC)、恒定 电压(CV)、恒定电阻(CR)或恒定功 率(CP)模式下运行和进行短路模拟。工 程师通过使用模拟输入或CC动态模式可对电流波形进行基本的控制。模拟输入( 单输入直流型号)使用外部0- 10V信号允 许任意的电流波形高达20kHz。在动态模 式,脉冲发生器允许在两种程控的电流等 级之间快速地转换状态 (斜率和驻留时间 可程控)。

  • FBLD-445-200W-FC200-20Pin 半导体激光器
    德国
    工作模式: CW Laser 波长: 435 to 455 nm 输出功率: 200 W 工作电压: 44 to 50 V 工作电流: 2.5 to 2.8 A

    法兰克福激光公司的FBLD-445-200W-FC200-20PIN是一种光纤耦合激光二极管,工作波长为445 nm.它提供200 W的CW输出功率,由8个子模块组成(每个模块25 W)。该激光器的电光转换效率为23%,斜率效率为10W/A,光谱宽度(FWHM)为6nm,阈值电流为0.3A,光纤芯径为200μm,数值孔径为0.22。它需要44 V的直流电源,消耗2.5 A的电流。

  • FLPD-760-0.25-VCSEL-TO39 半导体激光器
    德国
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 芯片技术: GaAsP/AlGaAs 波长: 760 nm 输出功率: 0.25 mW 工作电压: 2 V

    Frankfurt Laser Company的FLPD-760-0.25-VCSEL-TO39是GaAsP/AlGaAs二极管VCSEL(垂直腔面发射激光器),工作波长为760nm.最小输出功率0.25mW,壁插效率12%,斜率效率0.3W/A,谱宽100MHz,发散角10°~25°。它的正向电压为1.8 V,阈值电流为0.5 mA.该激光器具有ESD保护,并具有内部TEC、热敏电阻和PD.该器件采用TO-39封装,尺寸为Ø9.14 mm,非常适合TDLAS应用。

  • V850-10GSA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 2.6 to 3 mW 工作电压: 1.9 to 2.9 V 工作电流: 6 mA

    Inneos的V850-10GSA-1TGA是一款10 Gbps VCSEL激光二极管,工作波长为850 nm.光输出功率为2.6-3 MW,斜率效率为0.7 MW/mA.该单通道顶部发射激光二极管具有0.6nm的光谱宽度和7.5GHz的最小小信号带宽,光束发散半角为21度。它需要1.8–2.1 V的直流电源,功耗为6 mA.该激光二极管具有小于6V的反向电压,并且需要1.6mA的阈值电流。它采用尺寸为250 X 250 X 200微米的封装,非常适合发射器光学子组件、以太网收发器和光纤通道收发器应用。

  • V940-12GWA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 输出功率: 1 to 2.5 mW 工作电压: 2.2 to 2.8 V

    Inneos的V940-12GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为940 nm.光输出功率为2.5 MW,斜率效率为0.3-0.6 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在小于9.0GHz的带宽下具有12Gbps的数据速率。它的光谱宽度为1nm,光束发散半角为15度。V940-12GWA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为0.75 mA,反向电压高达8 V.它需要2.2 V的直流电源,消耗6 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.25 X 0.25 mm,非常适合工业和航空航天应用。

  • V980-10GWA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 2 to 2.7 mW

    Inneos的V980-10GWA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.它提供高达10 Gbps的数据速率和2.7 MW的光输出功率。这种单通道顶发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm,最小小信号带宽为7.5GHz,斜率效率为0.5-0.6mW/mA.它的阈值电流为1.25毫安,光束发散半角为13度,微分电阻为68欧姆。该激光二极管需要1.7-2.7 V的直流电源,并消耗5 mA的电流。它采用尺寸为0.25 X 0.25 X 0.20 mm的裸片封装,非常适合汽车、工业和航空航天应用中的发射器光学子组件、高性能收发器和恶劣环境传感器。

  • V980-10GXA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 1.6 mW

    Inneos的V980-10GXA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.光输出功率为1.6 W,斜率效率为0.5-0.75 MW/mA.该单通道顶部发射VCSEL在超过7.75GHz的带宽下具有10Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm,光束发散半角为16度。V980-10GXA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为2 mA,反向电压高达8 V.它需要2-3.15 V的直流电源,消耗3 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.25 X 0.25 mm,非常适合工业和汽车应用。

  • V980-6GUA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 2.7 mW

    Inneos的V980-6GUA-1TGA是一款垂直腔面发射激光二极管,工作波长为980 nm.光输出功率为2.7 MW,斜率效率为0.4-0.6 MW/mA.这种单通道顶部发射VCSEL在小于4.5GHz的带宽下具有6Gbps的数据速率。它的光谱宽度为0.4nm,光束发散半角为13度。V980-6GUA-1TGA可集成到收发器或传感器中,经过设计和测试,可在恶劣环境应用中保持高性能。该激光二极管的阈值电流为1 mA,反向电压高达8 V.它需要1.9-3.0 V的直流电源,消耗5 mA的电流。这款VCSEL采用裸片封装,尺寸为0.20 X 0.25 mm,非常适合恶劣环境传感器、发射器光学子组件和宽温度收发器。

  • V980-6GXA-1TGA 半导体激光器
    美国
    厂商:Inneos
    应用行业: Automotive, Industrial, Aerospace 技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: CW Laser 波长: 965 to 990 nm 输出功率: 1 to 1.6 mW

    Inneos的V980-6GXA-1TGA是一款6 Gbps VCSEL激光二极管,工作波长为980 nm.其光输出功率为1.6mW,斜率效率为0.5-0.75mW/mA.该单通道顶部发射激光二极管的光谱宽度为0.4nm,最小小信号带宽为4.5GHz,光束发散半角为16度。它需要2-3.3 V的直流电源,功耗为3 mA.该激光二极管的反向电压高达8 V,需要0.7 mA的阈值电流。该器件采用尺寸为250 X 250 X 200微米的封装,非常适合汽车、工业和航空航天应用中的恶劣环境传感器、发射器光学子组件和宽温度收发器。

  • PLD-40 半导体激光器
    美国
    厂商:IPG Photonics
    输出功率: 30 W 工作电压: 4.8 V 工作电流: 12 A 阈值电流: 0.7 A 类型: Fiber-Coupled Laser Diode

    IPG Photonics的PLD-40是一款多模光纤耦合激光二极管,工作波长为915 nm、940 nm和975 nm.该激光器输出功率为30W,斜率效率为2.4W/A,光谱宽度(FWHM)为5nm,转换效率为47%。它的正向电压为4.8 V,阈值电流高达0.7 A.该激光二极管非常适合光纤放大器、激光泵浦、材料加工和直接二极管应用。

  • PLD-975-40-WS 半导体激光器
    美国
    厂商:IPG Photonics
    波长: 975 nm 输出功率: 28 W 工作电压: 4.8 V 工作电流: 12 A 阈值电流: 0.7 A

    IPG Photonics的PLD-975-40-WS是一款多模光纤耦合激光二极管,工作波长为975 nm.该激光器输出功率为28dBm,斜率效率为2.3W/A,光谱宽度为5nm(FWHM),阈值电流为0.7A,电源电压为4.8V,功耗为12A.这种激光二极管是放大器泵浦,激光泵浦,图形艺术/印刷,照明,直接二极管激光器,材料加工,光伏,医疗和牙科应用的理想选择。

  • M9xx±10-210-F200/22-DK 半导体激光器
    德国
    厂商:PhotonTec Berlin
    工作模式: CW Laser 波长: 1030 to 1100 nm 输出功率: 210 W 工作电压: 30 V 工作电流: 15 A

    Photontec Berlin的M9xx±10-210-F200/22-DK是一款中心波长为915或976 nm的光纤耦合二极管激光器。该激光器的连续输出功率为210W,功率转换效率为47%,斜率效率为15W/A,纤芯直径为200μm,数值孔径为0.22。它在1030-1100nm波长范围内具有反馈保护功能,用于光纤激光器泵浦,并提供超过40dB的衰减。M9xx±10-210-F200/22-DK需要30 V直流电源,消耗15 A电流,阈值电流为1 A.该器件采用尺寸为120.5 X 53 X 16.6 mm的封装,非常适合激光泵浦、材料加工和医疗应用。

  • EYP-DFB-0780-00080-1500-TOV01-0005 半导体激光器
    德国
    技术: Distributed Feedback (DFB) 波长: 779 to 781 nm 输出功率: 20 to 80 mW 工作电流: 180 mA 阈值电流: 70 mA

    Toptica的EYP-DFB-0780-00080-1500-TOV01-0005是一款分布式反馈激光二极管,工作波长为780 nm.它的输出功率为20-80 MW,线宽(FWHM)为0.6 MHz.该激光器具有25pm的最小无跳模调谐和0.8W/A的斜率效率,具有8°的平行发散角(FWHM)和21°的垂直发散角(FWHM)。该激光二极管包括监控二极管、热电冷却器和热敏电阻。它的正向电流为180 mA,需要70 mA的阈值电流。这款激光二极管采用8引脚封装,尺寸为Ø9.14 X 19.27 mm,非常适合光谱学(Rb D2线)、计量和THz产生应用。