FIDL-500M-905X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-905X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-910X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-910X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-920X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-920X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-960X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-960X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-980X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-980X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50M-1060X是一款CW多模注入式半导体激光二极管。它以9毫米到CAN和TO-3窗口封装交付，集成了TEC、热敏电阻和监控光电二极管，用于光功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-650D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的650nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50M-650D是CW多模注入半导体激光器。它以9毫米外壳提供内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FIDL-50M-660D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-675D-50N是一种基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50M-675D-50N是CW多模注入半导体激光二极管。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-685D是基于GaInAlP多量子阱结构的685nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50M-685D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-698B是用MOCVD方法制备的698nm GaInAlP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50M-698B是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-905X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50M-905X是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-650M-808E是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-650M-808E是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FKLD-200M-808-40X-TM-B是用MOCVD半导体激光器制作的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FKLD-200M-808-40X-TM-B是一款CW多模注入半导体激光器，内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光适合应用于固体激光泵浦、医疗应用和其它光电系统中。

FKLD-300M-808-40X-Te-B是用MOCVD半导体激光器制备的808nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-300M-808-40X-TE-B是一款CW多模注入半导体激光器，内置或不内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电子系统。

FLX-1064-1500M-50是在1064nm处具有1500mW连续输出功率的多模半导体激光二极管。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、9mm to CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-1064-5000M-150是一款多模半导体激光器。在1064nm连续输出功率为5000mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount和HHL。它是适用于各种光电应用。

FLX-1120-1200M-50是一款多模半导体激光器。1120nm连续输出功率1200mW的二极管。可用的封装为B-Mount、C-Mount、Q-Mount，9毫米到CAN，TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-1120-2000M-50是在1120nm处具有2000mW连续输出功率的多模半导体激光二极管。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

FLX-1120-2500M-100是一款多模半导体激光二极管，在1120nm处具有2500mW连续输出功率。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。