• PGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • QPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • TPGEW1S09H 905纳米脉冲半导体激光器 半导体激光器
    美国
    激光波长: 0.905um 脉宽: 20 - 20 ns 中心波长附近的调谐范围: Not Applicable

    Excelitas Technologies的PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成,这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如,QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm,具有四个外延生长的激射层,输出峰值功率接近100 W。T1¾(类TO)塑料封装补充了Excelitas采用密封金属封装的Epi-Cavity激光器,非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas的新型多活性区域激光器芯片,在较小的发射区域内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度,并提供单(PGEW)、双(DPGEW)、三(TPGEW)或四(QPGEW)外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角,在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下,外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中,从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。

  • 碧桂园集团 激光器模块和系统
    波兰
    类型: Laser System 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Femtosecond Lasers, Picosecond Lasers 波长: 1030 nm 可调谐: No

    Fluence Technology的Jasper Flex是一款飞秒光纤激光器,工作波长为1030 nm.它的平均输出功率为30 W,脉冲能量为30μJ@1 MHz重复率。激光束是线性和垂直偏振的,并且具有小于250fs的脉冲持续时间(FWHM)。它需要100-240 V的交流电源。该激光器基于无SESAM技术,可确保出色的指向稳定性,并具有用于增强工艺的内置突发模式。它采用3U机架式单元,尺寸为600 X 350 X 130立方毫米,是消费电子、集成光子学、显示器和微处理应用的理想选择。

  • 碧玉X0 激光器模块和系统
    波兰
    类型: Laser System 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Femtosecond Lasers 波长: 1030 nm 可调谐: No

    Fluence Technology的Jasper X0是一款光纤激光器,工作波长为1030 nm.它提供高达60 W的输出功率和高达100μJ的脉冲能量,脉冲持续时间高达250 FS,重复频率高达600 kHz.该激光器是线性/垂直偏振的,并且具有小于1.3的光束质量(M2)。它需要100-240 V的交流电源,功耗高达650 W.Jasper X0因其结构和无芝麻技术而异常坚固可靠。它具有单片全光纤放大振荡器,可提供快速预热时间和更好的长期稳定性。使用谐波产生模块(HGM),该激光器可以具有515、343、258nm的可选波长输出。它有一个内置的脉冲选择器,用于按需脉冲和基本重复率的划分。该激光器具有用于工艺增强的内置突发模式和外部门控触发。它采用激光头模块,尺寸为1096 X 446 X 100 mm,是工业、科学和医疗应用的理想选择。

  • CB3-80W 激光器模块和系统
    立陶宛
    厂商:Light Conversion
    类型: Laser System 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Femtosecond Lasers 波长: 1029 ± 5 nm 可调谐: No

    来自光转换的CB3-80W是工作在1030nm的飞秒激光器。它的平均功率高达80瓦,脉冲能量超过800μJ,脉冲持续时间从290fs到10ps.该激光器具有<0.5%RMS的优异功率稳定性。该激光器具有60kHz至2MHz的重复率,当与用于输出脉冲定时的内置脉冲选择器和具有<10微秒响应时间的全尺寸能量控制相结合时,能够实现发射的任意整形。CB3-80W激光器发射ASE背景<10-9的纯脉冲,以及最近更新的最大能量规格,无论环境条件如何,都不会影响光束质量、工业级可靠性和光束稳定性。该激光器的输出可以被分成几个皮级和纳米级分离的脉冲的脉冲串,同时具有修改脉冲串包络的能力。它在110至220 V的交流电源电压下工作,功耗高达1200瓦。这种垂直偏振激光器具有集成谐波发生器,允许在514nm、343nm和257nm的不同波长下应用飞秒。该激光器采用模块形式,激光头尺寸为632(L)×305(W)×173(H)mm,是工业和科学应用的理想选择。

  • Cobolt Tor™ XE 532纳米 激光器模块和系统
    德国
    类型: Laser System 技术: Q-Switched Laser, DPSS Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 532.1 nm

    来自HÜBNER Photonics的Cobolt Tor Xe 532 nm是一种Q开关二极管泵浦激光器,工作波长为532 nm.它提供超过75千瓦的峰值功率,长期稳定性高达3%。该空间模式(TEM00)激光器提供250μJ的脉冲能量,脉冲宽度高达2 ns,通过外部或内部触发器控制从单脉冲到1 kHz的重复频率。它产生直径为0.4mm的光束,光束发散度为5mrad,M2因子小于1.3。该线性和垂直偏振激光器需要12V的DC电源,并且消耗6.67A的电流。它可以通过USB接口进行控制。Cobolt Tor Xe 532 nm基于专有的HTCURE技术,提供卓越的坚固性和可靠性,使其适合OEM集成到要求苛刻的环境中。它采用尺寸为50 X 70 X 144 mm的紧凑型密封激光头模块和SMB连接器。它是LIBS、显微解剖、MALDI-TOF、测距、拉曼激光雷达、微加工、激光打标、光声学和其他工业和科学应用的理想光源。

  • CVN 63-90ECL 半导体激光器
    美国
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 905 nm 输出功率: 0 to 75 W 工作电流: 35 A 类型: Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode

    OSI Laser Diode的CVN 63-90ECL是一款集成微透镜的脉冲激光二极管,工作波长为895至915 nm.该激光器的脉冲宽度为100纳秒,峰值功率超过75瓦,同时消耗30 A的输入电流。它为发射的快轴(垂直轴)和慢轴(平行轴)提供了具有等效发散值(8×8 FWHM)的远场光束模式。经调整的远场图案提供进入标准球面透镜系统的较高耦合效率。这款符合RoHS标准的激光器/透镜采用9毫米密封封装,是关键国防应用(如现场部署的测距仪)的理想选择。

  • LDX-4119-660 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    工作模式: CW Laser 波长: 660 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.1 V 工作电流: 21000 mA

    来自RPMC Lasers Inc.的LDX-4119-660是在660nm的波长下工作的激光二极管阵列。它有一个100 X 19µm发射器,可提供10 MW的输出功率。该TE偏振激光二极管阵列的光谱宽度为1nm(FWHM),光束发散角为7度(平行)和40度(垂直)。在大多数封装上,这种激光二极管阵列的芯片连接可以是硬焊接或软焊接,并且具有高精度放置,无助焊剂、无空隙、均匀的键合线厚度。它需要9400 mA的阈值电流和消耗21000 mA电流的2.1 V直流电源。该激光二极管采用CS封装,尺寸为4.5 X 4 X 0.5 mm,是牙科激光器、机器视觉激光器、光遗传学激光器、PDT激光器和RGB激光器的理想选择。

  • LDX-4224-750 半导体激光器
    美国
    厂商:RPMC Lasers Inc.
    工作模式: CW Laser 波长: 750 nm 输出功率: 20 mW 工作电压: 1.9 V 工作电流: 28000 mA

    RPMC Lasers的LDX-4224-750是一种激光二极管阵列,工作波长为750 nm.它的输出功率为20 MW,光谱宽度为1 nm(FWHM)。该TM偏振激光二极管阵列的发射器尺寸为100 X 24µm,光束发散度为7度(平行)和26度(垂直)。它的阈值电流为12 A,需要1.9 V直流电源,消耗28 A电流。该激光二极管阵列采用4.5 X 4 X 0.5 mm的基板上芯片(CS)封装,是牙科激光、机器视觉激光、夜视激光和PDT激光应用的理想选择。

  • HL63623HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 632 to 644 nm 输出功率: 1.6 to 1.9 W 工作电压: 2.25 to 2.8 V 工作电流: 1550 to 1850 mA

    Ushio Opto Semiconductors的HL63623HD是AlGaInP单发射极激光二极管,输出波长为638 nm.它产生1.9W的脉冲输出功率和1.6W的连续输出功率,墙壁插头效率为43%。该多横模激光二极管分别具有10度(平行)和33度(垂直)的光束发散度。它的反向电压为2 V,阈值电流高达420 mA.该红色激光二极管需要2.25 V的直流电源,消耗高达1550 mA的电流。它采用9 mm的CAN封装,是激光投影仪、激光模块和激光电视应用的理想选择。

  • HL65261MG系列 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW / Pulse Laser 工作电压: 2.6 to 3.3 V 工作电流: 90 to 120 mA 阈值电流: 30 to 50 mA 激光增益介质: AlGaInP

    Ushio Inc.的HL65261MG系列是工作波长为658 nm的AlGaInP激光二极管。它们在横向模式下工作,提供85 MW(CW)和310 MW(脉冲)的光输出功率,墙上插头效率为34%。这些激光二极管的光束发散角(FWHM)为7.5°(平行)和15°(垂直),阈值电流高达50mA.它们需要2.6 V的直流电源,消耗90 mA(连续波)和245 mA(脉冲)的电流。这些激光二极管采用直径为5.6 mm的CAN封装,非常适合TOF传感器(距离传感器)、光电传感器和激光雷达应用。

  • HL67203HD 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    波长: 675 nm 输出功率: 1.3 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 1380 mA 阈值电流: 360 mA

    来自Ushio Inc.的HL67203HD是在675nm的波长下工作的AlGaInP多模激光二极管。它提供1.3 W的光输出功率。该激光二极管具有12°的平行光束发散角和32°的垂直光束发散角。它的工作电压约为2.2 V,工作电流约为1.38 A.它采用紧凑型高散热Ø9 mm CAN封装,非常适合光动力疗法、光免疫疗法、生命科学、激光模块、医疗和保健应用。

  • NDB4216E 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 450 to 460 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.2 V 工作电流: 0.11 A

    来自Nichia Corporation的NDB4216E是4类激光二极管,其工作波长为450nm至460nm.它的连续波输出功率为0.1 W,斜率效率为1.2 W/A,波束指向精度为±2.5°(平行)和±3°(垂直)。这款单发射器激光二极管的光束发散角为8.5°(平行)和23°(垂直),符合RoHS规范。阈值电流为30 mA,工作电压为5.2 V,功耗为0.11 A.这款单模激光二极管采用浮动安装的CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带有一个光电二极管和一个齐纳二极管。它是评估或设计应用程序的理想选择。

  • NDU4116 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 370 to 380 nm 输出功率: 0.07 W 工作电压: 5.4 V 工作电流: 0.11 A

    NDU4116是一款紫外激光二极管,工作波长为370-380 nm,斜率效率为1.2 W/A,光输出功率为70 MW,光束指向精度为±3°。该激光二极管的平行光束发散角为9°,垂直光束发散角为22.5°。该器件的阈值电流为50 mA,PD反向电压高达5 V.这款单模激光二极管采用浮动安装式CAN封装,带一个光电二极管和一个齐纳二极管,尺寸为Ø5.6。它是激光加工、3D打印机、曝光设备、激光显微镜、医疗设备、光刻流式细胞仪、内窥镜和光纤应用的理想选择。

  • NDV4316 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0.12 W 工作电压: 4.8 V 工作电流: 0.12 A

    来自Nichia Corporation的NDV4316是在405nm的波长下工作的紫色激光二极管。这种单模激光二极管的输出功率为120mW,斜率效率为1.4W/A,平行发散角为9度,垂直发散角为19.5度。它需要35 mA的阈值电流,并具有内置的齐纳二极管以防静电。它采用Ø5.6 mm封装,是测量仪器和家用电器的理想选择。

  • WLD-175-405 半导体激光器
    加拿大
    厂商:World Star Tech
    工作模式: CW 波长: 405 nm 工作电压: 5 V 工作电流: 150 mA 阈值电流: 55 mA

    World Star Tech的WLD-175-405是一款蓝紫色激光二极管,工作波长为405 nm.该激光器输出功率为175mW,斜率效率为1.1W/A,垂直发散角为20°,平行发散角为9°。要求阈值电流为55 mA,反向电压高达2 V.该激光二极管功耗为150 mA,要求直流电源为5 V.采用Ø5.6 mm封装,非常适合生物医学应用。

  • QL83H6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 830 nm 输出功率: 0.02 W

    Roithner Lasertechnik的QL83H6SA是一款具有量子阱结构的单模AlGaAs红外激光二极管,工作波长为830 nm.它的光输出功率为20mW,斜率效率为0.6W/A.该激光二极管具有9°的平行光束发散角和30°的垂直光束发散角。它需要1.9 V的工作电压和45 mA的电流。该器件采用集成PD的5.6 mm TO-CAN封装,是许多工业应用的理想选择。

  • QL94J6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 940 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率,并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度(平行)、23-33度(垂直),光束角为±3°(平行和垂直)。它需要高达2.5 V的电源电压,功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术设计的,具有量子阱结构。它采用TO18封装,带有一个平面窗口,适合工业应用。

  • QL63D43A/B 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 30 mA

    来自Quantum Semiconductor International的QL63D43A/B是连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm,斜率效率为0.65 MW.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它的平行光束发散度为8度,垂直光束发散度为34度。这款QL63D43A/B需要21 mA的阈值电流、30 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用3.3 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪、激光模块和条形码读取器应用。