Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的T1070P是一款光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为6 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.1 V，发射极集电极电压（击穿）为1.5 V，波长（光谱灵敏度）为440至800 nm.有关T1070P的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的T1090P6是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为80 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为620至1000 nm.有关T1090P6的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为85 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息，请联系我们。

Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管，光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片，并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极（C-E）击穿电压为70 V，C-E暗电流高达200 nA，C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs，截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装，尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm，非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

来自Marktech Optoelectronics的MTD6000PT-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关MTD6000PT-T的更多详细信息，请联系我们。

Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm，开关时间（上升/下降）为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA，C-E饱和电压为0.2 V，集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装，尺寸为Ø5.4 mm，是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。

Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息，请联系我们。

Marktech Optoelectronics的MTD8600T-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T-T的更多详细信息，请联系我们。

Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息，请联系我们。

Rohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管，其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA，暗电流高达0.5μA，集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有Ø1.5透镜，半角为±32度，响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装，非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。

来自TT Electronics的OP303SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.6至12.0 mA.有关OP303SL的更多详细信息，请联系我们。

来自TT Electronics的OP506A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP506A的更多详细信息，请联系我们。

来自TT Electronics的OP506B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP506B的更多详细信息，请联系我们。

来自TT Electronics的OP506C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP506C的更多详细信息，请联系我们。

来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息，请联系我们。

TT Electronics的OP506W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP506W的更多详细信息，请联系我们。

来自TT Electronics的OP508FB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.65至5.1 mA.有关OP508FB的更多详细信息，请联系我们。

来自TT Electronics的OP509B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.4至10.6 mA.有关OP509B的更多详细信息，请联系我们。

来自TT Electronics的OP538FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为6.8 mA.有关OP538FA的更多详细信息，请联系我们。