• 激光二极管FKLD-5S-650-70X-L 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-650-70X-L是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-650-70X-L是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于DVD播放器和DVD ROM以及其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-670-60x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-670-60X是670nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-670-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-670-70x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.670um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-670-70X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-670-70X是一款连续单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管fkld-5s-850-60x 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 5mW

    FKLD-5S-850-60X是用MOCVD半导体激光器制备的850nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-5S-850-60X是一款连续单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-60S-640-40X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.640um 输出功率: 60mW

    FKLD-60S-640-40X是用MOCVD半导体激光器制备的640nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-60S-640-40X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-7S-650-70X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.655um 输出功率: 7mW

    FKLD-7S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-7S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头(DVD+CDRW组合驱动器)和其他光电系统。

  • 激光二极管FKLD-80S-660-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.660um 输出功率: 80mW

    FKLD-80S-660-60X是660nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-80S-660-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于便携式高密度光盘驱动器和其它光电子器件系统。

  • 激光二极管FKLD-9S-680-60X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.680um 输出功率: 9mW

    FKLD-9S-680-60X是680nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FKLD-9S-680-60X是一款CW单模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

  • 激光二极管flo-550 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 500mW

    FLO-550是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的基于GaInP/InP多量子阱异质结构的1550nm高功率半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLO-550采用HHL密封封装,集成TEC、热敏电阻和监控二极管,以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光学输出。本发明适用于各种光电系统和宽温度范围的应用。范围。

  • 激光二极管flo-601 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.480um 输出功率: 10mW

    FLO-601–基于InGaAsP/InP异质结构的单模FP激光器,连续输出功率为10mW,发射波长为1470~1490nm。激光二极管采用INSOT-148(9mm)外壳,内置监控光电二极管,可在宽温度范围内工作,具有高输出功率稳定性和超过105小时的使用寿命。FLO-601–是报警和光学同步的较佳光源。

  • 激光二极管FNLD-100S-1030X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.03um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1030X是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-100S-1030X是一款连续单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1060X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1060X是用MOCVD半导体激光器制作的1060nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-100S-1060X是一款采用SOT-148 9mm封装的CW单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1532/1550X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.532um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-100S-1532/1550X 0.1W 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 100mW

    FNLD-100S-1532/1550X是用MOCVD半导体激光器制作的GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-100S 1532/1550X是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管 FNLD-10S-1064-miniDIL 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.064um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1064-MINIDIL是一种基于InGaAs/GaAs量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-10S-1064-MINIDIL采用MINI DIL密封封装,集成监控二极管以稳定功率输出。将激光二极管发射耦合到SM光纤中。光纤连接器:FC/PC,ST,SC,SMA-905-可用。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1300D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.300um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1300D是用MOCVD半导体激光器制作的1300nm GaInAsP/InP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S 1300D是一款CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-10S-1550D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.550um 输出功率: 10mW

    FNLD-10S-1550D是用MOCVD半导体激光器制作的1550nm GaInAsP/InP多量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FNLD-10S-1550D是一款连续单横模注入半导体激光器,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1014D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.014um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1014D是用MOCVD半导体激光器制作的1014nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1014D是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1022C 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.022um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1022C是用MOCVD半导体激光器制备的1022nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1022C是CW单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FNLD-50S-1030D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.030um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1030D是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1030D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。