Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为2ns，带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V，电容为9-60 PF，暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm，有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为9ns，带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V，电容为36-400 PF，暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm，有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管，光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W，上升时间为17ns，带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V，电容为77-530 PF，暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源，功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装，非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

Excelitas Technologies的ExactD-332是一款光谱范围为500-1650 nm的光电二极管模块。它可以从激光测距仪、目标指示器和主动激光光电（E.O.）系统的直接和间接散射光中探测并提供精确的到达角（AOA）信息。该光电二极管使用组装在夹层结构中的5元件Si和InGaAs检测器阵列，并结合3位数字格雷码掩模，以将入射激光束AOA转换为3位数字图案。它具有0.2-0.7A/W的响应度和60dB的动态范围。该光电二极管的上升时间为5 ns，结面积为0.75 mm2，视场为±45°。它的电容为13.5 PF，击穿电压为25 V.EXACTD-332采用TO-8 CAN封装，非常适合激光报警接收器系统、位置确定系统和方向辅助应用。

OSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管，工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm，并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装，具有宽带双面AR涂层平面窗口，非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。

来自Qphotonics的QSDM-1020-2是中心波长为1014nm的单模光纤尾纤超辐射发光二极管（SLD）。它提供高达1.5 MW的输出功率，并具有宽度为30 nm（FWHM）的低波纹光谱。该SLD具有高达2.5 V的正向电压和小于300 mA的正向电流。它具有可选的内置监视器光电二极管和FC/APC连接器。该二极管是传感、测量和相干层析成像的理想选择。

来自Qphotonics的QSDM-1050-2是一种超辐射发光二极管，波长为1040至1060 nm，输出功率为1至2 MW，带宽（FWHM）为30至35 nm（光谱宽度），工作电流为133 mA，正向电压为2至2.5 V.QSDM-1050-2的更多详细信息见下文。

来自Qphotonics的QSDM-1050-9是一种超辐射发光二极管，波长为1040至1060 nm，输出功率为9至12 MW，带宽（FWHM）为33.44至35 nm（光谱宽度），工作电流为158 mA，正向电压为1.5至2.5 V.

来自Qphotonics的QSDM-1060-10D是一种超辐射发光二极管，其波长为1040至1070 nm，输出功率为8至10 MW，带宽（FWHM）为60至70 nm（光谱宽度），工作电流为219 mA，正向电压为2至2.2 V.

来自Qphotonics的QSDM-1280-1WB是一种超辐射发光二极管，其波长为1250至1330 nm，输出功率为0.75至1 MW，带宽（FWHM）为50至70 nm（光谱宽度），工作电流为146 mA，正向电压为1.8至2.2 V.

来自Qphotonics的QSDM-1300-1是一种超辐射发光二极管，波长为1290至1330 nm，输出功率为0.2 MW，带宽（FWHM）为25至30 nm（光谱宽度），工作电流为89 mA，正向电压为1.2至1.6 V.

来自Qphotonics的QSDM-1300-2是一种超辐射发光二极管，波长为1300至1320 nm，输出功率为1至2 MW，带宽（FWHM）为25至27 nm（光谱宽度），工作电流为190 mA，正向电压为1.5至2 V.

来自Qphotonics的QSDM-1300-2W是一种超辐射发光二极管，波长为1290至1320 nm，输出功率为0.5至1 MW，带宽（FWHM）为43.27至45 nm（光谱宽度），工作电流为120至132 mA，正向电压为1.5至1.7 V.

来自Qphotonics的QSDM-1300-5是一种超辐射发光二极管，其波长为1300至1320 nm，输出功率为4至5 MW，带宽（FWHM）为20至31 nm（光谱宽度），工作电流为440 mA，正向电压为1.8至2.4 V.

来自Qphotonics的QSDM-1300-9是一种超辐射发光二极管，其波长为1300至1320 nm，输出功率为7至11 MW，带宽（FWHM）为30 nm（光谱宽度），工作电流为200 mA，正向电压为1.5至2 V.

来自Qphotonics的QSDM-1300-S是波长为1300至1320nm、输出功率为7.5至20mW、带宽（FWHM）为25nm（光谱宽度）、正向电压为1.5至2.2V、正向电流为300至400mA的超辐射发光二极管。有关QSDM-1300-S的更多详细信息，请联系我们。

来自Qphotonics的QSDM-1550-1是波长为1510至1560nm、输出功率为0.1至0.3mW、带宽（FWHM）为35至37nm（光谱宽度）、工作电流为120mA、正向电压为1.3至1.8V的超发光二极管。

来自Qphotonics的QSDM-1550-2是波长为1510至1560nm、输出功率为1至2mW、带宽（FWHM）为35至37nm（光谱宽度）、工作电流为250mA、正向电压为1.8至2.4V的超发光二极管。

来自Qphotonics的QSDM-1550-20是一种超辐射发光二极管，其波长为1520至1570 nm，输出功率为20 MW，带宽（FWHM）为40至50 nm（光谱宽度），工作电流为510 mA，正向电压为1.5至2 V.

来自Qphotonics的QSDM-1550-2W是一种超辐射发光二极管，波长为1510至1560 nm，输出功率为0.5至1 MW，带宽（FWHM）为55至56.94 nm（光谱宽度），工作电流为145至160 mA，正向电压为1.3至1.6 V.