FIDL-50S-895X是用MOCVD半导体激光器制作的895nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-895X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-905X是用MOCVD半导体激光器制备的905nm InGaAs/GaAs单量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-905X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-940X是用MOCVD半导体激光器制备的940nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50S-940X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-950X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50S-950X是一种CW单模注入半导体激光二极管与内置监测光电二极管，以稳定输出功率。这个激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-960X是用MOCVD半导体激光器制作的960nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50S-960X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50S-980X是用MOCVD半导体激光器制备的980nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50S-980X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-775C-N是775nm AlGaAs/GaAs量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-5S-775C-N是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-5S-9500X是用MOCVD半导体激光器制作的950nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-5S-950X是一款CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-650M-808E是AlGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-650M-808E是一款CW多模注入式半导体激光二极管，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

FJLD-100S-660-TO56-60TX是为高输出功率应用而设计的660 nm 100mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。

FJLD-100S-785-TO56-70TX是一款785nm 100mW量子阱半导体激光器，专为高输出功率应用而设计。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。

FJLD-120S-660-TO56-60TX是专为高输出功率应用而设计的660 nm 120mW量子阱半导体激光器。激光二极管与监视器PD一起提供在TO-56外壳中，并用平板玻璃盖密封。

FKLD-100S-830-60-PD-X是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-100S-830-60-PD-X是一款CW单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于目标指示、固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

FKLD-100S-830-60-WPD是用MOCVD半导体激光器制备的830nm AlGaAs量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-100S-830-60-WPD是一种连续单横模注入半导体激光器。该激光器适用于固体激光泵浦、医疗应用和其他光电系统。

FKLD-10S-637-50X是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-637-50X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

FKLD-10S-637-50X-L是637nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-637-50X-L是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

FKLD-10S-650-60X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-650-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

FKLD-10S-650-70X是650nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-650-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于光学拾取头和其他光电系统。

FKLD-10S-670-60X是用MOCVD半导体激光器制备的670nm AlGaInP量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-670-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

FKLD-10S-670-70X是670nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-10S-670-70X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。