FIDL-15S-675D是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCV法制备多量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-15S-675D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-20S-650D是基于GaInAlP的650nm激光二极管MOCVD制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-650D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统的应用。

FIDL-20S-675D是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-20S-675D是连续单模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-660D是CW多模注入半导体激光器。它以9毫米外壳提供内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-675D是用MOCVD方法制备的基于GaInAlP多量子阱结构的675nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-250M-675D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-685D是基于GaInAlP多量子阱结构的685nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-685D是CW多模注入半导体激光器。它以9毫米外壳提供内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-250M-695D是基于GaInAlP多量子阱结构的695nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-250M-695D是CW多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30M-639B是基于GaInAlP多量子阱结构的639nm半导体激光器，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30M-639B是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

FIDL-30M-650X是用MOCVD方法制备的基于GaInAlP多量子阱结构的650nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30M-650X是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电子器件的应用系统

FIDL-30M-675D是基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30M-675D是CW多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。本发明的激光二极管适用于各种光电子器件中系统。

FIDL-30M-690D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的690nm半导体激光器，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30M-690D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电子器件系统。

FIDL-30S-675是基于GaInAlP的675nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-675是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-685是基于GaInAlP的685nm激光二极管MOCVD制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-685是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-30S-695是基于GaInAlP的695nm激光二极管MOCVD法制备多量子阱结构低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-695是一种连续单模注入半导体激光器。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-650D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的650nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50M-650D是CW多模注入半导体激光器。它以9毫米外壳提供内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-660D是一种基于GaInAlP多量子阱结构的660nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FIDL-50M-660D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9毫米外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-675D-50N是一种基于GaInAlP多量子阱结构的675nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-50M-675D-50N是CW多模注入半导体激光二极管。它采用9mmSOT-148外壳，内置监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-685D是基于GaInAlP多量子阱结构的685nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50M-685D是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-50M-698B是用MOCVD方法制备的698nm GaInAlP多量子阱激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-50M-698B是一种连续多模注入半导体激光器。它采用9mm SOT-148外壳，内置监控二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FKLD-50S-685-60X是685nm InGaAlP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-50S-685-60X是一款连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。