• I940-2902-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 输出功率: 5 W 工作电压: 2.2 V 工作电流: 6 A

    II-VI Incorporated的I940-2902-G01是一款激光二极管,输出功率为5 W,输出功率为5 W,工作电压为2.2 V,工作电流为6 A,工作电流为6 A.I940-2902-G01的更多详情见下文。

  • SEC9-940-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 工作电压: 1.9 V 工作电流: 9.5 A

    来自II-VI Incorporated的SEC9-940-01是波长为940nm、工作电压为1.9V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SEC9-940-01的更多详细信息,请联系我们。

  • SES12-9xx-03 半导体激光器
    技术: Quantum Well 输出功率: 12 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: < 12 A 阈值电流: 550 mA

    II-VI Incorporated的SES12-9xx-03是一款单发射器激光二极管,工作波长为915 nm、940 nm和975 nm.它提供高达12 W的输出功率,并具有4 nm的光谱宽度(FWHM)。该激光器需要1.7 V的直流电压,阈值电流高达550 mA.它的设计采用了专有的E2前镜钝化工艺,可防止灾难性的光学损伤(COD)。激光二极管的尺寸为400 X 150 X 90µm,非常适合光纤激光器泵浦、材料加工和医疗应用。

  • SES13-940-94-01 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 工作电压: 1.65 V 工作电流: 13 A 阈值电流: 550 mA

    II-VI Incorporated的SES13-940-94-01是波长为940nm、工作电压为1.65V、工作电流为13A、阈值电流为550mA的激光二极管。有关SES13-940-94-01的更多详细信息,请联系我们。

  • SES22-9xx-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 22 W 激光颜色: Infrared 类型: Free Space Laser Diode

    II-VI SES22-9xx-01单发射器激光二极管系列旨在为下一代光纤激光器和其他高功率激光二极管应用的200mm纤芯光纤泵浦配置提供最高的输出功率和效率。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。单发射极激光二极管的P面朝下安装在优化的基台上,热阻非常低。该系列可提供915、940和975 nm的标准波长(其他可根据要求提供)。激光二极管是光纤激光器泵浦、材料加工、印刷和医疗应用的理想选择。

  • SES4-940-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 工作电压: 1.7 V 工作电流: 5 A

    来自II-VI Incorporated的SES4-940-01是波长为940nm、工作电压为1.7V、工作电流为5A、阈值电流为250mA的激光二极管。有关SES4-940-01的更多详细信息,请联系我们。

  • SES4-940B-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 工作电压: 1.7 V 工作电流: 5 A

    II-VI Incorporated的SES4-940B-01是波长为940nm、工作电压为1.7V、工作电流为5A、阈值电流为250mA的激光二极管。有关SES4-940B-01的更多详细信息,请联系我们。

  • SES9-940-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 工作电压: 2.2 V 工作电流: 9.5 A

    来自II-VI Incorporated的SES9-940-01是波长为940nm、工作电压为2.2V、工作电流为9.5A、阈值电流为500mA的激光二极管。有关SES9-940-01的更多详细信息,请联系我们。

  • V940-8904-G01 半导体激光器
    技术: Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser (VCSEL) 工作模式: Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 7 to 110 W 工作电流: 4 A

    II-VI Incorporated的V940-8904-G01是一款多模双结VCSEL(激光器)阵列,工作波长为940 nm.它在短脉冲中提供高达110 W的输出功率。VCSEL提供高功率转换效率和斜率效率。它需要低工作电流,这降低了电感对上升时间的影响,最大限度地减少了电磁干扰(EMI),并简化了用于产生短脉冲的驱动器设计。VCSEL是红外照明、短程激光雷达和3D相机(移动、物联网)应用的理想选择。

  • 拉皮德系列 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser 输出功率: 40 to 80W 工作电压: 2 V 工作电流: 50 to 90 A 堆栈/阵列: Array/Stack

    来自SIMIConductor Devices的LAPID系列是波长为808nm、915nm、940nm的激光二极管,输出功率为40至80W,工作电压为2V,工作电流为50至90A,输出功率(连续波)为40至80W.有关LAPID系列的更多详细信息,请联系我们。

  • 奥德姆 半导体激光器
    以色列
    巴条配置: Vertical Stack 工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 输出功率: 150 W 工作电压: 18 V

    来自SIMIConductor Devices的ODEM是波长为940nm、输出功率为150W、工作电压为18V、工作电流为170A、输出功率(CW)为150W的激光二极管。

  • 蛋白石2 半导体激光器
    以色列
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 940 nm 输出功率: 100 W 工作电压: 3.2 V 工作电流: 120 A

    来自SIMIConductor Devices的Opal 2是波长为940nm、输出功率为100W、工作电压为3.2V、工作电流为120A、输出功率(CW)为100W的激光二极管。Opal 2的更多细节可参见下文。

  • RLD94SAQ6 半导体激光器
    日本
    波长: 940 nm 输出功率: 0.2 W 阈值电流: 70 mA

    Rohm Semiconductor的RLD94SAQ6是一款红外VCSEL二极管,工作波长为940 nm.它的光输出功率为200mW,转换效率为33%。该激光二极管具有0.85W/A的斜率效率和13度的光束发散FWHM.它的正向电压为2 V,正向电流为300 mA,阈值电流为70 mA.这款VCSEL二极管采用超薄SMD封装,尺寸为3 X 2 X 0.77 mm,非常适合3D深度传感器、TOF传感器、红外照明、距离测量、障碍物检测和手势识别应用。

  • ADL-94Y01EY-F2 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 输出功率: 0.2 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.35 to 0.4 A 阈值电流: 45 to 65 mA

    Laser Components的ADL-94Y01EY-F2是一款940nm红外激光二极管,可提供220 MW的光输出功率。该激光器需要45mA的阈值电流。它采用3.5 X 3.5 X 0.75 mm表面贴装封装,非常适合激光测距、光纤激光器泵浦和3D传感应用。

  • ADL-94Y01IY-F1 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 输出功率: 0.2 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.35 to 0.4 A 阈值电流: 45 to 65 mA

    来自Laser Components的ADL-94Y01IY-F1是一款激光二极管,波长为930 nm、940 nm、950 nm,输出功率为200 MW,输出功率为0.2 W,工作电压为1.9 V,工作电流为0.35至0.4 A.ADL-94Y01IY-F1的更多详情见下文。

  • FAP800-R-40W-930.0to950.0-F<6.0-25C 半导体激光器
    美国
    厂商:相干公司
    工作模式: CW or QCW 波长: 940 nm 输出功率: 40 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: 54 A

    Coherent Inc.的FAP800-R-40W-930.0to950.0-F<6.0-25C是一款激光二极管,波长为940 nm,输出功率为40 W,输出功率为40 W,工作电压为1.7 V,工作电流为54 A.FAP800-R-40W-930.0to950.0-F<6。

  • 路易通 半导体激光器
    德国
    厂商:Lumics GmbH
    工作模式: CW Laser 波长: 940 nm 输出功率: 9 W 工作电压: 1.8 V 工作电流: 11.5 A

    LUICS的LU0940T090是一款波长为940 nm、输出功率为9 W、工作电压为1.8 V、工作电流为11.5 A、阈值电流为700 mA的激光二极管。有关LU0940T090的更多详细信息,请联系我们。

  • e18.1350940105 半导体激光器
    美国
    应用行业: Material Processing, Laser Pumping 波长: 940 nm 输出功率: up to 135 W 工作电压: 24.3 to 26.3 V 工作电流: 14 A

    来自nLight Corporation的E18.1350940105是在940nm的波长下工作的单发射器激光二极管。它产生135 W的连续输出功率,电光转换效率为40%。该激光器的光谱宽度(FWHM)为4nm,阈值电流为0.5A,光纤芯径为105μm,长度为2m.该激光二极管将nLight的高亮度NXLT高功率单发射二极管与专有光学设计相结合,以实现高效可靠的光纤耦合。E18.1350940105需要24.3 V的直流电源,并消耗14 A的电流。该模块尺寸为97 X 76 X 14 mm,是光纤激光器泵浦、固态激光器泵浦和直接二极管材料加工应用的理想选择。

  • BSC41104 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 1940 nm 输出功率: 1 W 工作电压: 1.8 V

    Brolis Semiconductors公司的BSC41104是一种波长为1940nm、输出功率为1W、工作电压为1.8V、工作电流为6.5A、阈值电流为450mA的激光二极管。有关BSC41104的更多详细信息,请联系我们。

  • FL30000080B4CM 半导体激光器
    立陶宛
    技术: Fabry-Perot Laser (FP) 工作模式: CW Laser 波长: 2940 to 3050 nm 输出功率: 0.017 to 0.028 W 工作电压: 1 to 2 V

    Brolis Semiconductors的FL30000080B4CM是一种激光二极管,波长为2940至3050 nm,输出功率为0.017至0.028 W,工作电压为1至2 V,工作电流为0.8 A,阈值电流为65至90 mA.有关FL30000080B4CM的更多详细信息,请联系我们。