• IPEVM 1010 半导体激光器驱动器
    美国
    厂商:InPhenix
    应用: Evaluation of InPhenix’s SOA Devices

    半导体光放大器 (SOAs) 特点 可调正向电流高达 650mA* 温度控制在 25°C 单 +5V 电源输入

  • IPEVM 1015 半导体激光器驱动器
    美国
    厂商:InPhenix
    应用: Evaluation of InPhenix’s SOA Devices

    可调正向电流高达 250mA* 温度控制在 25°C 单路+5V电源输入

  • AM85-1N104 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: 0-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5 V 电流: 12mA

    高度均匀性 每通道数据传输速率 > 2.5 Gbps 可根据要求提供其他配置

  • AM85-1AH104 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: 0-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5 V 电流: 10mA

    数据传输速率高达 14 Gbps 1x4 芯片 两个顶部接线焊盘

  • TP85-LCP1HA-xx-Os 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: 0-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5 V 电流: 10mA

    多模 850nm VCSEL 数据传输速率高达 10Gbps 高可靠性 VCSEL 可选柔性或引线型 可提供差分、阴极、阳极驱动 完全隔离 /VCSEL、m-PD、外壳 无衰减涂层 提供 LC/SC 型外壳

  • AP85-2M104/112 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    2.5/3.125Gbps砷化镓 1X4 / 1X12 PIN-PD 芯片阵列

  • AP85-1AH104 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 40 V 电流: 10mA

    14Gbps砷化镓 1x4 PIN-PD 阵列芯片

  • RP85-LCT2HA-xx-Os 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -40-85 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C

    带前置放大器的 10Gbps GaAs PIN PD LC-ROSA

  • HV85-0010M1 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -10-60 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 20mA

    10mW 850 nm VCSEL 芯片

  • HV85-0100M1 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -10-60 Degree C 储存温度: -40-75 Degree C 电流: 150mA

    用于传感器的 100mW 850 nm VCSEL 芯片

  • HV85-1000P1 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 850 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电压: 5 V(max 10 sec) 电流: 2.5 A(max 10 sec)

    1 瓦 850 纳米 VCSEL 芯片,60 摄氏度

  • HV94-1000P1 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 940 nm 工作温度: -20-85 Degree C 储存温度: -40-85 Degree C 电流: 2.5 A(max 10 sec)

    1 瓦 940 纳米 VCSEL 芯片,温度 60 摄氏度

  • SR65-02E10 激光器模块和系统
    韩国
    厂商:Optowell
    波长: 650 nm 工作温度: -20-70 Degree C 储存温度: -40-100 Degree C 电压: 5V (@10μA) 电流: 10 mA

    用于传感器的 650nm LED 芯片

  • V00145 795 nm VCSEL垂直腔表面发射激光器芯片(裸片) 半导体激光器
    美国
    厂商:Vixar Inc.
    波长: 795 nm 类型: VCSEL芯片(裸片) 正向电压: 1.8 V 芯片技术: GaAs VCSEL 应用行业: 原子钟,磁力计

    来自Vixar的V00145,是波长为795nm的单模VCSEL芯片(裸片)。输出功率为0.13mW,线宽≤100MHz,调制带宽≥3.4GHz,可应用于原子钟,磁力计。该产品为现货,如有需要,请联系我们。

  • 电流-电压放大器 跨阻放大器
    美国
    分类:跨阻放大器
    厂商:ARI CORP

    PMT-5 是一款低噪声直流耦合电流电压放大器,具有较大的输入灵敏度范围:10pA/V 至 1uA 带宽限制为 300kHz

  • 单频高功率纳秒激光器 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    重复率: 10000 Hz 波长: 1064 nm 电源稳定性: 1 % 脉冲能量: 1mj 光束质量因子(M2): <1.2

    PULSELAS-A-1064-10W-SF™ 是一款功能强大的二极管泵浦单频纳秒激光系统,可在 10 kHz 脉冲重复频率下提供 1 mJ 的脉冲能量。它的工作基本波长为 1064 nm。频率转换为 532 nm、355 nm 和 266 nm 波长是可选的。这种激光器的独特特性,如近乎变换极限的光谱宽度、同时高平均功率和峰值功率、衍射极限输出光束等,使其成为众多科学和工业应用的理想选择,包括光学气象学、干涉测量、高分辨率激光光谱学、光纤通信、单脉冲全息术等。以太网连接允许即使在偏远、难以到达或危险区域也能轻松访问和控制激光系统。

  • 光束质量分析仪V1.0 光谱分析仪
    加拿大
    分类:光谱分析仪
    厂商:World Star Tech

    感谢您选择 World Star Tech BeamCam!BeamCam 经过专门设计,可帮助您获得对激光器光学特性的新知识。BeamCam 非常适合工业、质量保证或开发目的,可让您以 1280 x 1024 的分辨率查看光束的复杂细节,尺寸低至 6um。 随附的 PC 软件是您接触传感器的窗口。它以 2D 形式显示梁的轮廓。一维横截面轮廓沿任意线显示,或沿梁椭圆的 x 和 y 平面自动显示。实时显示基于轮廓的计算和波束宽度数据。 在设计光学系统时,指向稳定性是一个重要因素。该软件具有波束漂移测量功能,可记录光束在大时间跨度内的运动。

  • 3D坐标测量机TMM 1000 尺寸测量

    TMM 1000是一款高精度的3D坐标测量机,由Schneider Messtechnik GmbH制造,基于气浮轴承的移动轴设计,配有触摸探针、测量笔和参考球,适用于各种精密测量任务。

  • 脉冲发生器-A-1064-300 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    来自AlphaLas的Pulselas-A-1064-300是一种波长为1064 nm、功率为0.3 W(300 MW)、输出功率(脉冲)为0.3 W(300 MW)、脉冲能量为20µJ、工作温度为18至30摄氏度的激光器。Pulselas-A-1064-300的更多详情见下文。

  • 脉冲发生器-A-1064-300 激光器模块和系统
    德国
    厂商:ALPHALAS
    类型: Laser System 技术: DPSS Laser, Q-Switched Laser 工作模式: Pulsed Laser 超快激光: Nanosecond Lasers 波长: 1064 nm

    来自AlphaLas的Pulselas-A-1064-300是一种波长为1064 nm、功率为0.3 W(300 MW)、输出功率(脉冲)为0.3 W(300 MW)、脉冲能量为20µJ、工作温度为18至30摄氏度的激光器。Pulselas-A-1064-300的更多详情见下文。