• FDL-1060-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-1060-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.060um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达2000mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-765-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.765um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主Oszillator功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPaseTUP的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光学陷阱或拉曼光谱。

  • FDL-765-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.765um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达1000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-765-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.765um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-765-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.765um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-780-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.780um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-780-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.780um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-780-2W-TA用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.780um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-780-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.780um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-785-1W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近1000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-785-1W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 1000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-785-2W-TA用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-785-2W-TAL 用于外腔设置的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.785um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-800-0.5W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.800um 输出功率: 500mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近500mW的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-800-0.5W-TAL 锥形放大器,用于外腔设置 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.800um 输出功率: 500mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。

  • FDL-850-2W-TA 用于MOPA的锥形放大器 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-850-2W-TAL 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 2000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近2000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-850-3W-TA 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 3000mW

    GaAs基锥形放大器用于现有种子激光器的放大。在10mW和30mW之间的种子功率可以被放大到接近3000W的衍射极限功率值。这种设置称为MOPA(主振荡器功率放大器)。后端面和前端面都具有小于0.01%的抗反射涂层,以避免放大器芯片本身的激光作用。具有锥形放大器的MOPA装置的应用实例是光学冷却、高分辨率吸收的光阱或拉曼光谱。

  • FDL-850-3W-TAL 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.850um 输出功率: 3000mW

    GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中,以将高达500mW的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层,以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层,以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。