-
波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300LCER的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 10 pF 暗电流: 0.3 to 5 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-300WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为10 PF、暗电流为0.3至5 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为1.5 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-300WCER的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 1310 to 1550 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 0.16 to 0.20 pF 暗电流: 0.5 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.75 to 0.85 A/WOSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-36C是一款光电二极管，波长范围为1310至1550 nm，带宽为9 GHz，电容为0.16至0.20 PF，暗电流为0.5至2 nA，响应度/光敏度为0.75至0.85 A/W.FCI-InGaAs-36C的更多详情见下文。
-
波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W
来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.50至20、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500ACER是波长范围为900至1700nm、电容为20pF、暗电流为0.5至20nA、响应度/光敏度为0.80至0.95A/W、上升时间为10ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500ACER的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500CCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500CCER的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500LCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。FCI-InGaAs-500LCER的更多详情见下文。
-
波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 20 pF 暗电流: 0.5 to 20 nA 响应度/光敏度: 0.80 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-500WCER是波长范围为900至1700 nm、电容为20 PF、暗电流为0.5至20 nA、响应度/光敏度为0.80至0.95 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-500WCER的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 25 pF 暗电流: 0.5 to 15 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q1000是波长范围为900至1700 nm、电容为25 PF、暗电流为0.5至15 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为3 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q1000的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 225 pF 暗电流: 2 to 100 nA 响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-InGaAs-Q3000是波长范围为900至1700 nm、电容为225 PF、暗电流为2至100 nA、响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W、上升时间为24 ns的光电二极管。有关FCI-InGaAs-Q3000的更多详细信息，请联系我们。
-
光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 900 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs 电容: 80 to 1800 pFOSI Laser Diode的FCI-InGaAs-XXX-X系列是InGaAs光电二极管，工作光谱范围为900至1700 nm.它们在1100至1620nm范围内表现出优异的响应度。这些光电二极管的有效面积尺寸为1 mm、1.5 mm和3 mm，并具有5、10、20和40 mΩ的不同分流电阻值。这些光电二极管内部的芯片采用TO-46或TO-5封装，具有宽带双面AR涂层平面窗口，非常适合光学仪器、功率测量、红外传感和医疗设备应用。
-
波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.01 to 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的LSC-5D是一款光电二极管，波长范围670 nm，电容50 PF，暗电流0.01至10 nA，响应度/光敏度0.35至0.42 A/W，上升时间0.25µs.有关LSC-5D的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 3 to 12 pF 暗电流: 1 to 3 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD1-0是波长范围为900 nm、电容为3至12 PF、暗电流为1至3 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为10 ns的光电二极管。有关OSD1-0的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 130 to 1000 pF 暗电流: 30 to 70 nA
来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-0A是波长范围为900 nm、电容为130至1000 PF、暗电流为30至70 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为19 ns的光电二极管。有关OSD100-0A的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 2500 pF 暗电流: 30 nA
OSI Laser Diode，Inc.的OSD100-5TA是一款光电二极管，波长范围436nm，电容2500 PF，暗电流30 nA，响应度/光敏度0.18至0.21 A/W，上升时间45µs.有关OSD100-5TA的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 436nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 390 pF 暗电流: 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD15-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为390 PF，暗电流为10 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为12µs.有关OSD15-5T的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 550 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 80 to 390 pF 暗电流: 2 to 10 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSD15-E是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为80至390 PF，暗电流为2至10 nA，响应度/光敏度为33 nA/Lux.有关OSD15-E的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 900 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 8 to 50 pF 暗电流: 5 to 10 nA来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD5-0是波长范围为900 nm、电容为8至50 PF、暗电流为5至10 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为8 ns的光电二极管。有关OSD5-0的更多详细信息，请联系我们。
-
波长范围: 350 to 1100 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 15 to 85 pF 暗电流: 0.25 to 3 nAOSI Laser Diode，Inc.的OSI-515是一款光电二极管，波长范围为350至1100 nm，电容为15至85 PF，暗电流为0.25至3 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.OSI-515的更多详细信息见下文。
-
波长范围: 254 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 100 pF 响应度/光敏度: 0.025 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的PIN-005D-254F是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为100 PF，响应度/光敏度为0.025 A/W，上升时间为0.1µs.有关PIN-005D-254F的更多详细信息，请联系我们。
产品选型就用光电查
个人中心
退出登录