• UPD-500-UD 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-UD是波长范围170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UD的更多详细信息,请联系我们。

  • UPD-500-UP 光电探测器
    德国
    分类:光电探测器
    厂商:ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间500ps、暗电流0.01nA、带宽0.6GHz、有源区直径0.5mm的光学检测器。有关UPD-500-UP的更多详细信息,请联系我们。

  • FP1015b 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.4 to 0.35 A/W

    Freedom Photonics的FP1015B是一款光学探测器,波长范围为1550 nm,带宽为30至35 GHz,响应度/光敏度为0.4至0.35 A/W.有关FP1015B的更多详细信息,请联系我们。

  • FP1015c 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    波长范围: 1550 nm 响应度/光敏度: 0.1 to 0.15 A/W

    Freedom Photonics的FP1015C是一款光学探测器,波长范围为1550 nm,带宽为60至65 GHz,响应度/光敏度为0.1至0.15 A/W.有关FP1015C的更多详细信息,请联系我们。

  • FP1017a 光电探测器
    美国
    分类:光电探测器
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 850 nm 暗电流: 50 pA 响应度/光敏度: 0.3 to 0.25 A/W

    Freedom Photonics的FP1017A是一款光学探测器,波长范围为850 nm,暗电流为50 pA,带宽为2至3 GHz,响应度/光敏度为0.3至0.25 A/W,有效区域直径为20µm.有关FP1017A的更多详细信息,请联系我们。

  • C30619GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30619GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为0.5ns,带宽为700MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为2-15 PF,暗电流为20 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为0.5 mm,有效面积为0.2 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30641GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30641GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,工作光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为2ns,带宽为150MHz.该光电二极管的击穿电压超过20 V,电容为9-60 PF,暗电流高达50 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该圆形光电二极管的有效直径为1 mm,有效面积为0.8 mm²。它采用符合RoHS规范的TO-18封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30642GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30642GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为9ns,带宽为40MHz.该光电二极管的击穿电压超过15 V,电容为36-400 PF,暗电流小于2 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管的有效直径为2 mm,有效面积为3.1 mm2。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • C30645L-080 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs

    Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管,工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V,响应度为9.4 A/W,量子效率为75%,上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA,反向电流为0.4 mA,功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装,尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm,非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

  • C30662L-200 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1000 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30662L-200是一款InGaAs雪崩光电二极管,工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V,响应度为9.4 A/W,量子效率为75%,上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA,反向电流为0.4 mA,功耗为20 MW.C30662L-200在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。它采用陶瓷SMT封装,尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm,非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费应用。

  • C30665GH-LC 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: PIN 工作模式: Photoconductive 波长范围: 800 to 1700 nm 光电二极管材料: InGaAs RoHS: Yes

    Excelitas Technologies的C30665GH-LC是一款InGaAs PIN光电二极管,光谱范围为800至1700 nm.它在1550nm处的峰值响应度为1.05A/W,上升时间为17ns,带宽为20MHz.该光电二极管的击穿电压超过10 V,电容为77-530 PF,暗电流为5 nA.它需要5 V直流电源,功耗为10 mA.该光电二极管具有3mm的有效直径和7mm2的有效面积。它采用符合RoHS规范的TO-5封装,非常适合光功率计、光纤测试通信、近红外光谱、激光仿形站、仪器和激光雷达应用。

  • QSPDI-28 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:QPhotonics
    波长范围: 630 to 1650 nm 电容: 100 to 140 pF 暗电流: 1 to 2 nA 响应度/光敏度: 0.13 to 0.022 A/W

    来自Qphotonics的QSPDI-28是一款光电二极管,波长范围为630至1650 nm,电容为100至140 PF,暗电流为1至2 nA,响应度/光敏度为0.13至0.022 A/W.有关QSPDI-28的更多详细信息,请联系我们。

  • APD28A 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    厂商:Macom
    模块: No 光电探测器类型: Avalanche 工作模式: Photoconductive 波长范围: 1250 to 1650 nm RoHS: Yes

    Macom的APD28A是一款光电二极管,波长范围为1250至1650 nm,带宽为20 GHz,电容为40 PF,暗电流为1000 nA,响应度/光敏度为0.8 A/W.有关APD28A的更多详细信息,请联系我们。

  • 1010BI-SMT 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 900 pF 暗电流: 0.16 to 10 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的1010Bi-SMT是一款光电二极管,波长范围为920 nm,电容为900 PF,暗电流为0.16至10 nA,响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W,上升时间为20µs.有关1010BI-SMT的更多详细信息,请联系我们。

  • 33BI-SMT 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 920 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 50 pF 暗电流: 0.02 to 0.05 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的33Bi-SMT是一款光电二极管,波长范围为920 nm,电容为50 PF,暗电流为0.02至0.05 nA,响应度/光敏度为0.30至0.59 A/W,上升时间为10µs.有关33Bi-SMT的更多详细信息,请联系我们。

  • APD02-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 1.5 pF 暗电流: 0.05 to 0.5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD02-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为1000 MHz,电容为1.5 PF,暗电流为0.05至0.5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD02-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD10-8-150-T52 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 6 pF 暗电流: 0.2 to 2 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD10-8-150-T52是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为600 MHz,电容为6 PF,暗电流为0.2至2 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD10-8-150-T52的更多详细信息,请联系我们。

  • APD15-8-150-T5H 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD15-8-150-T5H是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为350 MHz,电容为10 PF,暗电流为0.5至5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-T5H的更多详细信息,请联系我们。

  • APD15-8-150-TO5 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    光电探测器类型: Avalanche 波长范围: 800 nm 光电二极管材料: Silicon 电容: 10 pF 暗电流: 0.5 to 5 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的APD15-8-150-TO5是一款光电二极管,波长范围为800 nm,带宽为350 MHz,电容为10 PF,暗电流为0.5至5 nA,响应度/光敏度为50 A/W.有关APD15-8-150-TO5的更多详细信息,请联系我们。

  • DL-10 光电二极管
    美国
    分类:光电二极管
    波长范围: 670 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 175 to 30 pF 暗电流: 500 to 600 nA

    OSI Laser Diode,Inc.的DL-10是一款光电二极管,波长范围为670 nm,电容为175至30 PF,暗电流为500至600 nA,响应度/光敏度为0.4 A/W,上升时间为0.025µs.有关DL-10的更多详细信息,请联系我们。