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  • UPD-200-UD 光电探测器
    UPD-200-UD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学检测器。有关UPD-200-UD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-200-UP 光电探测器
    UPD-200-UP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 175 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-200-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为175ps、暗电流为0.001nA、带宽为2GHz、有源区直径为0.126mm的光学探测器。有关UPD-200-UP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-30-VSG-P 光电探测器
    UPD-30-VSG-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: GaAs 波长范围: 320 to 900 nm 上升时间: 30 ps 暗电流: 0.1 nA

    来自AlphaLas的UPD-30-VSG-P是波长范围为320至900nm、上升时间为30ps、暗电流为0.1nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.04mm的光学探测器。有关UPD-30-VSG-P的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-300-SD 光电探测器
    UPD-300-SD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-SD是一种光学探测器，波长范围为320-1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-300-SP 光电探测器
    UPD-300-SP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-SP是一种光学探测器，波长范围为320-1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-SP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-300-UD 光电探测器
    UPD-300-UD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-UD是一种光学探测器，波长范围为170~1100nm，上升时间为300ps，暗电流为0.01nA，带宽为1GHz，有源区直径为0.283mm.有关UPD-300-UD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-300-UP 光电探测器
    UPD-300-UP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 300 ps 暗电流: 0.01 nA

    AlphaLas公司的UPD-300-UP是一种光学探测器，波长范围170~1100nm，上升时间300ps，暗电流0.01nA，带宽1GHz，有源区直径0.283mm.有关UPD-300-UP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-35-IR2-D 光电探测器
    UPD-35-IR2-D
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

    来自AlphaLas的UPD-35-IR2-D是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-D的更多详情见下文。

  • UPD-35-IR2-FC 光电探测器
    UPD-35-IR2-FC
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

    来自AlphaLas的UPD-35-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz的光学检测器。有关UPD-35-IR2-FC的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-35-IR2-FR 光电探测器
    UPD-35-IR2-FR
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

    来自AlphaLas的UPD-35-IR2-FR是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-FR的更多详情见下文。

  • UPD-35-IR2-P 光电探测器
    UPD-35-IR2-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

    来自AlphaLas的UPD-35-IR2-P是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学探测器。UPD-35-IR2-P的更多详情见下文。

  • UPD-35-UVIR-D 光电探测器
    UPD-35-UVIR-D
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

    来自AlphaLas的UPD-35-UVIR-D是波长范围为350至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学检测器。UPD-35-UVIR-D的更多详情见下文。

  • UPD-35-UVIR-P 光电探测器
    UPD-35-UVIR-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 350 to 1700 nm 上升时间: 35 ps 暗电流: 0.3 nA

    来自AlphaLas的UPD-35-UVIR-P是波长范围为350至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz、有源区直径为0.0024mm的光学检测器。UPD-35-UVIR-P的更多详情见下文。

  • UPD-3N-IR2-P 光电探测器
    UPD-3N-IR2-P
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: InGaAs 波长范围: 800 to 2100 nm 上升时间: 150 ps 暗电流: 90 nA

    来自AlphaLas的UPD-3N-Ir2-P是波长范围为800至2100nm、上升时间为150ps、暗电流为90nA、带宽为0.4GHz、有源区直径为0.07mm的光学探测器。有关UPD-3N-IR2-P的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-50-SD 光电探测器
    UPD-50-SD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 50 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-50-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学检测器。有关UPD-50-SD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-50-SP 光电探测器
    UPD-50-SP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 50 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-50-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学探测器。有关UPD-50-SP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-50-UD 光电探测器
    UPD-50-UD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 50 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-50-UD是波长范围为170至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学检测器。有关UPD-50-UD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-50-UP 光电探测器
    UPD-50-UP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 170 to 1100 nm 上升时间: 50 ps 暗电流: 0.001 nA

    来自AlphaLas的UPD-50-UP是波长范围为170至1100nm、上升时间为50ps、暗电流为0.001nA、带宽为7GHz、有源区直径为0.0079mm的光学检测器。有关UPD-50-UP的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-500-SD 光电探测器
    UPD-500-SD
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-SD是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SD的更多详细信息，请联系我们。

  • UPD-500-SP 光电探测器
    UPD-500-SP
    德国
    分类：光电探测器
    厂商：ALPHALAS
    光电探测器类型: Avalanche 光电二极管材料: Silicon 波长范围: 320 to 1100 nm 上升时间: 500 ps 暗电流: 0.01 nA

    来自AlphaLas的UPD-500-SP是波长范围为320至1100nm、上升时间为500ps、暗电流为0.01nA、带宽为0.6GHz、有源区直径为0.5mm的光学探测器。有关UPD-500-SP的更多详细信息，请联系我们。