• BrightLock®单模激光器 半导体激光器
    美国
    厂商:QPC Lasers
    技术: Distributed Feedback (DFB) 工作模式: CW Laser 波长: 1550 nm 输出功率: up to 500 mW 工作电压: 1.9 to 3.9 V

    QPC Lasers的BrightLock®单模激光器在1550 nm下工作时,可提供高达500 MW CW的输出功率。这些激光器具有500kHz的窄线宽和稳定的光谱。它们采用蝶形封装,非常适合于光纤播种、激光通信、激光雷达和测距应用。

  • ML562G85 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 639 nm 输出功率: 0 to 2.1 W 工作电压: 2.25 V 阈值电流: 550 mA

    三菱电机(Mitsubishi Electric)的ML562G85是一款红色激光二极管,工作波长为639 nm.它产生2.1 W的CW输出功率和250流明的亮度,效率为41%。这款横向多模激光二极管采用独创的高功率技术和优化的外延结构,可在高达45摄氏度的高温下工作。它采用TO-CAN封装,尺寸为Ø9.0 mm,非常适合需要高亮度的大型场地激光投影仪。

  • TO56m-100-173 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1250 nm 输出功率: 8 W

    Seminex的TO56M-100-173是一款输出波长为1250 nm的脉冲激光二极管。它产生8W的脉冲输出功率,脉冲宽度为150ns(占空比为0.1%)。这种单/多模激光二极管的斜率效率为0.2W/A,腔长为1500μm.它具有30度(垂直)的快轴划分和10度(平行)的慢轴划分。激光二极管需要7.3 V直流电源,阈值电流高达1 A.它采用TO56封装,尺寸为50 X 1μm,非常适合OEM和专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • TO56m-300 半导体激光器
    美国
    应用行业: Medical, Aerospace / Military 芯片技术: InP 工作模式: Pulsed Laser 波长: 1550 nm 输出功率: 15 W

    Seminex公司的TO56M-300是基于InP的红外激光二极管,工作波长为1550 nm.该激光器腔长为1250μm,光谱宽度为28.8nm,输出功率为15W,斜率效率为0.2W/A,功率效率为2%。它需要8.6 V的直流电源,阈值电流为1 A.该激光二极管采用TO56封装,非常适合OEM医疗、专业医疗、激光雷达、军事、航空航天和照明应用。

  • SLD259VS 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 200 to 250 mW 工作电压: 2.2 to 2.5 V 工作电流: 210 to 270 mA

    Sony的SLD259VS是一款AlGaAs量子结构激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为200 MW,工作电流高达270 mA.激光二极管采用5.6 mm TO56封装,非常适合3D传感、深度传感和手势识别应用。

  • LNCQ28MS01WW 半导体激光器
    日本
    技术: Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 656 to 665 nm 输出功率: 0.1 to 0.35 W 工作电压: 2 to 3 V

    Panasonic公司的LNCQ28MS01WW是一种MOCVD制造的激光二极管,具有多量子阱结构,工作波长为655至665nm.它提供高达350 MW的脉冲输出功率,工作温度范围为-10至+85°C.激光二极管的脉冲宽度高达40 ns,占空比高达33%。它需要2至3 V的直流电源,功耗为165 mA.激光二极管具有7.5至13度的平行光束发散度和13至19.5度的垂直光束发散度。它采用TO-56 CAN封装,非常适合用于光盘驱动器、传感、分析、测量和农业应用。

  • ARR291P1800 半导体激光器
    美国
    厂商:Northrop Grumman
    应用行业: Direct Diode Applications 巴条配置: Vertical Stack 工作模式: Pulsed Laser 波长: 808 nm 输出功率: 0 to 1800 W

    诺斯罗普·格鲁曼公司的ARR291P1800是8/10/12激光二极管条堆叠的激光二极管阵列,工作波长为790至1550 nm.它的准连续输出功率为1800 W(每巴150 W),斜率效率为15 W/A,电光效率为55%。该激光器阵列具有高达38×7°的光束发散角和0.5-300ms的脉冲持续时间。它采用硬AuSn焊料和膨胀匹配材料组装,以提高可靠性,并通过非去离子标准过滤水进行冷却,使安装和维护更具成本效益和时间效率。该激光器具有快轴和慢轴准直透镜选项。它需要24 V的直流电源,消耗140 A的电流。该激光阵列采用H封装,非常适合材料处理、激光雷达、激光喷丸、钛泵、激光切割和直接二极管应用,如脱毛和塑料焊接。

  • HPC 50W 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 工作电压: 1.5 to 1.65 V 工作电流: 50 to 55 A 阈值电流: 4 to 4.7 A

    II-VI Incorporated的HPC 50W是一种多发射器激光二极管,工作波长为915、940、980、1030或1060 nm.它的输出功率为50W,功率转换效率超过60%,斜率效率为1–1.1W/A.该激光二极管的光谱宽度可达4nm,在FWHM处的光束发散角为5.5度(平行)和26度(垂直)。它的填充因子为18%,波长温度系数为0.3 nm/℃。该TE偏振激光二极管具有10个发射极,发射极间距为500μm,发射极宽度为90μm.HPC 50W符合RoHS规范,具有单量子阱MBE结构。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。低于1μm的低线栅微笑值和小发射极宽度提高了光纤耦合效率,特别是对于低纤芯直径。5.4 mm激光二极管半条安装在扩展匹配的底座上,采用传导冷却的铜块封装,在CW和脉冲工作模式下提供卓越的可靠性。HPC 50W需要4-4.7 A的阈值电流和消耗50-55 A电流的1.5-1.65 V直流电源。这款激光二极管采用尺寸为24.9 X 24.9 X 14.19 mm的封装,非常适合材料加工(焊接、切割等)、准直固态激光泵浦、光纤激光泵浦、印刷和医疗应用。

  • 季风系列 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 激光颜色: Infrared 堆栈/阵列: Array/Stack 类型: Free Space Laser Diode RoHS: Yes

    II-VI Incorporated的Monsoon系列是模块化激光二极管棒,工作波长为795至1060 nm.它们提供可堆叠的40/50 W棒材、80/100 W棒材和200 W棒材,以提供与应用相匹配的模块化灵活性。这些模块化棒可以使用紧凑的框架垂直堆叠,该框架可提供高达6 kW的功率、高达1600 W的功率(使用无框架)或高达300 W的功率(使用水平阵列)。它们的光谱宽度(FWHM)为2.5或5 nm,功率效率高达60%。Monsoon系列激光二极管条基于专有的E2前镜钝化工艺,即使在极高的输出功率下,也能防止激光二极管面的灾难性光学损伤(COD)。它们采用硬焊技术,可为要求苛刻的应用提供卓越的可靠性,并在CW或QCW工作条件下实现高功率输出,而不会牺牲使用寿命。这些激光二极管棒还具有主动季风微通道冷却器,以提供用于垂直和水平堆叠的可扩展平台。它们采用尺寸为38.9 X 10.9 mm X 10 mm的模块,非常适合固态激光泵浦、直接应用,如材料加工(塑料焊接、热处理、退火、硬化等)、印刷和复印、医疗、生命和健康科学、国防和安全以及照明应用。

  • SES12-9xx-03 半导体激光器
    技术: Quantum Well 输出功率: 12 W 工作电压: 1.7 V 工作电流: < 12 A 阈值电流: 550 mA

    II-VI Incorporated的SES12-9xx-03是一款单发射器激光二极管,工作波长为915 nm、940 nm和975 nm.它提供高达12 W的输出功率,并具有4 nm的光谱宽度(FWHM)。该激光器需要1.7 V的直流电压,阈值电流高达550 mA.它的设计采用了专有的E2前镜钝化工艺,可防止灾难性的光学损伤(COD)。激光二极管的尺寸为400 X 150 X 90µm,非常适合光纤激光器泵浦、材料加工和医疗应用。

  • SES22-9xx-01 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 输出功率: 22 W 激光颜色: Infrared 类型: Free Space Laser Diode

    II-VI SES22-9xx-01单发射器激光二极管系列旨在为下一代光纤激光器和其他高功率激光二极管应用的200mm纤芯光纤泵浦配置提供最高的输出功率和效率。即使在极高的输出功率下,专有的E2前镜钝化工艺也可防止激光二极管端面的灾难性光学损伤(COD)。单发射极激光二极管的P面朝下安装在优化的基台上,热阻非常低。该系列可提供915、940和975 nm的标准波长(其他可根据要求提供)。激光二极管是光纤激光器泵浦、材料加工、印刷和医疗应用的理想选择。

  • RLD90QZW3 半导体激光器
    日本
    工作模式: Pulsed Laser 波长: 895 to 915 nm 工作电压: 16 to 22 V 工作电流: 30 A 阈值电流: 900 mA

    Rohm Semiconductor的RLD90QZW3是一种不可见的脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它提供了75W的峰值脉冲输出功率,脉冲宽度为50ns.该激光二极管的光束发散度为10度(平行)和25度(垂直),发射点精度为±150μm.其孔径尺寸为225×10μm.这款激光二极管需要16 V直流电源,阈值电流为0.9 A.它采用Ø5.6 mm TO-CAN封装,非常适合TOF传感器、测距仪、自动导引车(AGV)和安保应用。

  • RLD90QZW8 半导体激光器
    日本
    波长: 905 nm 输出功率: 120 W 工作电压: 16 V 阈值电流: 1 A 类型: Free Space Laser Diode

    Rohm的RLD90QZW8是一款脉冲激光二极管,工作波长为905 nm.它产生峰值输出功率为120W的窄光发射图案,并且具有±150μm的发射点精度。该激光二极管的孔径为270×10μm,光束发散度为10度(平行)和25度(垂直)。阈值电流为1 A,正向电压为16 V,正向电流为42 A.该激光二极管采用φ5.6mm CAN封装,非常适合车载激光雷达、自动导引车(AGV)、TOF传感器和安防应用。

  • RLD94SAQ6 半导体激光器
    日本
    波长: 940 nm 输出功率: 0.2 W 阈值电流: 70 mA

    Rohm Semiconductor的RLD94SAQ6是一款红外VCSEL二极管,工作波长为940 nm.它的光输出功率为200mW,转换效率为33%。该激光二极管具有0.85W/A的斜率效率和13度的光束发散FWHM.它的正向电压为2 V,正向电流为300 mA,阈值电流为70 mA.这款VCSEL二极管采用超薄SMD封装,尺寸为3 X 2 X 0.77 mm,非常适合3D深度传感器、TOF传感器、红外照明、距离测量、障碍物检测和手势识别应用。

  • 850D1S09X 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    应用行业: Commercial, Military 芯片技术: AlGaAs 工作模式: Pulsed Laser 波长: 850 nm 输出功率: 13 W

    Laser Components的850D1S09X是一款AlGaAs脉冲激光二极管,工作波长为850 nm.它的输出功率为13W,效率为0.9W/A.该激光二极管的光谱带宽为5.5nm,光束扩展为10.5度(平行)和20度(垂直)。它的发射面积为225 X 1μm,脉冲宽度为150 ns.这款激光二极管的正向电压为3 V,最大正向电流为18 A.它采用密封和定制设计封装,非常适合测距、测量设备、武器模拟、激光雷达、安全屏障和光学触发应用。

  • ADL-85Y51TL 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 波长: 840 to 860 nm 输出功率: 250 mW 工作电压: 1.9 to 2.4 V 工作电流: 310 to 360 mA

    Laser Components的ADL-85Y51TL是一款850 nm AlGaAs红外激光二极管,可提供高达270 MW的输出功率。该器件采用1.9 V电源供电,功耗高达360 mA.该连续发光激光二极管的平行发散角为6~13度,垂直发散角为12~22度,微分效率为1mW/mA.它采用TO-CAN封装,非常适合传感设备、激光雷达和3D传感应用。

  • ADL-94Y01EY-F2 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: CW Laser 输出功率: 0.2 W 工作电压: 1.9 V 工作电流: 0.35 to 0.4 A 阈值电流: 45 to 65 mA

    Laser Components的ADL-94Y01EY-F2是一款940nm红外激光二极管,可提供220 MW的光输出功率。该激光器需要45mA的阈值电流。它采用3.5 X 3.5 X 0.75 mm表面贴装封装,非常适合激光测距、光纤激光器泵浦和3D传感应用。

  • QS-905系列 半导体激光器
    德国
    厂商:Laser Components
    工作模式: Pulsed 波长: 905 nm 输出功率: 12 to 89 W 工作电压: 15 to 80 VDC 类型: Free Space Laser Diode

    来自Laser Components的QS-905系列是905 nm三结脉冲激光二极管,提供高达80 W的输出功率。它具有2.5 ns的脉冲宽度和高达200 kHz的脉冲频率。这款超紧凑模块在小型密封封装内包含高电流开关、电荷存储电容器和脉冲激光二极管。它采用TO-56封装(5引脚),非常适合激光雷达、激光扫描、军事、机器人和汽车应用。该封装有一个独立于信号和电源回路的接地引脚。

  • LU0977M250。 半导体激光器
    德国
    厂商:Lumics GmbH
    工作模式: CW Laser, Pulsed Laser 波长: 976 to 978 nm 输出功率: 0.25 W 工作电压: 1.7 to 1.8 V 工作电流: 0.44 to 0.54 A

    LUMICS的LU0977M250是一款单模光纤尾纤GaAs激光二极管模块,工作峰值波长为977 nm.它在CW/脉冲模式下工作,光谱宽度(FWHM)高达1 nm,上升/下降时间为2 ns.该激光二极管模块的阈值电流为65mA,正向电压为1.67V,功耗高达250mW.该器件采用激光焊接密封封装,尺寸为29.7 X 7.37 X 4.9 mm,非常适合泵浦、光纤激光器播种机、倍频和传感器应用。

  • DBR780PN 半导体激光器
    美国
    厂商:索雷博
    技术: Distributed-Bragg-Reflector (DBR) 波长: 779 to 783 nm 输出功率: 40 to 45 mW 工作电流: 0.25 A 阈值电流: 60 mA

    来自Thorlabs的DBR780PN是一种单频激光二极管,在781nm波长下工作时可提供45mW的输出功率。该分布式布拉格反射器(DBR)激光器包括集成光隔离器、热电冷却器(TEC)、热敏电阻和监控光电二极管。它采用14针蝶形封装,配有PM780-HP保偏光纤和FC/APC连接器,该连接器与光纤的慢轴对齐。激光二极管非常适合作为铷原子钟、二次谐波产生、双光子吸收和时间分辨荧光光谱的低噪声泵浦源。