来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-06-016是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-06-016的更多详细信息，请联系我们。

来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-009是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-009的更多详细信息，请联系我们。

来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-010是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-010的更多详细信息，请联系我们。

来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-011是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-011的更多详细信息，请联系我们。

来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-012是波长范围为905 nm、电容为1 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-012的更多详细信息，请联系我们。

来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-013是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-013的更多详细信息，请联系我们。

来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-014是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-014的更多详细信息，请联系我们。

来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-015是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-015的更多详细信息，请联系我们。

来自Marktech Optoelectronics的MTAPD-07-016是波长范围为905 nm、电容为1.2 PF、暗电流为0.1至1 nA、响应度/光敏度为50至55 A/W、上升时间为0.6 ns的光电二极管。有关MTAPD-07-016的更多详细信息，请联系我们。

Laser Components的SAH系列是低成本的通用硅APD，波长范围为400至1000 nm.它们的峰值灵敏度为800 nm，有效区域直径为230µm和500µm.针对850 nm和905 nm测距仪优化了响应度。这些APD采用微型SMD封装，是测距和光通信系统的理想选择。

B&W Tek 的 Sol™ 2.2A 是一款高性能线性 InGaAs 阵列光谱仪，具有 256 个像素，提供宽动态范围和高吞吐量，通过集成的三级冷却器可将 TE 冷却到 -15 °C。 所有光谱仪均内置 16 位数字转换器和 SMA 905 光纤输入，同时兼容 USB 2.0 即插即用。集成的自动归零功能可自动降低暗不均匀度和暗电流，从而提高信噪比。 通过软件控制，用户可以选择四种操作模式--最大灵敏度、最大动态、高灵敏度和高动态。此外，还提供定制的光谱分辨率和应用支持。

Sol 1.7 是一款高性能线性 InGaAS 阵列光谱仪，具有 256、512 或 1024 个像素，TE 冷却温度低至 -10°C。它兼容 USB 2.0 即插即用，内置 16 位数字转换器和 SMA 905 光纤输入。可使用光谱采集软件在预配置的光谱范围内选择高动态范围模式或高灵敏度。可提供应用支持和定制光谱分辨率。

TGModule A-PM偏振维持型掺镱锥形双包层光纤 (T-DCF)使用客户提供的自由空间光学器件，光纤通过角抛光端面进行泵浦。光纤在泵送过程中需要冷却。散热器和水冷光纤固定块可作为附件提供。光纤的细输入端为单模光纤，输入端集成了包层模式剥离器（CMS）

TGModule C-PM 是一种放大模块，包含所有需要的光学元件封装在铝制外壳内。该该装置可随时拼接泵二极管和种子源。壳体内的泵耦合单元直接采用水冷却，单元的底板可轻松安装到该装置的底板可轻松安装到外部散热器。

TGModule D-PM 是一款即开即用的一体化 水冷式放大模块。非常适合要求苛刻的短脉冲应用。 该增益模块具有最高的集成度，内置泵二极管和可随时拼接的种子输入。TGModule D-PM 可根据客户需求进行设计和组装，并可根据客户要求加入泵二极管。该模块有一个标准单模光纤（PM 10/125）输入端和自由空间输出端。自由空间输出，具有出色的单模光束质量（M2 < 内置热敏电阻可用于监控关键部件的工作温度：泵浦二极管的工作温度为 0.5 摄氏度。

该激光测距模块基于905nm人眼安全激光二极管，提供长寿命和低功耗的解决方案。

905nm高重频窄脉冲TO激光光源为激光引信的核心光源器件，具有高峰值功率、高重复频率、窄脉冲宽度、高集成度等优点。产品体积小、质量轻，可定制。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片多达4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心竞争力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，从而产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

Excelitas Technologies'PGEW系列单外延和多外延905 nm脉冲半导体激光器由一系列器件组成，这些器件具有多达四个外延生长在单个GaAs衬底芯片上的有源激射层。这种多层设计将输出功率乘以外延层的数量。例如，QPGEW Quad激光器的有源层宽度为225µm，具有四个外延生长的激射层，输出峰值功率接近100 W。T1¾（类TO）塑料封装补充了密封金属封装中的Excelitas Epi-Cavity激光器，非常适合大批量应用。该激光器采用Excelitas和新型多有源区激光器芯片，在较小的发射面积内提供高输出功率。PGEW系列的激光芯片具有75和225µm的条纹宽度，并提供单（PGEW）、双（DPGEW）、三（TPGEW）或四（QPGEW）外腔版本。这些器件在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束发散角，在结平面内具有10°的光束扩展。功率输出在整个MIL规格温度范围内表现出极佳的稳定性。使用金属有机化学气相沉积（MOCVD）来制造结构。在涉及光纤耦合应用的情况下，外腔有源区的横向间隔将更多的光功率集中到更小的几何结构中，从而允许增加耦合到光纤中的光功率。峰值波长集中在大多数硅光电二极管的较大响应度附近。PGEW激光器与Excelitas EPI-APD系列C30737的器件匹配得特别好。这些器件非常适合以成本为首要考虑因素且需要大批量生产能力的应用。