• LaseGuard隔离器系列 偏振光学元件
    波长: 1060nm 功率: 100W 隔离范围: 1 - 35 dB 变速箱: 95%

    AFR的LaseGuard™隔离器系列设计用于保护激光器免受背向反射光的影响。隔离器通常将偏振面在前向方向上顺时针旋转45°,如果选择其他输出偏振,则可选择λ/2波片。高传输效率、高隔离度、高功率处理能力和大孔径特性使其能够灵活适应激光防护中的不同应用。

  • 激光二极管FIDL-100M-945X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.945um 输出功率: 100mW

    FIDL-100M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-100M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30M-945X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.945um 输出功率: 30mW

    FIDL-30M-945X是InGaAs/GaAs量子阱结构用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FIDL-30M-945X是一款CW多模注入式半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FIDL-30S-745X 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.745um 输出功率: 30mW

    FIDL-30S-745X是745nm AlGaAs/GaAs单量子用MOCVD半导体激光器制作阱结构二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流,提高可靠性。FIDL-30S-745X是一款连续单模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

  • 激光二极管flo-450 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.260um 输出功率: 400mW

    FLO-450是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的GaInAsP/InP量子阱结构的1260nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,提高可靠性。FLO-450采用HHL密封封装,集成TEC、热敏电阻和监控二极管,以稳定功率。该激光器通过AR镀膜玻璃窗口实现光输出,适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FLX-1450-2500M-95 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.450um 输出功率: 2500mW

    FLX-1450-2500M-95是一款多模半导体激光器。在1450nm连续输出功率为2500mW的二极管。可用的封装包括B-mount、C-mount、Q-mount、9mm TO CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管flx-645-300m-50 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.645um 输出功率: 300mW

    FLX-645-300M-50是一款多模半导体激光二极管。在645nm处连续输出功率为300mW。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、9mm TO CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管flx-645-400m-100 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.645um 输出功率: 400mW

    FLX-645-400M-100是一款多模半导体激光二极管,在645nm处具有400mW连续输出功率。可用的封装有B-mount、C-mount、Q-mount、9mm TO CAN、TO-3 CAN和HHL。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管FNLD-50S-1045D 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.045um 输出功率: 50mW

    FNLD-50S-1045D是用MOCVD半导体激光器制备的1045nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流,从而提高可靠性。FNLD-50S-1045D是连续单横模注入半导体激光二极管,内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。

  • 激光二极管 fold-685-45s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.685um 输出功率: 45mW

    FOLD-685-45S-VBG是一种单模半导体激光器685nm连续输出功率为45mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管折叠-687-45s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.687um 输出功率: 45mW

    FOLD-687-45S-VBG是一种单模半导体激光器在687nm连续输出功率为45mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管折叠-689-45s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.689um 输出功率: 45mW

    FOLD-689-45S-VBG是一种单模半导体激光器在689nm连续输出功率为45mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。它适用于各种光电应用。

  • 激光二极管 fold-691-45s-vbg 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.691um 输出功率: 45mW

    FOLD-691-45S-VBG是一种单模半导体激光器在691nm连续输出功率为45mW的二极管。由于集成VBG波长固定,光谱宽度很窄。适用于各种光电子器件。应用程序。

  • 激光二极管ftld-1345-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.345um 输出功率: 10mW

    FTLD-1345-10S是基于AlInAsP/InPPBC量子阱结构的1345nm激光二极管,采用MOCVD和LPE技术制备。FTLD-1345-10S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1450-05s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.450um 输出功率: 5mW

    FTLD-1450-05S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1450nm半导体激光器,采用MOCVD和LPE工艺制备。FTLD-1450-05S是一种连续单模注入式半导体激光器,主要特点是可靠性高、灵敏度低。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管ftld-1450-10s 半导体激光器
    德国
    中心波长: 1.450um 输出功率: 10mW

    FTLD-1450-10S是基于GaInAsP/InPPBC量子阱结构的1450nm激光二极管,采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和不灵敏。FTLD-1450-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳,内置监控光电二极管和蝶形外壳,内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

  • 激光二极管FVLD-405-45S-AR初稿 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.41um 输出功率: 65mW

    FVLD-405-45S-AR是45mW的单模激光二极管405nm连续波输出功率。它以5.6毫米的尺寸提供,能。由于AR涂层的前端面,激光二极管特别适用于外腔激光器。

  • 激光二极管FVLD-415-45S-AR初稿 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.415um 输出功率: 45mW

    FVLD-415-45S-AR是45mW的单模激光二极管415nm连续波输出功率。它以5.6mm的形式提供给带光电二极管和齐纳二极管的CAN。由于前端面涂有增透膜,激光二极管特别适用于外腔激光器。

  • 激光二极管FVLD-420-45S-AR初稿 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.420um 输出功率: 45mW

    FVLD-420-45S-AR是45mW的单模激光二极管420nm连续波输出功率。它采用5.6mm TO CAN封装,带有光电二极管和齐纳二极管。由于前端面涂有Ar,该激光器特别适用于外腔激光器。

  • 激光二极管FVLD-445-100S 半导体激光器
    德国
    中心波长: 0.445um 输出功率: 100mW

    FVLD-445-100S是一款100mW的单模激光二极管445nm连续波输出功率。它采用5.6mm TO CAN封装,带有光电二极管和齐纳二极管。激光二极管是适用于各种光电应用。