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单色仪类型: Not Specified 光谱范围: 400 - 1100 nm 光谱分辨率: 1nm
BaySpec的科学级SuperGamuTTM系列硅CCD光谱仪旨在满足现实世界的挑战,实现一流的性能、长期可靠性和紧凑的尺寸。得益于为电信行业制造高容量光谱监测设备的经验,BaySpec的光谱设备采用低成本的现场验证组件。SuperGamuttm系列采用高效体积相位光栅(VPG)作为光谱色散元件,并采用超灵敏CCD阵列探测器作为探测元件,从而提供高速并行处理和连续光谱测量。作为输入,该设备根据客户偏好使用光纤输入或狭缝光学装置。用VPG对信号进行光谱分散,并将衍射场聚焦到CCD阵列检测器上。控制电子设备读出经处理的数字信号以提取所需信息。原始数据和处理后的数据都可供主机使用。
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传感器类型: InGaAs Array # 像素(宽度): 25 # 像素(高度): 250 像素大小: 512um 峰值量子效率: 89%
HORIBA Scientific的Synapse Extended InGaAs阵列是在1000–2200 nm的近红外(NIR)光谱范围内进行要求苛刻的低照度测量的理想选择。这些InGaAs探测器可提供512×1(25×250µm)、512×1(50×250µm)和1024×1(25×250μm)像素格式,在保持全阱容量的同时提供高分辨率。Synapse InGaAs阵列具有16位动态范围,采用深热电冷却,并使用机械快门减去暗背景。金属密封提供永久真空密封。即插即用的USB 2.0接口可在笔记本电脑和台式电脑上实现便携性和轻松设置,并具有100%的数据完整性。应用包括半导体、SWCNT和纳米线的近红外拉曼、光致发光测量。还提供灵敏度为0.8µm至1.7µm的探测器。
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传感器类型: InGaAs Array # 像素(宽度): 25 # 像素(高度): 500 像素大小: 512um 峰值量子效率: 85%
HORIBA Scientific的Synapse InGaAs阵列是800–1700 nm近红外(NIR)光谱区要求苛刻的低照度测量的理想选择。这些InGaAs探测器可提供512×1(25×500µm)、512×1(50×500µm)和1024×1(25×500μm)像素格式,在保持全阱容量的同时提供高分辨率。Synapse InGaAs阵列具有16位动态范围,采用深热电冷却,并使用机械快门减去暗背景。金属密封提供永久真空密封。即插即用的USB 2.0接口可在笔记本电脑和台式电脑上实现便携性和轻松设置,并具有100%的数据完整性。应用包括半导体、SWCNT和纳米线的近红外拉曼、光致发光测量。还提供灵敏度为1µm至2.2µm的探测器。
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扫描范围: <= 100mm X 100mm 决议: um, >= 500um um 决议: >= 500um
探测器采用GaAs高迁移率异质结构,在标准半导体循环中使用传统的光学光刻技术制作。成像传感器被制造在单个晶片上。该过程确保了等离子体检测器参数的高均匀性和再现性(像素到像素的偏差响应度在20%的范围内)。在10 GHz—1 THz频率范围内,每个探测器单元的室温响应度高达50 kV/W,具有读出电路和1 NW/的噪声等效功率。检测机制基于二维电子系统中等离子体振荡的激发以及随后的整流。校正发生在电子系统中的特殊缺陷上。我们的太赫兹相机是主动探测设备,需要外部太赫兹源。我们提供基于IMPATT技术的亚太赫兹波源。我们所有的Tera系列太赫兹成像相机都采用相同类型的探测器,具有相同的能力和空间分辨率。我们的模型之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量和其有效成像面积。除了我们的标准太赫兹相机型号,我们还提供定制的解决方案,以满足不同的配置和几何要求。
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扫描范围: <= 100mm X 100mm 决议: >= 500um um 决议: >= 500um
探测器采用GaAs高迁移率异质结构,在标准半导体循环中使用传统的光学光刻技术制作。成像传感器被制造在单个晶片上。该过程确保了等离子体检测器参数的高均匀性和再现性(像素到像素的偏差响应度在20%的范围内)。在10 GHz—1 THz频率范围内,每个探测器单元的室温响应度高达50 kV/W,具有读出电路和1 NW/的噪声等效功率。检测机制基于二维电子系统中等离子体振荡的激发以及随后的整流。矫正发生在电子系统中的特殊缺陷上。我们的太赫兹相机是主动探测设备,需要外部太赫兹源。我们提供基于IMPATT技术的亚太赫兹波源。我们所有的Tera系列太赫兹成像相机都采用相同类型的探测器,具有相同的能力和空间分辨率。我们的模型之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量和其有效成像面积。除了我们的标准太赫兹相机型号,我们还提供定制的解决方案,以满足不同的配置和几何要求。
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扫描范围: <= 100mm X 100mm 决议: >= 500um um 决议: >= 500um
探测器采用GaAs高迁移率异质结构,在标准半导体循环中使用传统的光学光刻技术制作。成像传感器被制造在单个晶片上。该过程确保了等离子体检测器参数的高均匀性和再现性(像素到像素的偏差响应度在20%的范围内)。在10 GHz—1 THz频率范围内,每个探测器单元的室温响应度高达50 kV/W,具有读出电路和1 NW/的噪声等效功率。检测机制基于二维电子系统中等离子体振荡的激发以及随后的整流。矫正发生在电子系统中的特殊缺陷上。我们的太赫兹相机是主动探测设备,需要外部太赫兹源。我们提供基于IMPATT技术的亚太赫兹波源。我们所有的Tera系列太赫兹成像相机都采用相同类型的探测器,具有相同的能力和空间分辨率。我们的模型之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量和其有效成像面积。除了我们的标准太赫兹相机型号,我们还提供定制的解决方案,以满足不同的配置和几何要求。
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激光波长: 1570nm 扫描角度: 60deg 扫描频率范围: 20 - 30 Hz 测量范围: 1 - 1 m
TigerCub 3D Flash LiDAR Camera™是一款重量轻(<3磅)、外形小巧(11x10x12cm)的集成3D相机,能够每帧捕捉128x128个独立触发像素的完整阵列,每秒可实时生成16,300个3D单独范围和强度点,作为每个激光脉冲(帧)的3D点云图像或视频流。3D数据输出用于提供自主(例如,会合、接近、着陆等)操作或协助人在回路中成像。ASC的3D焦平面阵列和激光技术已在广泛的应用中进行了测试和使用,并享有丰富的成功遗产。所有ASC 3D相机中的板载处理允许流式3D点云和强度输出以及相机遥测。
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镜头类型: Positive, Negative 材料: BK7 尺寸: 5.0mm 焦距: 7.5mm
消色差柱面透镜在设计和功能上与标准柱面透镜相似,但具有减少像平面上的球面像差和色差的附加优点。当与单色光源(如激光二极管)一起使用时,根据透镜的数值孔径,消色差柱面透镜将产生小50–90%的光斑。当与宽带光源一起使用时,镜头将较大限度地减少色差,产生具有较少颜色分离的聚焦线,或者将产生明亮的变形图像。正柱面透镜非常适合于只需要在一个维度上放大的应用。当球面透镜对称地聚焦入射光时,柱面透镜以相同的方式起作用,但仅在一个维度上起作用。典型的应用包括用激光二极管产生线,将发散光束聚焦到线性检测器阵列上,或者使用一对柱面透镜来准直和圆化激光二极管的输出。消色差柱面透镜是一种双合透镜,由粘合在一起的正低折射率(皇冠)元件和负高折射率(弗林特)元件组成。这两种材料被设计成协同工作以减少球面像差和色差。通过使用成对设计所提供的额外设计自由度允许性能的进一步优化。因此,与直径和焦距相当的单透镜相比,消色差透镜具有明显的优势。