• LDS-1530-DFB-2.5G-15/45 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1527 to 1533 nm 输出功率: 15 to 45 mW 工作电压: 1.4 to 1.7 V

    LASERSCOM的LDS-1530-DFB-2.5G-15/45是波长为1527至1533 nm的激光二极管,输出功率为15至45 MW,工作电压为1.4至1.7 V,工作电流为100至120 mA.有关LDS-1530-DFB-2.5G-15/45的更多详细信息,请联系我们。

  • LDS-1530-FP-1.25G-10/40 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Fabry-Perot (FP), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1510 to 1560 nm 输出功率: 10 to 40 mW 工作电压: 1.6 to 1.8 V

    LASERSCOM的LDS-1530-FP-1.25G-10/40是一款激光二极管,波长为1510至1560 nm,输出功率为10至40 MW,工作电压为1.6至1.8 V,工作电流为110至130 mA.有关LDS-1530-FP-1.25G-10/40的更多详细信息,请联系我们。

  • LDS-1550-DFB-2.5G-15/50 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1547 to 1553 nm 输出功率: 15 to 50 mW 工作电压: 1.3 to 1.7 V

    Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管,工作波长为1550 nm.输出光功率50mW(脉冲)&15mW(连续),光谱宽度0.08nm,斜率效率0.16W/A,上升/下降时间80ps,跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF,暗电流小于100 nA,阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管,并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源,消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装,并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。

  • LDS-1550-FP-1.25G-10/40 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Fabry-Perot (FP), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1520 to 1580 nm 输出功率: 10 to 40 mW 工作电压: 1.6 to 1.8 V

    LASERSCOM的LDS-1550-FP-1.25G-10/40是波长为1520至1580 nm的激光二极管,输出功率为10至40 MW,工作电压为1.6至1.8 V,工作电流为100至120 mA.有关LDS-1550-FP-1.25G-10/40的更多详细信息,请联系我们。

  • QL63F5S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 637 to 645 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.2 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL63F5S-A/B/C是波长为637至645 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.5 V、工作电流为44至55 mA的激光二极管。有关QL63F5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65E5S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 650 to 660 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65E5S-A/B/C是波长为650至660 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为29至37 mA的激光二极管。有关QL65E5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65F5S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 660 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F5S-A/B/C是波长为645至660 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为34至45 mA的激光二极管。有关QL65F5S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65F6S-A/B/C-L 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 665 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.2 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F6S-A/B/C-L是波长为645至665 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.2至2.6 V、工作电流为40至60 mA的激光二极管。有关QL65F6S-A/B/C-L的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65F6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 660 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F6S-A/B/C是波长为645至660 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为50至70 mA的激光二极管。有关QL65F6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65F73A/B 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 665 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.9 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F73A/B是波长为645至665 nm、输出功率为10 MW、工作电压为1.9至2.6 V、工作电流为27至38 mA的激光二极管。有关QL65F73A/B的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65F7S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 665 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL65F7S-A/B/C是波长为645至665 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为60至80 mA的激光二极管。有关QL65F7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65I7S-A/B/C-H 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 645 to 665 nm 输出功率: 35 mW 工作电压: 1.8 to 2.6 V

    Quantum Semiconductor International的QL65I7S-A/B/C-H是一种激光二极管,波长为645至665 nm,输出功率为35 MW,工作电压为1.8至2.6 V,工作电流为40至110 mA.有关QL65I7S-A/B/C-H的更多详细信息,请联系我们。

  • QL65I7S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 658 to 665 nm 输出功率: 30 mW 工作电压: 2 to 2.7 V

    Quantum Semiconductor International的QL65I7S-A/B/C是一种激光二极管,波长为658至665 nm,输出功率为30 MW,工作电压为2至2.7 V,工作电流为65至100 mA.有关QL65I7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL67F6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 660 to 680 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL67F6S-A/B/C是波长为660至680 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为50至70 mA的激光二极管。有关QL67F6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL67F7S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 660 to 680 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2.3 to 2.6 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL67F7S-A/B/C是波长为660至680 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2.3至2.6 V、工作电流为40至80 mA的激光二极管。有关QL67F7S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL68J6S-A/B/C 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 670 to 700 nm 输出功率: 50 mW 工作电压: 2 to 3 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL68J6S-A/B/C是波长为670至700 nm、输出功率为50 MW、工作电压为2至3 V、工作电流为100至140 mA的激光二极管。有关QL68J6S-A/B/C的更多详细信息,请联系我们。

  • QL78C7PB 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 770 to 810 nm 输出功率: 3 mW 工作电压: 1.9 to 2.3 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL78C7PB是一种激光二极管,波长为770至810 nm,输出功率为3 MW,工作电压为1.9至2.3 V,工作电流为30至50 mA.有关QL78C7PB的更多详细信息,请联系我们。

  • QL78F6DF-1 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 775 to 800 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.5 to 2.4 V

    Quantum Semiconductor International的QL78F6DF-1是一种激光二极管,波长为775至800 nm,输出功率为10 MW,工作电压为1.5至2.4 V,工作电流为25至40 mA.有关QL78F6DF-1的更多详细信息,请联系我们。

  • QL78F6GI-O1 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 775 to 800 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 2 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL78F6GI-O1是波长为775至800 nm、输出功率为10 MW、工作电压为2至2.5 V、工作电流为33至44 mA的激光二极管。有关QL78F6GI-O1的更多详细信息,请联系我们。

  • QL78F6HG-Q 半导体激光器
    技术: Quantum Well 工作模式: CW Laser 波长: 775 to 790 nm 输出功率: 10 mW 工作电压: 1.5 to 2.5 V

    来自Quantum Semiconductor International的QL78F6HG-Q是一种激光二极管,波长为775至790 nm,输出功率为10 MW,工作电压为1.5至2.5 V,工作电流为33至44 mA.有关QL78F6HG-Q的更多详细信息,请联系我们。