FTLD-1620-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1620nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1620-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1625-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1625-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1625nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1625-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1630-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1630nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1630-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1650-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1650-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1650nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1650-10S是一种连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1660-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1660-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1660nm激光器，采用MOCVD和LPE技术制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1660-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1670-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1670-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1670nm半导体激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1670-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1690-05S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-05S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FTLD-1690-10S是基于GaInAsP/InP PBC量子阱结构的1690nm激光器，采用MOCVD和LPE工艺制备。激光二极管的主要特点是高可靠性和ESD不敏感。FTLD-1690-10S是连续单模注入式半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管和蝶形外壳，内置监控光电二极管、TEC、热敏电阻和微光学器件。该激光器适用于各种光电系统。

FVLD-395-20S-AR是20mW的单模激光二极管395nm连续波输出功率。它采用5.6mm TO CAN封装，带有光电二极管和齐纳二极管。由于前端面涂有Ar涂层，该激光二极管特别适用于外腔激光器。

FVLD-405-45S-AR是45mW的单模激光二极管405nm连续波输出功率。它以5.6毫米的尺寸提供，能。由于AR涂层的前端面，激光二极管特别适用于外腔激光器。

FVLD-415-45S-AR是45mW的单模激光二极管415nm连续波输出功率。它以5.6mm的形式提供给带光电二极管和齐纳二极管的CAN。由于前端面涂有增透膜，激光二极管特别适用于外腔激光器。

FVLD-420-45S-AR是45mW的单模激光二极管420nm连续波输出功率。它采用5.6mm TO CAN封装，带有光电二极管和齐纳二极管。由于前端面涂有Ar，该激光器特别适用于外腔激光器。

FVLD-455-30S-AR是30mW的单模激光二极管455nm连续波输出功率。它采用5.6mm TO CAN封装，带有光电二极管和齐纳二极管。由于前端面涂有增透膜，激光二极管特别适用于外腔激光器。

支架制造中的一个过程是管架的钻孔。这种微小尺寸的孔很容易用激光钻出。然而，激光束不应撞击在金属支架本身上，因为它会损坏金属支架。使用HYLAX专有的ScanVision技术，我们可以通过对要钻孔的一般模式进行编程，并在实际钻孔之前检查每个点，如果金属支架的一部分挡住了，则跳过。由于支架线是灵活的，初始编程的盲法是不可行的，因为线将随机放置。尺寸以100μm为单位，因此没有空间用于安全区域缓冲支架导线的孔。有了这项技术，我们可以使用固态激光器，而不是需要更多维护和需要有毒气体操作的准分子激光器。该方法还提高了该过程的产量。

该负载组件ATLS212DLDV1.0设计用于模拟激光二极管，以评估一系列激光驱动器，包括ATLS1A212D、ATLS2A212D和ATLS3A212D。这些激光驱动器可用于驱动一个或多个具有高效率和低噪声的激光二极管，用于DPSSL、EDFA或光纤激光器应用。它可以在很宽的输入电压范围内工作，输出电压可以从0V到与输入电压几乎相同的范围内变化，它的体积很小，但可以输出大电流、高电压，从而输出高功率。效率如此之高，以至于不需要散热器。欲了解更多详情或报价电子邮件：yan.yan@analogti.com。

安德鲁斯玻璃公司了解激光器制造商在不断增加的功率输出和与玻璃管设计系统相关的整流电弧问题方面遇到的挑战。我们的核心专业领域之一包括用于制造激光系统的管状玻璃部件的制造。我们的专长包括CO2、HeNe、YAG和准分子组件，包括气体放电和返回管、流管、连接器和灰尘捕集器。此外，在使用硼硅酸盐玻璃、石英和陶瓷的应用中，我们拥有玻璃-金属密封方面的专业知识。