• HL8341MG 半导体激光器
    日本
    厂商:牛尾
    工作模式: CW Laser 波长: 842 to 862 nm 输出功率: 0.05 W 工作电压: 1.9 to 2.4 V 工作电流: 75 to 100 mA

    Ushio公司的HL8341MG是波长为842至862nm的激光二极管,输出功率为0.05W,工作电压为1.9至2.4V,工作电流为75至100mA,阈值电流为20至40mA.有关HL8341MG的更多详细信息,请联系我们。

  • NDB4216E 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 450 to 460 nm 输出功率: 0.1 W 工作电压: 5.2 V 工作电流: 0.11 A

    来自Nichia Corporation的NDB4216E是4类激光二极管,其工作波长为450nm至460nm.它的连续波输出功率为0.1 W,斜率效率为1.2 W/A,波束指向精度为±2.5°(平行)和±3°(垂直)。这款单发射器激光二极管的光束发散角为8.5°(平行)和23°(垂直),符合RoHS规范。阈值电流为30 mA,工作电压为5.2 V,功耗为0.11 A.这款单模激光二极管采用浮动安装的CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带有一个光电二极管和一个齐纳二极管。它是评估或设计应用程序的理想选择。

  • NDV4316 半导体激光器
    日本
    工作模式: CW Laser 波长: 400 to 410 nm 输出功率: 0.12 W 工作电压: 4.8 V 工作电流: 0.12 A

    来自Nichia Corporation的NDV4316是在405nm的波长下工作的紫色激光二极管。这种单模激光二极管的输出功率为120mW,斜率效率为1.4W/A,平行发散角为9度,垂直发散角为19.5度。它需要35 mA的阈值电流,并具有内置的齐纳二极管以防静电。它采用Ø5.6 mm封装,是测量仪器和家用电器的理想选择。

  • QL78M6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 780 nm 输出功率: 0.09 W

    Roithner Lasertechnik的QL78M6SA是一款工作波长为770至790 nm的AlGaAs红外激光二极管。它的输出功率为90 MW,LD反向电压为2 V,PD反向电压为30 V.该单横模激光二极管具有量子阱结构,可在高达60摄氏度的温度下工作。它采用5.6 mm TO-CAN封装,是工业应用的理想辐射源。

  • QL83H6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 830 nm 输出功率: 0.02 W

    Roithner Lasertechnik的QL83H6SA是一款具有量子阱结构的单模AlGaAs红外激光二极管,工作波长为830 nm.它的光输出功率为20mW,斜率效率为0.6W/A.该激光二极管具有9°的平行光束发散角和30°的垂直光束发散角。它需要1.9 V的工作电压和45 mA的电流。该器件采用集成PD的5.6 mm TO-CAN封装,是许多工业应用的理想选择。

  • QL94J6SA 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: AlGaAs 工作模式: CW Lasers 波长: 940 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik GmbH生产的QL94J6SA是一款输出波长为940 nm的AlGaAs红外激光二极管。它提供高达50 MW的光输出功率,并在高达60°C的宽工作温度范围内产生单模发射。激光二极管的光束发散度为6-12度(平行)、23-33度(垂直),光束角为±3°(平行和垂直)。它需要高达2.5 V的电源电压,功耗低于90 mA.这种单横模激光器是利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术设计的,具有量子阱结构。它采用TO18封装,带有一个平面窗口,适合工业应用。

  • SHD4850MG 半导体激光器
    奥地利
    技术: Quantum Well 芯片技术: InAlGaN 工作模式: CW Lasers 波长: 488 nm 输出功率: 0.05 W

    Roithner Lasertechnik的SHD4850MG是一款InAlGaN青色激光二极管,工作波长为488 nm.该激光器的输出功率为50mW,斜率效率为0.8W/A,阈值电流为40mA,采用多量子阱结构,工作在TE横模。它需要6 V直流电源,功耗为105 mA.这款激光二极管采用TO-CAN封装,尺寸为Ø5.6 mm,带平面窗口,非常适合激光投影、全息摄影、计量和生物医学应用。

  • LDS-1550-DFB-2.5G-15/50 半导体激光器
    白俄罗斯
    厂商:LasersCom
    技术: Distributed Feedback (DFB), Multi-Quantum Well (MQW) 工作模式: CW/Pulsed Laser 波长: 1547 to 1553 nm 输出功率: 15 to 50 mW 工作电压: 1.3 to 1.7 V

    Laserscom公司的LDS-1550-DFB-2.5G-15/50是一种多量子阱激光二极管,工作波长为1550 nm.输出光功率50mW(脉冲)&15mW(连续),光谱宽度0.08nm,斜率效率0.16W/A,上升/下降时间80ps,跟踪误差0.15dB.它的电容为10 PF,暗电流小于100 nA,阈值电流为8 mA.该激光二极管具有DFB腔、内置监控光电二极管,并提供高达2.5 Gbps的数据速率。它使用LDS技术来提高光功率的热稳定性。LDS-1550-DFB-2.5G-15/50需要1.4 V的直流电源,消耗100 mA的电流。该激光二极管采用同轴、带支架的同轴或14针DIL封装,并具有带FC/APC、SC/APC、FC/UPC和SC/UPC连接器选项的SM/PM光纤选项。它非常适合数据速率高达2.5 Gbps的光纤通信系统和激光系统应用。

  • QL63D43A/B 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.3 V 工作电流: 30 mA

    来自Quantum Semiconductor International的QL63D43A/B是连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm,斜率效率为0.65 MW.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它的平行光束发散度为8度,垂直光束发散度为34度。这款QL63D43A/B需要21 mA的阈值电流、30 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用3.3 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪、激光模块和条形码读取器应用。

  • QL63D4SA/B/C 半导体激光器
    工作模式: CW Laser 波长: 635 nm 输出功率: 5 mW 工作电压: 2.2 V 工作电流: 32 mA

    Quantum Semiconductor International生产的QL63D4SA/B/C是一款连续波红色激光二极管,工作波长为635 nm.该单个横向激光二极管提供5mW的光输出功率。它具有8度的平行光束发散角和35度的垂直光束发散角。QL63D4SA/B/C需要24 mA的阈值电流、32 mA的工作电流和30 V的反向电压。它采用5.6 mm TO-CAN封装,非常适合光学水平仪和激光指示器应用。

  • QL94J6SA/B/C 半导体激光器
    应用行业: Industrial 技术: Quantum Well 芯片技术: InGaAs 工作模式: CW Laser 波长: 930 to 950 nm

    来自QSI的QL94J6SA/B/C是MOCVD生长的具有量子阱结构的940nm波段InGaAs激光二极管。它为工业光学模块和传感器应用提供50 MW的光输出功率。激光二极管采用5.6 mm TO-18封装,内置光电二极管,用于监控激光二极管。

  • SPL DS90A_3 汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    芯片技术: InGaAs 工作模式: Pulsed Laser 波长: 894 to 914 nm 输出功率: 105 to 145 W 工作电压: 8.3 V

    来自OSRAM的SPL DS90A_3是广泛用于各种汽车应用的纳米堆叠脉冲激光二极管。它可以在高达40 A的高电流下工作,并实现125 W的典型输出功率。该激光器具有令人印象深刻的长寿命和高效率。其紧凑的尺寸允许在车辆内进行灵活的系统设计。得益于更高的输出,激光雷达系统可以可靠地探测到远距离的小物体和反射较差的物体,并在关键的驾驶情况下采取必要的行动。它是激光雷达、闭路电视监控和工业自动化应用的理想选择。

  • SPL PL90_3 波长905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管 半导体激光器
    奥地利
    厂商:ams OSRAM
    波长: 905 nm RoHS: Yes 类型: 自由空间激光二极管 技术: 纳米堆叠激光技术(包含3个外延堆叠发射极) 工作模式: 脉冲

    来自OSRAM的SPL PL90_3,是波长为905nm的纳米堆叠脉冲激光二极管。输出峰值功率为65W-85W,脉宽为1-100ns,光谱带宽7nm.该激光二极管有3个发射器,光束发散角(FWHM)为9°(平行)和25°(垂直)。它的阈值电流为0.75 A,反向电压高达3 V。它需要9 V的直流电源,正向电流高达40 A。该激光二极管采用Ø5.8 X 32 mm的塑料封装,非常适合电子设备、设备照明(如固化、内窥镜)、工矿灯行业、工业自动化、安全安保和CCTV应用。

  • waveScan USB 光谱仪
    应用: Chemical material characterization, Carrier lifetime and mobility in semiconductors, Dielectric properties and complex refractive index, Metamaterials investigation, Medical and biological nondestructive research, Thickness measurements 光谱仪类型: Modular 波长范围: 200 to 6300 nm 光谱分辨率: 0.2 to 0.13 nm 谱带: VIS, IR, VIS/IR, IR, Blue, Blue HR, UV, UV2

    A·P·E GmbH的WaveScan USB是一款中红外/红外/可见/紫外旋转光栅光谱仪,工作波长为200 nm-6.3µm.它的扫描速率为6Hz,光谱分辨率高达0.05nm.该设备提供高激光重复率,基于旋转光栅原理,由小型精密电机驱动,是传统光谱仪的绝佳替代品。直接通过USB或通过网络和TCP/IP的简单命令可以实现自动化。除了自由空间输入外,WaveScan还提供可互换的光纤输入。它采用362 X 91 X 143 mm坚固耐用的单元,非常适合化学材料表征、半导体中的载流子寿命和迁移率、介电特性和复折射率、超材料研究、医学和生物无损研究以及厚度测量应用。

  • AFBR-S20N1N256 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:Broadcom
    应用: Agricultural Analysis, Food Safety, Chemical Analysis, Quality Control, Petro-Chemical Analysis, Environmental Analysis, Biomedical Applications, Pharmaceutical Analysis, Process Control and Monitoring 测量技术: NIR Spectroscopy 探测器: Uncooled 256-pixel InGaAs Sensor

    Broadcom的AFBR-S20N1N256是一款近红外光谱仪,工作波长范围为950至1700 nm.它有一个未冷却的256像素InGaAs传感器阵列,具有30微米的入口狭缝,可提供具有高杂散光抑制的可靠测量。该光谱仪具有16位ADC,可提供12000:1的动态范围和大于10000的最大SNR.积分时间为4μs至5分钟,并可对波长、灵敏度、非线性和存储在设备中的多个暗光谱进行校准。该光谱仪可通过USB 2.0 Type-C、SPI和UART接口进行控制。AFBR-S20N1N256需要5 V直流电源,功耗为30 mA.它采用坚固紧凑的封装,尺寸为60 X 50 X 19 mm,并具有用于光学接口的SMA连接器。该光谱仪适用于农业分析、食品安全、化学分析、质量控制、石化分析、环境分析、生物医学应用、制药分析、过程控制和监测应用。

  • AFBR-S20W2NI 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:Broadcom
    应用: Light Analysis, Chemical Research, Raman Spectroscopy, Forensic Analysis, System Integration, Quality Control, Environmental Measurements, Process Control and Monitoring, Biomedical Applications 测量技术: NIR Spectroscopy 光谱仪类型: Modular 波长范围: 700 to 1030 nm 光谱分辨率: 0.5 nm

    Broadcom的AFBR-S20W2NI是一款光谱仪,工作波长为700至1030nm.它有一个3648像素的线性CCD探测器和一个16位ADC,其焦距为75 mm,光谱分辨率为0.5 nm.该光谱仪具有20μm可变入射狭缝,600线/mm光栅,数值孔径为0.10。它的动态范围为1500:1,曝光时间为3μs至17分钟。该光谱仪可以进行校准,以测量波长、灵敏度、非线性和存储在设备中的多个暗光谱。它具有32 MB的内部存储器,可通过USB 2.0高速接口进行控制。AFBR-S20W2NI需要5V的直流电源,并通过USB消耗200 mA.它采用紧凑型封装,尺寸为89.5 X 68 X 19.5 mm,并具有用于光学接口的SMA连接器。该光谱仪是光分析、化学研究、拉曼光谱、法医分析、系统集成、过程控制和监测、生物医学应用、质量控制和环境测量应用的理想选择。

  • AFBR-S20W2UV 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:Broadcom
    应用: Light Analysis, Chemical Research, Raman Spectroscopy, Forensic Analysis, System Integration, Quality Control, Environmental Measurements, Process Control and Monitoring, Biomedical Applications 测量技术: UV Spectroscopy 光谱仪类型: Modular 波长范围: 220 to 390 nm 光谱分辨率: 0.3 nm

    Broadcom的AFBR-S20W2UV是一款光谱仪,工作波长为220至390 nm.它有一个3648像素的线性CCD探测器和一个16位ADC,其焦距为75 mm,光谱分辨率为0.3 nm.该光谱仪具有20μm可变入射狭缝,600线/mm光栅,数值孔径为0.10。它的动态范围为1500:1,曝光时间为3μs至17分钟。该光谱仪可以进行校准,以测量波长、灵敏度、非线性和存储在设备中的多个暗光谱。它具有32 MB的内部存储器,可通过USB 2.0高速接口进行控制。AFBR-S20W2UV需要5V的直流电源,并通过USB消耗200 mA.它采用紧凑型封装,尺寸为89.5 X 68 X 19.5 mm,并具有用于光学接口的SMA连接器。该光谱仪是光分析、化学研究、拉曼光谱、法医分析、系统集成、过程控制和监测、生物医学应用、质量控制和环境测量应用的理想选择。

  • AFBR-S20W2VI 光谱仪
    美国
    分类:光谱仪
    厂商:Broadcom
    应用: Light Analysis, Chemical Research, Raman Spectroscopy, Forensic Analysis, System Integration, Quality Control, Environmental Measurements, Process Control and Monitoring, Biomedical Applications 测量技术: VIS Spectroscopy 光谱仪类型: Modular 波长范围: 350 to 880 nm 光谱分辨率: 0.6 nm

    Broadcom的AFBR-S20W2VI是一款光谱仪,工作波长为350至880 nm.它有一个3648像素的线性CCD探测器和一个16位ADC,其焦距为75 mm,光谱分辨率为0.6 nm.该光谱仪具有20μm可变入射狭缝,600线/mm光栅,数值孔径为0.10。它的动态范围为1500:1,曝光时间为3μs至17分钟。该光谱仪可以进行校准,以测量波长、灵敏度、非线性和存储在设备中的多个暗光谱。它具有32 MB的内部存储器,可通过USB 2.0高速接口进行控制。AFBR-S20W2VI需要5V的直流电源,并通过USB消耗200 mA.它采用紧凑型封装,尺寸为89.5 X 68 X 19.5 mm,并具有用于光学接口的SMA连接器。该光谱仪是光分析、化学研究、拉曼光谱、法医分析、系统集成、过程控制和监测、生物医学应用、质量控制和环境测量应用的理想选择。

  • T-SPECTRALYZER F 光谱仪
    德国
    分类:光谱仪
    应用: THz-Time-Domain Spectroscopy, Detecting & characterizing materials, Using amplitude and phase information, Analysing chemicals in powder and tablet form, Analysing liquids and gases, Distinguishing crystalline and amorphous structures, Determinating the fi lling level of polymers, Distinguishing various isomers, Non-destructive testing (NDT), Identifying substances even through plastic pipes and tubes and other packaging, Determining the layer thicknesses of multi-layer systems 测量技术: IR Spectroscopy 光谱仪类型: Benchtop 谱带: IR

    HÜBNER Photonics的T-Spectralyzer F是一款太赫兹光谱仪,工作频率为0.1至2.5 THz.它的最小动态范围为54 dB(0.5 THz),频率分辨率为10 GHz,标准测量时间为5秒。光谱仪的光束直径为1.5 mm,标准样品扫描范围为200 X 200 m2。它使用太赫兹波进行安全快速扫描。该光谱仪不需要任何额外的冷却或外部气体供应。它需要115-230 V的交流电源,功耗低于200 W.它采用19机架模块,尺寸为43 X 27 X 46 cm3,是无损检测、太赫兹时域光谱、化学识别和分析应用的理想选择。

  • T-SPECTRALYZER T/R/F 光谱仪
    德国
    分类:光谱仪
    应用: THz-Time-Domain Spectroscopy, Detecting & characterizing materials, Analysing liquids and gases, Investigating moisture distributions, Distinguishing crystalline and amorphous structures, THz-Imaging, Non-destructive testing (NDT) 测量技术: IR Spectroscopy, Transmission, Reflectance 光谱仪类型: Benchtop 谱带: IR

    HÜBNER Photonics的T-Spectralyzer T/R/F是一款太赫兹光谱仪,工作频率为0.1至4 THz.它的动态范围超过70dB(0.5THz),频率分辨率为10GHz,标准测量时间为5秒。光谱仪使用太赫兹波进行操作,这是完全安全的,并且不需要昂贵的安全预防措施。它不需要任何额外的冷却或外部气体供应。光谱仪有一个大的样品盘,尺寸为335 X 240 mm2,可对样品进行非破坏性无接触分析。该光谱仪非常适合光谱成像、透射/反射测量、THz时域光谱(如检测和表征材料)、使用振幅和相位信息、分析粉末和片剂形式的化学品、分析液体和气体、区分晶体和无定形结构、确定聚合物的填充水平和区分各种异构体以及无损检测(NDT)(如识别物质,甚至通过塑料管、管道和其他包装)以及确定多层系统应用的层厚度。光谱仪需要115-230 V的交流电源,功耗小于200 W.