FKLD-9S-680-60X是680nm AlGaInP量子阱用MOCVD半导体激光器制作。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FKLD-9S-680-60X是一款CW单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。该激光器适用于激光模块和其他光电系统。

FLO-401#403是一系列1270-1330nm半导体激光器，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）半导体激光器制作的GaInAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C型底座上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-401#403是一系列1270-1330nm半导体激光器，采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）半导体激光器制作的GaInAsP/InP单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-401#403是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1270-1330nm激光二极管，采用MOCVD半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FLO-401#403是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管，TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-404#405是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1300±30nm半导体激光器，采用MOCVD半导体激光器制备。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-404#405是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用内置监控光电二极管的SOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TEC和热敏电阻，并安装在C型底座上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-404#405是一系列基于GaInAsP/InP单量子阱结构的1300±30nm半导体激光器，采用MOCVD半导体激光器制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-404#405是连续单模和注入式半导体激光器。它们采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管，TO-3外壳，内置监控光电二极管、TEC和热敏电阻，并安装在C支架上。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-450是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的GaInAsP/InP量子阱结构的1260nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-450采用HHL密封封装，集成TEC、热敏电阻和监控二极管，以稳定功率。该激光器通过AR镀膜玻璃窗口实现光输出，适用于各种光电系统。

FLO-500#502是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-500#502是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电子器件系统。

FLO-500#502是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-500#502是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm激光二极管，由MBE半导体激光器制成。低阈值电流和高斜率效率有助于提高低工作电流的可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm激光二极管，由MBE半导体激光器制成。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用SOT-148外壳（内置监控光电二极管）、TO-3外壳（内置监控光电二极管）、TECAND热敏电阻和C型安装。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-520#540是一系列基于GaInAsP/InP SC单量子阱结构的1530-1570nm半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-520#540是连续单模注入半导体激光器。激光二极管采用带内置监控光电二极管的INSOT-148外壳、带内置监控光电二极管的TO-3外壳、TECAND热敏电阻和C型支架。该激光器适用于各种光电系统。

FLO-550是用MOCVD/MBE半导体激光器制作的基于GaInP/InP多量子阱异质结构的1550nm高功率半导体激光器。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLO-550采用HHL密封封装，集成TEC、热敏电阻和监控二极管，以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光学输出。本发明适用于各种光电系统和宽温度范围的应用。范围。

FLO-950是基于GaInAsP/InP量子阱结构的1725nm半导体激光器，采用MOCVD/MBE半导体激光器制作。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FLO-950采用开放式底座和HHL密封封装，集成TEC、热敏电阻和监控二极管以稳定电源。通过AR涂层玻璃窗口促进光输出。激光二极管适用于医疗和各种其他光电系统。

FLX-808-10000-1150是用MOCVD半导体激光器制作的808nm GaAlAs量子阱。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLX-808-10000-1150是一款CW多模注入式半导体激光器，采用C-Mount、TO3和HHL外壳，集成TEC和热敏电阻。光纤耦合封装也可采用SMA（9mm）和HHL外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-05S-1053A是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1053nm激光二极管，采用MOCVD方法制备。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1053A是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-05S-1064D是一种基于InGaAs/GaAs单量子阱结构的1064nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1064D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-05S-1260D是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1260nm激光二极管。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-05S-1260D是连续单模注入半导体激光器。它采用SOT-148外壳，内置监视器光电二极管。激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-05S-1650是一种基于InGaAsP/InP单量子阱结构的1650nm激光二极管，采用MOCVD技术制备。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FNLD-05S-1650是连续单模注入式半导体激光二极管。它采用SOT-148外壳，内置监控光电二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。

FNLD-100S-1030X是用MOCVD半导体激光器制作的1030nm InGaAs/GaAs单量子阱。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FNLD-100S-1030X是一款连续单横模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。激光二极管适用于各种光电系统。