我们的热电探测器是一类室温热探测器，当暴露于辐射源时，其产生的电流输出与温度变化率成正比。它们较好用交流电流源、电容器和电阻器来描述。它们的电流输出由等式I=P（T）·A·DT/DT决定，其中I是电流，P（T）是Pyro系数，A是由前电极限定的面积，DT/DT是Pyro晶体的温度变化率。与其他红外探测器相比，热释电探测器的优点是：室温操作、宽光谱响应、高灵敏度（D*）和快速响应（亚纳秒至50Ω）。我们的被动式分立热电探测器直径范围为1至9毫米，并提供两种配置：高灵敏度或高平均功率。他们展示了覆盖有我们的金属涂层（MT）的热电探测器元件，并封装在微型TO-5或TO-8罐中。左图显示了两种类型探测器的引脚排列。我们的有机黑色涂层（BL），增加了光学吸收，并有助于平坦的光谱响应。我们还提供许多可添加到TO CAN的永久红外窗口。这些离散的Pyro探测器是脉冲激光应用的理想选择。

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Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO光电探测器系列包括9个光电探测器传感器。PH100-Si、PH100Si-HA探测器使用硅光电二极管。PH100-SiUV、PH10B-Si、PE10B-Si、PE3B-Si探测器也使用硅光电二极管，但在较短波长下具有增强的灵敏度。PH20-Ge、PH5B-Ge、PE5B-Ge探测器使用锗光电二极管。PE3B-IN探测器使用InGaAs光电二极管。

Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列（XLP12、UP12E、UP10K（P）、UP17P、UP19K、UP25N（M）、UP25T、UP50N（M）、up55N（M.）、up55C、uP60N（M.）、uP55G和uP60G）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。

Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列（XLP12、UP12E、UP10K（P）、UP17P、UP19K、UP25N（M）、UP25T、UP50N（M）、up55N（M.）、up55C、uP60N（M.）、uP55G和uP60G）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。

Gentec-EO Ultra系列UP功率探测器系列包括13个系列（XLP12、UP12E、UP10K（P）、UP17P、UP19K、UP25N（M）、UP25T、UP50N（M）、up55N（M.）、up55C、uP60N（M.）、uP55G和uP60G）的光热传感器，具有不同的冷却选项（独立、散热器、风扇和水），带或不带放大功能。高功率表面吸收传感器设计用于高平均功率密度。