FIDL-30S-760X是用MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/Gaal单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-760X是一种连续单模注入半导体激光器，内置监控光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱设备以及各种光电系统中使用激光二极管。

FIDL-30S-760X是由MOCVD半导体激光器制作的AlGaAs/Gaal单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-760X是一种连续单模注入半导体激光器，内置监测光电二极管以稳定输出功率。精确的波长选择允许在光谱学设备中使用激光二极管以及在各种光电系统。

FIDL-30S-905X是用MOCVD半导体激光器制作的905nm InGaAs/GaAs单量子阱结构，低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FIDL-30S-905X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光器适用于各种光电系统。

FIDL-30S-910X是用MOCVD半导体激光器制作的910nm InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-30S-910X光源为CW单模注入半导体激光二极管，内置监控光电二极管，输出功率稳定。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的InGaAs/GaAs单量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-1064X是一种连续多模注入式半导体激光器。它采用SOT-148 9mm封装，集成监视器光电二极管以稳定输出功率。该激光二极管适用于各种光电系统。

FIDL-500M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-850X是一款CW多模注入式半导体激光器芯片，安装在SOT-148 9mmTO-CAN中，集成监控光电二极管以稳定输出功率，并采用TO-3封装，带有TEC、热敏电阻和监控二极管。

FLX-808-10000-1150是用MOCVD半导体激光器制作的808nm GaAlAs量子阱。低门槛电流和高斜率效率有助于降低工作电流，提高可靠性。FLX-808-10000-1150是一款CW多模注入式半导体激光器，采用C-Mount、TO3和HHL外壳，集成TEC和热敏电阻。光纤耦合封装也可采用SMA（9mm）和HHL外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。

CLD–MW是一款用户控制的激光器，在单个紧凑封装中集成了激光器和控制电子设备。内置触摸屏显示器控制并显示完整的激光操作参数。CLD–MW允许用户设置激光功率和温度，扫描激光功率，并使用高达1 MHz的内置内部函数发生器调制激光。外部调制较高可达20 MHz。CLD–MW具有出色的光束质量、功率稳定性、激光温度控制和低噪声，适用于要求苛刻的应用。

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自定义选项带有固件和软件的定制电子驱动程序机械设计光纤耦合版本（多模、单模和保偏）不同的波长线光学USB连接TTL调制通过使用第三根白线施加外部TTL输入信号（例如来自函数发生器），LDT系列激光系统可在0和全功率之间进行TTL调制。如果TTL输入为低，则激光电源完全关闭。如果TTL输入为高，则激光输出为全功率。TTL信号可以是任何通-断时间组合。如果白线和红线连接在一起，也可以通过向TTL输入施加高信号来连续操作。